Skip to main content
SpringerLink
Log in

Strukturverkleinerung in der MOS-Technik

  • Chapter
Technologie hochintegrierter Schaltungen

Part of the book series: Halbleiter-Elektronik ((HALBLEITER,volume 19))

  • 116 Accesses

Zusammenfassung

Die Strukturverkleinerung in der MOS-Technik läßt sich nach dem Prinzip der ähnlichen Verkleinerung durchführen [9.1]. Die formale Vorgehensweise zeigt Abb. 9.1.1.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this chapter

Log in via an institution
Chapter
USD 29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD 54.99
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur zu Kapitel 9

  1. Dennard, R.H. et al: IEEE J. Solid State Circuits SC-9 (1974) 256

    Article  Google Scholar 

  2. Troutman, R.R.: IEEE Trans. Electron Devices ED-26 (1979) 461

    Article  Google Scholar 

  3. Ning, T.H. et al: Appl. Phys. Lett. 29(1976) 198–200

    Article  Google Scholar 

  4. Troutman, R.R.: IEEE Trans. Electron Devices ED-23 (1976) 419

    Article  Google Scholar 

  5. Kennedy, D.P.; Philips, A.: IEDM 1973 Techn. Digest, Washington, Dez. 1973

    Google Scholar 

  6. Konaka, M. et al: Jpn. J. Appl. Phys. 18(1979) 27

    Google Scholar 

  7. Sing, Y.W.; Sudlow, B.: IEEE, Techn. Digest, Washington 1980, p.732

    Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

  1. Unternehmensbereich Bauelemente, Siemens AG, München, Deutschland

    Dr.-Ing. Dietrich Widmann (Abteilungsleiter)

  2. Fachbereich Elektrotechnik , Fraunhofer-Institut für Mikrostrukturtechnik, Fachhochschule München, Berlin, Deutschland

    Dr.-Ing. Hermann Mader (Professor)

  3. MEGA-Projektes, Siemens AG, München, Deutschland

    Dr.-Ing. Hans Friedrich (Leiter)

Authors
  1. Dr.-Ing. Dietrich Widmann
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

  2. Dr.-Ing. Hermann Mader
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

  3. Dr.-Ing. Hans Friedrich
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 1988 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg

About this chapter

Cite this chapter

Widmann, D., Mader, H., Friedrich, H. (1988). Strukturverkleinerung in der MOS-Technik. In: Technologie hochintegrierter Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 19. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-97059-7_10

Download citation

  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-97059-7_10

  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

  • Print ISBN: 978-3-540-18439-3

  • Online ISBN: 978-3-642-97059-7

  • eBook Packages: Springer Book Archive

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation