Zusammenfassung
Mit den Verfahren der Ätztechnik werden entweder Schichten ganzflächig entfernt oder lithographisch erzeugte Maskenmuster in die darunterliegende Schicht übertragen. Die Qualität der Strukturübertragung hängt von der Art des Ätzprozesses ab. Abbildung 5.1 zeigt charakteristische Ätzprofile. Bei einem isotropen Ätzprozeß erfolgt der Ätzangriff richtungsunabhängig. Die Schicht unter der Maske wird deshalb unterätzt (Abb. 5.1a). Ein anisotroper Ätzprozeß zeichnet sich durch eine gerichtete Ätzwirkung aus. Erfolgt der Ätzabtrag ausschließlich senkrecht zur Scheibenoberfläche, so wird die Struktur der Maske maßhaltig in die darunterliegende Schicht übertragen (Abb. 51b). Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen stellt sich häufig das in Abb. 5.1c dargestellte Ätzprofil ein. Ein Maß für den Grad an Anisotropie ist der Anisotropiefaktor f.
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Widmann, D., Mader, H., Friedrich, H. (1988). Ätztechnik. In: Technologie hochintegrierter Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 19. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-97059-7_6
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