Zusammenfassung
Nachfolgend sollen einige Meßverfahren zur Ermittlung elektrischer und physikalischer Halbleiterparameter angegeben werden- Anwendung findet die Halbleitermeßtechnik bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen prinzipiell zur Verbesserung und Überwachung der Kristallherstellung und Kennzeichnung des Grundmaterials durch Angabe des Leitungstyps, der Leitfähigkeit und anderer elektrischer Parameter, sowie zur Überwachung der Veränderungen im Material infolge technologischer Prozesse, z.B. zusätzliche Dotierung zur Herstellung von pn-Übergängen, und Optimierung dieser Prozesse.
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Eine ausführliche Darstellung der Transportphänomene in Halbleitern wird in Band 3 dieser Reihe gegeben.
Die Lichtimpulse werden auf die Mitte der Probe fokussiert, damit eine Beeinflussung der Messung durch Photoeffekte an den Enden des Kristalles (Kontakte) ausgeschaltet wird.
Ist die Ziehachse parallel zu einer Kante der Einheitszelle, so spricht man von <100>-Orientierung des Kristallstabes; ist sie parallel zur Raumdiagonalen, ergibt dies die <lll>-Orientierung des Stabes; <110>-Orientierung liegt vor, wenn die Ziehachse parallel zu einer Flächendiagonalen liegt.
Bei einem neueren Verfahren, der sog. Live-Röntgentopographie, wird der Film durch ein röntgenempfindliches PbO-Vidicon mit nachfolgender Fernseheinheit ersetzt. Damit können Entstehung und Wanderung der Versetzungslinien durch Erwärmung oder mechanische Verspannung des Kristalls bis zu Geschwindigkeiten von 0,3 mm/s direkt auf dem Bildschirm beobachtet werden [6.32].
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Ruge, I. (1984). Meßverfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern. In: Halbleiter-Technologie. Halbleiter-Elektronik, vol 4. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-96782-5_7
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