Zusammenfassung
In diesem Kapitel soll ein Überblick vermittelt werden, mit welchen apparativen Verfahren die physikalischen Ursachen von Fehlern und Schwachstellen auf einem integrierten Schaltkreis zu entdecken sind. Es sind in den vergangenen Jahren eine ganze Reihe von Analysetechniken sowohl weiter- als auch neu entwickelt worden, so daß dem Fehleranalytiker damit ein umfangreiches Instrumentarium zur Verfügung steht. An dieser Stelle können allerdings nur einige wichtige Verfahren angesprochen und andere nur erwähnt werden. Auch eine tiefergehende Beschreibung muß zwangsläufig zu kurz kommen. Vielmehr sollen die Möglichkeiten der physikalischen Fehleranalyse anhand beispielhafter Fotos illustriert werden. Sehr gute und ausführliche Beschreibungen der physikalischen Prinzipien und technischen Einsatzmöglichkeiten findet der interessierte Leser in [9.1, 9.2].
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Tödter, H.P. (1990). Physikalische Analyseverfahren. In: Eggers, J. (eds) Entwurf Kundenspezifischer Integrierter MOS-Schaltungen. Mikroelektronik. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-95601-0_9
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