Zusammenfassung
Mit den Verfahren der Ätztechnik werden entweder Schichten ganzflächig entfernt oder lithographisch erzeugte Maskenmuster in die darunterliegende Schicht übertragen. Die Qualität der Strukturübertragung hängt von der Art des Ätzprozesses ab. Abbildung 5.1 zeigt charakteristische Ätzprofile. Bei einem isotropen Ätzprozeß erfolgt der Ätzangriff richtungsunabhängig. Die Schicht unter der Maske wird deshalb unterätzt (Abb. 5.1a). Ein anisotroper Ätzprozeß zeichnet sich durch eine gerichtete Ätzwirkung aus. Erfolgt der Ätzabtrag ausschließlich senkrecht zur Scheibenoberfläche, so wird die Struktur der Maske maßhaltig in die darunterliegende Schicht übertragen (Abb. 51b). Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen stellt sich häufig das in Abb. 5.1c dargestellte Ätzprofil ein. Ein Maß für den Grad an Anisotropie ist der Anisotropiefaktor f.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literatur zu Kapitel 5
Mader, H.: Etching processes. In: Landolt-Börnstein. Neue Serie Bd. 17c, Technologie von Si, Ge und SiC. Berlin: Springer 1984, S. 280–305
Ruge, I.: Halbleiter-Technologie. 2.Aufl. Berlin: Springer 1984, S. 297–301
Horiike, Y.; Shibaaki, M.: Jpn. J. Appl. Phys. 15(1976) 13
Coburn, J.W.; Winters, H.F.: J. Vac. Sci. Tech. 16 (1979) 391
Steinfeld, J.I. et al: J. Electrochem. Soc. 127(1980) 514
Mader, H.: Etching processes. In: Landolt-Börnstein. Neue Serie Bd. 17c, Technologie von Si, Ge und SiC. Berlin: Springer 1984, S. 559–566
Beinvogl, W.; Mader, H.: Reactive dry etching of very-large-scale integrated circuits. Siemens Forsch. Entwicklungsber. 11(1982) 181
Mogab, C.J.: Dry Etching. In: Sze, S.M. (Ed.): VLSI Technology. New York: McGraw-Hill 1983, p. 303–345
Beinvogl, W.; Mader, H.: Reaktive Trockenätzverfahren zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen, ntz Arch. 5 (1983) 3–11
Harshbarger, W.R.; Porter, R.A.; Miller, T.A.; Norton, P.: Appl. Spectrosc. 31(1977) 201
Harshbarger, W.R.; Porter, R.A.; Norton, P.: J. Electron. Mater. 7(1978) 429
Korman, C.S.: Solid State Technol. 25(1982) 115
Poulsen, R.G.; Smith, G.M.: Electrochem. Soc. Meeting, Philadelphia, Pennsylvania Abstr. No. 242, May 1978
Curtis, B.J.; Brunner, H.J.: J. Electrochem. Soc. 127(1978) 234
Degenkolb, E.O.; Mogab, C.J.; Goldrick, M.R.; Griffiths, J.R.: Appl. Spectrosc. 30(1976) 520
Griffiths, J.E.; Degenkolb, E.O.: Appl. Spectrosc. 31(1977) 134
Einspruch, N.G.; Brown, D.M.: VLSI Electronics. Plasma Processing for VLSI. Vol. 8. New York: Academic Press 1984, p. 411–446
Schwartz, G.C.; Schaible, P.M.: J. Vac. Sci. Technol. 16(1979) 410
Adams, A.C.; Capio, C.D.: J. Electrochem. Soc. 128(1981) 366
Flamm, D.L.; Wang, D.N.K.; Maydan, D.: J. Electrochem. Soc. 129(1982) 2755
Endo, N.; Kurogi, Y: IEEE Trans. Electron Devices ED-27 (1980) 1346
Paraszczak, J.; Hatzakis, H.: J. Vac. Sci. Technol. 19(1981) 1412
Ephrath, L.M.; DiMaria, D.J.; Pesavento, F.L.: J. Elecrochem. Soc. 128(1981) 2415
Gray, R.K.; Lechnaton, J.S.: IBM Techn. Disclosure Bull. 24(1982) 4725
Einspruch, N.G.; Brown, D.M.: VLSI Electronics. Plasma Processing for VLSI. Vol. 8. New York: Academic Press 1984, p. 297–339
Engelhardt, M.; Schwarzl, S.: Persönliche Mitteilungen 1987
Grewal, V.: Persönliche Mitteilungen 1987
Heath, B.A.; Mayer, T.M.: Reactive ion beam etching. In: Einspruch, N.G.; Brown, D.M. (ed.): VLSI Electronics. Vol.8. New York: Academic Press 1984, p.365–408
Smith, D.L.: High-Pressure Etching. In: Einspruch, N.G.; Brown, D.M. (Ed.): VLSI Electronics. Vol.8. New York: Academic Press 1984, p.253–296
Gorowitz, B.; Saia, R.J.: Reactive Ion Etching. In: Einspruch, N.G.; Brown, D.M. (Ed.): VLSI Electronics. Vol.8. New York: Academic Press 1984, p.297–339
Horiike, Y.: Emerging Etching Techniques. In: Einspruch, N.G.; Brown, D.M. (Ed.): VLSI Electronics. Vol 8. New York: Academic Press 1984, p.447–486
Ehrlich, D.J.; Tsao, J.Y.: J. Vac. Sci. Technol. Bl 4(1983) 969–984
Chapmann, B.: Glow discharge processes. New York: Wiley 1980, 326
Oechsner, H.: Persönliche Mitteilungen 1987
Beinvogl, W.; Deppe, H.R.; Stokan, R.; Hasler, B.; IEEE Trans. Electron Devices ED-28(1981) 1332
Mathuni, J.: Persönliche Mitteilungen 1987
Müller, P.; Heinrich, F.; Mader, H.: Microelectronic Engineering Elseview Science Publishers B.V., North Holland (1988)
Pilz, W.; Sponholz, T.; Pongratz, S.; Mader, H.: Microelectronic Engineering, North Holland 3(1985) 467
Dry Etching Application Notes. Firmenschrift der Firma ANELVA (1987)
Betz, H.; Mader, H.; Pelka, J.: Offenlegungsschrift, Deutsches Patent P 3600346.8 (1986)
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1988 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg
About this chapter
Cite this chapter
Widmann, D., Mader, H., Friedrich, H. (1988). Ätztechnik. In: Technologie hochintegrierter Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 19. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-97059-7_6
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-97059-7_6
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
Print ISBN: 978-3-540-18439-3
Online ISBN: 978-3-642-97059-7
eBook Packages: Springer Book Archive