Zusammenfassung
Wirkt eine mechanische Spannung auf einen Kristall, so verschieben sich die Atome gegeneinander. Es ändern sich die Gitterkonstanten und auch die Struktur der Leitungs- und Valenzbänder. Haben die Kristalle polare Achsen, so tritt Piezoelektrizität auf, d.h. unter Druck entstehen Ladungen auf Elektroden, die mit den Kristallen verbunden sind. Der Piezoeffekt wirkt nur dynamisch, weil äußere Ladungen immer rasch gegenkompensiert werden. Er wird beschrieben im Kap. 6 dieses Buches. Sensoren, die ihn verwenden, sind rezeptive Sensoren.
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Literatur zu Kapitel 5
Rohrbach, C.: Handbuch für elektrisches Messen mechanischer Größen. Düsseldorf: VDI-Verlag 1967.
Keyes, R. W.: The effects of elastic deformation on the electrical conductivity of semiconductors. Solid State Physics. New York: Academic Press Vol. 11, 1960, p. 149.
Zerbst, M.: Piezoeffekte in Halbleitern. Festkörperprobleme II, Braunschweig: Vieweg 1963, S. 188.
Hock, F.: Der Piezo wider Standseffekt in Halbleitern und seine Anwendung für Kraft-und Dehnungsmessungen. Z. Instr. 73 (1965) 336.
Heywang, W.; Pötzl, H. W.: Bänderstruktur und Stromtransport. Berlin: Springer 1976 (Halbleiter-Elektronik, Band 3).
Wise, K. D.: Vorwort und Arbeiten im Heft No. 1. IEEE Trans. ED 29 (1982) 1.
Mason, W. P.; Thurston, R. N.: Use of piezoresistive materials in the measurement of displacement, force, and torque. J. Acoust. Soc. Am. 29 (1957) 1096.
Pfann, W. G.; Thurston, R. N.: Semiconducting stress transducers utilizing the transverse and shear piezo res i stance effects. J. Appl. Phys. 32 (1961) 2008.
Bretschi, J.: Integrierte Halbleitersysteme zur elektrischen Messung mechanischer Größen. IITB-Mitt. 1973–1974, S. 53.
Müller, R.: Bauelemente der Halbleiter-Elektronik, 2. Aufl., Berlin: Springer 1973 (Halbleiter-Elektronik, Band 2).
Potma, T.: Dehnungsmeßstreifen-Meßtechnik. Philips Fachbücher, Hamburg 1968.
Erler, W.; Walther, L.: Elektrisches Messen nichtelektrischer Größen mit Halbleiter widerständen. Berlin: VEB Verlag Technik 1973.
Bretschi, J.: Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen — Eine Übersicht, Teil I. ATM Blatt J 135–28, Lfg. 458 (März 1974) 57.
Sanchez, J. C.; Wright, W. V.: Recent developments in flexible silicon strain gages. Semiconductor and conventional strain gages. New York: Academic Press 1962, p. 307.
Mason, W. P.; Forst, J. J.; Tornillo, L. M.: Recent developments in semiconductor strain transducers. Semiconductor and conventional strain gages. New York: Academic Press 1962, p. 109.
Gieles, A. C. M.; Somers, G. H. J.: Miniaturdruckwandler mit einer Siliziummembrane. Philips Tech. Rdsch. 33(1973/74) 15.
Timoshenko, S.; Woinowsky-Krieger, S.: Theory of plates and shells. New York: McGraw-Hill 1959.
Druminski, M.; Eckstein, P.; Zerbst, M.: Miniaturdruck-meßwandler mit einer Membrane aus Silizium. DBP 25 41 944.
Eckstein, P.; Jäntsch, O.; Reimann, B.: Miniaturdruckmeß-wandler. DBP 26 17 731.
Zias, A. R.; Hare, W. F. J.: Integration brings a generation of low-cost transducers. Electronics (1972) December 4, 83.
Breimesser, F.; Poppinger, M.; Schwaier, A.: Piezoresistive pressure sensor with silicon diaphragm. Siemens Forsch.-u. Entwieki.-Ber. 10 (1981) 72.
Bretschi, J.: Meßumformer mit integrierten Halbleiter-DMS. Technisches Messen atm J 135–30 (1976) 181.
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Jäntsch, O. (1986). Piezowiderstandseffekte. In: Sensorik. Halbleiter-Elektronik, vol 17. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-96927-0_6
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