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Einführung in die Technik der Schaltungsintegration

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Halbleiter-Technologie

Part of the book series: Halbleiter-Elektronik ((HALBLEITER,volume 4))

Zusammenfassung

Nachfolgend wird eine kurze Einführung in die Technik monolithischer Schaltungen gegeben [11.1 bis 11.4]. Diese Schaltungen sind dadurch gekennzeichnet, daß alle Komponenten einer Schaltung auf einer Siliziumscheibe mit denselben technologischen Prozessen hergestellt werden. Als aktive Elemente werden bei monolithischen Schaltungen sowohl bipolare Transistoren (Abschn. 11. l) als auch unipolare Transistoren, also MOS-Transistoren (Abschn. 11.2), verwendet. In Abschn. 11.3 werden diese beiden Grundtypen von integrierten Schaltungen verglichen.

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References

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  4. Verfahren zur Verringerung der Schwellspannungen des MOS-Transistors werden hier nur kurz aufgezählt, da sie zur speziellen Technologie des Einzelbauelements gehören: a) Herstellung der Transistoren auf der <100>-(anstatt der <111>-) Kristalloberfläche; b) Verwendung von Si-Nitrid statt Si-Oxid als Isolator; c) Veränderung der Schwell Spannung durch die Ladung implantierter Ionen; d) Übergang auf n-Kanal-Transistoren.

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  5. Die Dotierung des “Polymaterials” erfolgt gleichzeitig mit der Bordiffusion für die Source-und Drain-Zonen; sie bewirkt eine Erhöhung der Leitfähigkeit des Gate-Kontaktes und ermöglicht eine Einstellung einer bestimmten Schwell Spannung.

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Authors and Affiliations

  1. Lehrstuhl für Integrierte Schaltungen, Technische Universität München, München, Germany

    Dr.-Ing. Ingolf Ruge (o. Professor, Direktor des Instituts für Festkörper-Technologie der Fraunhofer-Gesellschaft)

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  1. Dr.-Ing. Ingolf Ruge
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© 1984 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg

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Ruge, I. (1984). Einführung in die Technik der Schaltungsintegration. In: Halbleiter-Technologie. Halbleiter-Elektronik, vol 4. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-96782-5_12

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  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

  • Print ISBN: 978-3-540-12661-4

  • Online ISBN: 978-3-642-96782-5

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