Zusammenfassung
Der Transistor ist eine Vorrichtung zum Verstärken elektrischer Signale, und so ist es vielleicht nicht ganz abwegig, bei einer Diskussion seiner Wirkungsweise an die in dieser Beziehung älteste und wohl auch einfachste Vorrichtung anzuknüpfen, nämlich an das elektromagnetische Telegraphenrelais (siehe Abb. V 1.1). Bei diesem betätigt ein von fern her über lange Leitungen kommender und daher schwacher Strom einen Schalter, der dem Strom einer starken örtlichen Stromquelle den Weg freigibt oder sperrt. Etwas abstrahierend kann man das Wesentliche des Vorgangs darin erblicken, daß durch das Signal ein Leitwert im Strompfad der örtlichen Stromquelle variiert wird, und zwar geschieht das im vorliegenden Falle durch Veränderung seines Querschnittes an einer bestimmten Stelle.
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Literatur
Bei den Substitutionsstörstellen des Germaniums darf — außer bei extrem tiefen Temperaturen und sehr starken Dotierungen — Erschöpfung angenommen und deshalb n D = n D + gesetzt werden..
Falls nicht Konzentrationsveränderungen noch durch andere Ursachen erzwungen werden, z. B. durch Divergenz einer Trägerströmung.
E. M. Conwell gibt ni=2,5·1013 cm-3 an. Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 1329, Tab. II.
Siehe hierzu auch Fußnote 1 auf S. 98.
Siehe hierzu S. 140. Nach Gl. (V 2.43) ist beim Fadentransistor r12 = rb.
Shockley, W.: Bell. Syst. Tech. J. Bd. 28 (1949) S. 435.
Shockley, W., M. Sparks u. G. K. Teal: Phys. Rev. Bd. 83 (1951) S. 151.
Siehe S. 101–102.
Siehe S. 105.
Für Germanium und Zimmertemperatur gibt E. M. Conwell genauer ni=2,5·1013 cm-3 an. Siehe Proc. Inst. Radio Engrs. Bd. 40 (1952) S. 1329, Tab. II.
Siehe S. 99 und Abb. IV 8.1.
Siehe Abb. IV 8.3 unten.
Shockley, W., M. Sparks u. G. K. Teal: Phys. Rev. Bd. 83 (1951) S. 151.
Bezüglich des Vergleichs n-p-n-Transistor einerseits und Vakuumröhre andererseits s. auch L. J. Giacoletto: Proc. Inst. Radio Engrs. Bd. 40 (1952) S. 1490. Von dort sind auch die Angaben entnommen, die der Abb. V 3.6 zugrunde liegen.
Bardeen, J., u. W. Brattain: Phys. Rev. Bd. 74 (1948) S. 230, 231; Bd. 75 (1949) S. 1208.
Shive, J. N.: Phys. Rev. Bd. 75 (1949) S. 689.
Kock, W. E., u. R. L. Wallace: Electrical Engineering Bd. 68 (1949) S. 222.
Thedieck, R.: Phys. Verh. Bd. 3 (1952) S. 31; Bd. 3 (1952) S. 212.
Valdes, L. B.: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 445.
Die diesbezüglichen theoretischen Überlegungen konnten auch experimentell bestätigt werden. Siehe W. Shockley, G. L. Pearson u. J. R. Haynes: Bell Syst. Tech. J. Bd. 288 (1949) S. 344.
Auch L. B. Valdes: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 1429 hat diesen Effekt nicht berücksichtigt. Gegenüber der hier gegebenen Darstellung setzt Valdes die endliche Dicke der Ge-Scheiben in Rechnung, die die halbkugelförmige Ausbreitung des Collectorstromes deformiert.
Siehe hierzu auch S. 140.
Siehe hierzu z. B. A. E. Anderson: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 1541.
Shockley, W.: Proc. Inst. Radio Engrs., N. X. Bd. 40 (1952) S. 1365. insb. S. 1376 Schluß.
Siehe aber G. L. Pearson: Phys. Rev. Bd. 90 (1953) S. 336
G. C. Dacey u. I. M. Ross: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 41 (1953) S. 970.
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Spenke, E. (1955). Die physikalische Wirkungsweise von Kristallverstärkern (Transistoren). In: Elektronische Halbleiter. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-01338-0_5
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