Technologische Entwicklung

Zusammenfassung

Im Jahre 1946 versuchten Shockley und Pearson, einen Feldeffekttransistor (FET, Field Effect Transistor) auf der Basis von Silizium und Germanium herzustellen. Aufgrund damals noch nicht bekannter Oberflächeneffekte war dieser Versuch zunächst nicht geglückt. Mittlerweile waren Bardeen und Brattain mit dem bipolaren Transistor erfolgreich, so daß die Nutzung des Feldeffekts nicht weiter verfolgt wurde. Shockley arbeitete jedoch weiter an der Lösung der aufgetretenen Probleme und veröffentlichte 1950 einen Artikel über Feldeffekttransistoren mit einem Gate auf der Basis eines pn-Übergangs (Sperrschicht-FET), die aber keine Vorteile gegenüber bipolaren Transistoren aufwiesen. Nachdem die Probleme beim Übergang zwischen SiO₂ und Silizium von Atalla gelöst werden konnten, wodurch der eigentliche MOS-FET (Metal Oxid Semiconductor) mit isoliertem Gate erst ermöglicht wurde, begann ab 1960 mit den ersten integrierten Schaltungen (Integrated Circuit, IC) der sensationelle Siegeszug der MOS-Transistoren.