Weiterentwicklungen des Flächentransistors und andere Transistortypen

  • Wolfgang W. Gärtner

Zusammenfassung

Wenn von einem Transistor gute Hochfrequenzeigenschaften verlangt werden, dann müssen die Laufzeit durch die Basis kurz, der Basiswiderstand klein und die Kapazität des Kollektorübergangs gering sein. Wenn gleichzeitig eine nennenswerte Ausgangsleistung gefordert wird, dann stößt man beim ursprünglichen PNP- und NPN-Transistor auf bestimmte, seiner Struktur anhaftende Grenzen. Zur Erreichung kurzer Laufzeiten muß die Basiszone sehr dünn gemacht werden. Dies erhöht jedoch den Basiswiderstand r B’, der wiederum das Frequenzverhalten durch ein großes Produkt r BC c begrenzt. Erniedrigt man den spezifischen Widerstand in der Basis, um den Basisbahnwiderstand herabzusetzen, dann fällt der Emitterwirkungsgrad. Ist gleichzeitig die Kollektorzone hoch dotiert (wie in allen Legierungsflächentransistoren), dann wird die Kollektordurchbruchspannung niedriger, wodurch die maximale Ausgangsspannung des Transistors eingeschränkt wird. Außerdem ist eine hohe Kollektorkapazität mit ihrer ungünstigen Wirkung auf das Hochfrequenzverhalten die Folge, weil die Raumladungsschicht zwischen zwei (entgegengesetzt) hochdotierten Zonen schmal ist.

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Literaturverzeichnis zu Kapitel 6

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Copyright information

© Springer-Verlag OHG., Berlin/Göttingen/Heidelberg 1963

Authors and Affiliations

  • Wolfgang W. Gärtner
    • 1
    • 2
  1. 1.CBS LaboratoriesStamfordUSA
  2. 2.Solid-State Devices DivisionU.S. Army Signal Research and Development LaboratoryFort MonmouthUSA

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