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Lithographie

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Technologie hochintegrierter Schaltungen

Part of the book series: Halbleiter-Elektronik ((HALBLEITER,volume 19))

  • 130 Accesses

Zusammenfassung

Die in der Siliziumtechnolgie verwendeten Schichten (s. Kap. 3) müssen auf den Siliziumscheiben in eine Vielzahl von einzelnen Bereichen, z.B. Leiterbahnen, unterteilt werden. Diese Strukturierung erfolgt heute fast durchweg mit Hilfe der lithographischen Technik (Abb.4.1). Das wesentliche Merkmal dieser Technik ist eine strahlungsempfindliche Resistschicht, die in den gewünschten Bereichen so bestrahlt wird, daß in einem geeigneten Entwickler nur die bestrahlten (oder unbestrahlten) Bereiche entfernt werden. Das so entstehende Resistmuster dient dann als Maske bei einem darauffolgenden Prozeßschritt, z.B. bei einer Ätzung oder einer Ionenimplantation. Schließlich wird die Resistmaske wieder abgelöst. Die Resistschicht übt somit nur eine vorübergehende Funktion aus, ist also nicht Bestandteil der Integrierten Schaltung (Ausnahme s. Abb. 3.12.1c).

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Authors and Affiliations

  1. Unternehmensbereich Bauelemente, Siemens AG, München, Deutschland

    Dr.-Ing. Dietrich Widmann (Abteilungsleiter)

  2. Fachbereich Elektrotechnik , Fraunhofer-Institut für Mikrostrukturtechnik, Fachhochschule München, Berlin, Deutschland

    Dr.-Ing. Hermann Mader (Professor)

  3. MEGA-Projektes, Siemens AG, München, Deutschland

    Dr.-Ing. Hans Friedrich (Leiter)

Authors
  1. Dr.-Ing. Dietrich Widmann
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  2. Dr.-Ing. Hermann Mader
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  3. Dr.-Ing. Hans Friedrich
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© 1988 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg

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Widmann, D., Mader, H., Friedrich, H. (1988). Lithographie. In: Technologie hochintegrierter Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 19. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-97059-7_5

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  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

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  • Online ISBN: 978-3-642-97059-7

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