Advertisement

Die physikalische Wirkungsweise von Kristallverstärkern (Transistoren)

  • Eberhard Spenke

Zusammenfassung

Der Transistor ist eine Vorrichtung zum Verstärken elektrischer Signale, und so ist es vielleicht nicht ganz abwegig, bei einer Diskussion seiner Wirkungsweise an die in dieser Beziehung älteste und wohl auch einfachste Vorrichtung anzuknüpfen, nämlich an das elektromagnetische Telegraphenrelais (siehe Abb. V 1.1). Bei diesem betätigt ein von fern her über lange Leitungen kommender und daher schwacher Strom einen Schalter, der dem Strom einer starken örtlichen Stromquelle den Weg freigibt oder sperrt. Etwas abstrahierend kann man das Wesentliche des Vorgangs darin erblicken, daß durch das Signal ein Leitwert im Strompfad der örtlichen Stromquelle variiert wird, und zwar geschieht das im vorliegenden Falle durch Veränderung seines Querschnittes an einer bestimmten Stelle.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur

  1. 1.
    Bei den Substitutionsstörstellen des Germaniums darf — außer bei extrem tiefen Temperaturen und sehr starken Dotierungen — Erschöpfung angenommen und deshalb n D= n D + gesetzt werden..Google Scholar
  2. 1.
    Falls nicht Konzentrationsveränderungen noch durch andere Ursachen erzwungen werden, z. B. durch Divergenz einer Trägerströmung.Google Scholar
  3. 2.
    E. M. Conwell gibt ni=2,5·1013 cm-3 an. Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 1329, Tab. II.Google Scholar
  4. 2.
    Siehe hierzu auch Fußnote 1 auf S. 98.Google Scholar
  5. 1.
    Siehe hierzu S. 140. Nach Gl. (V 2.43) ist beim Fadentransistor r12 = rb.Google Scholar
  6. 1.
    Shockley, W.: Bell. Syst. Tech. J. Bd. 28 (1949) S. 435.Google Scholar
  7. 1a.
    Shockley, W., M. Sparks u. G. K. Teal: Phys. Rev. Bd. 83 (1951) S. 151.CrossRefGoogle Scholar
  8. 2.
    Siehe S. 101–102.Google Scholar
  9. 3.
    Siehe S. 105.Google Scholar
  10. 4.
    Für Germanium und Zimmertemperatur gibt E. M. Conwell genauer ni=2,5·1013 cm-3 an. Siehe Proc. Inst. Radio Engrs. Bd. 40 (1952) S. 1329, Tab. II.Google Scholar
  11. 1.
    Siehe S. 99 und Abb. IV 8.1.Google Scholar
  12. Siehe Abb. IV 8.3 unten.Google Scholar
  13. 1.
    Shockley, W., M. Sparks u. G. K. Teal: Phys. Rev. Bd. 83 (1951) S. 151.CrossRefGoogle Scholar
  14. 1.
    Bezüglich des Vergleichs n-p-n-Transistor einerseits und Vakuumröhre andererseits s. auch L. J. Giacoletto: Proc. Inst. Radio Engrs. Bd. 40 (1952) S. 1490. Von dort sind auch die Angaben entnommen, die der Abb. V 3.6 zugrunde liegen.Google Scholar
  15. 2.
    Bardeen, J., u. W. Brattain: Phys. Rev. Bd. 74 (1948) S. 230, 231; Bd. 75 (1949) S. 1208.CrossRefGoogle Scholar
  16. 3.
    Shive, J. N.: Phys. Rev. Bd. 75 (1949) S. 689.CrossRefGoogle Scholar
  17. 4.
    Kock, W. E., u. R. L. Wallace: Electrical Engineering Bd. 68 (1949) S. 222.Google Scholar
  18. 1.
    Thedieck, R.: Phys. Verh. Bd. 3 (1952) S. 31; Bd. 3 (1952) S. 212.Google Scholar
  19. 1a.
    Valdes, L. B.: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 445.Google Scholar
  20. 2.
    Die diesbezüglichen theoretischen Überlegungen konnten auch experimentell bestätigt werden. Siehe W. Shockley, G. L. Pearson u. J. R. Haynes: Bell Syst. Tech. J. Bd. 288 (1949) S. 344.Google Scholar
  21. 1.
    Auch L. B. Valdes: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 1429 hat diesen Effekt nicht berücksichtigt. Gegenüber der hier gegebenen Darstellung setzt Valdes die endliche Dicke der Ge-Scheiben in Rechnung, die die halbkugelförmige Ausbreitung des Collectorstromes deformiert.Google Scholar
  22. 1.
    Siehe hierzu auch S. 140.Google Scholar
  23. 2.
    Siehe hierzu z. B. A. E. Anderson: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 40 (1952) S. 1541.Google Scholar
  24. 1.
    Shockley, W.: Proc. Inst. Radio Engrs., N. X. Bd. 40 (1952) S. 1365. insb. S. 1376 Schluß.Google Scholar
  25. 1a.
    Siehe aber G. L. Pearson: Phys. Rev. Bd. 90 (1953) S. 336Google Scholar
  26. 1b.
    G. C. Dacey u. I. M. Ross: Proc. Inst. Radio Engrs., N. Y. Bd. 41 (1953) S. 970.Google Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1955

Authors and Affiliations

  • Eberhard Spenke
    • 1
  1. 1.Pretzfeld/OberfrankenDeutschland

Personalised recommendations