Zusammenfassung
Bei Bipolartransistoren (BJT) findet der gesteuerte Stromfluss über jeweils zwei Sperrschichten statt, an der Wirkungsweise des Transistors sind Elektronen und Löcher, also Ladungsträger beider Polarität, beteiligt.
Auch der Feldeffekttransistor (FET \(=\) Field-Effect-Transistor) ist ein Halbleiterbauelement. Feldeffekttransistoren haben aber nur eine einzige interne Sperrschicht. Beim FET trägt zur Steuerung und zum Stromtransport je nach Bauart nur eine Sorte von Ladungsträgern bei, Elektronen oder Löcher. Daher werden FETs auch als Unipolartransistoren (unijunction transistor, UJT) bezeichnet.
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Source (S), dies ist die Quelle oder Quellenelektrode, entspricht beim BJT dem Emitter
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Drain (D), dies ist die Senke oder Senkenelektrode, entspricht beim BJT dem Kollektor
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Gate (G), dies ist die Steuerelektrode, entspricht beim BJT der Basis.