Zusammenfassung
In Band 6 dieser Abhandlungen sind die strahlungslosen Übergänge im Gitter der Sulfidphosphore modellmäßig behandelt worden1). Dabei ergab sich eine befriedigende Darstellung der verwickelten Beziehungen zwischen der Anregungsintensität und der Ausbeute der Lumineszenz. Die dort angegebenen Lösungen sind umfassend und gelten allgemein für den Fall, daß die Fermigrenze im nicht angeregten Kristall zwischen den Haftstellen- und den Aktivatorniveaus verläuft. Es wurde jedoch nur das Verhalten der Kristalle bei Anregung im Bereich der Grundgitterabsorption behandelt. Da sich die Modellvorstellung zu bewähren scheint, soll im folgenden das Verhalten der Phosphore bei Anregung im langwelligen Ausläufer der Absorption nachgetragen werden. Dabei ist zu berücksichtigen, daß im langwelligen Ausläufer der Absorption zwei verschiedene Anregungsarten vorliegen können, einmal die unmittelbare Anregung des Aktivators (Übergang: Aktivator—Leitungsband) und Anregung in die Haftstellen (Übergang: Valenzband—Haftstellen). Beide Anregungsarten führen zu verschiedenem Verhalten der Leuchtvorgänge. Beiden ist jedoch gemeinsam, daß die Absorption der erregenden Strahlung mit zunehmender Erregungsdichte abnimmt, da nur besetzte Aktivatoren bzw. unbesetzte Haftstellen zur Absorption beitragen können.
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Schn, M.: Techn.-wiss. Abh. Osram-Ges. 6 (1953) S. 49–68.
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© 1958 Springer-Verlag OHG, Berlin / Göttingen / Heidelberg
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Schön, M. (1958). Über die strahlungslosen Übergänge der Elektronen im Gitter der Sulfidphosphore bei Anregung im langwelligen Ausläufer der Absorption. In: Technisch-wissenschaftliche Abhandlungen der Osram-Gesellschaft. Technisch-wissenschaftliche Abhandlungen der Osram-Gesellschaft, vol 7. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-99863-8_23
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