Bipolare Transistoren

  • Waldemar von Münch
Part of the Technische Physik in Einzeldarstellungen book series (TECHNISCHEPHYSI, volume 16)

Zusammenfassung

Zur Herstellung von GaAs-Transistoren werden die in Kap. 4, 5 und 6 beschriebenen Verfahrensschritte (Vorbereitung des Grundmaterials, Epitaxie, Diffusion, Kontaktierung) in geeigneter Kombination angewandt. Die seitliche Begrenzung der Bauelemente erfolgt — in Anlehnung an die Siliziumtechnologie — entweder durch Ätzung (Mesatechnik) oder durch selektive Diffusion (Planartechnik) unter Verwendung maskierender Schichten bzw. mit räumlicher Begrenzung der Diffusionsquellen. Als Hilfsmittel können dabei die hochentwickelten Methoden der Photolithographie aus der Siliziumtechnologie übernommen werden.

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Literatur Kapitel 8

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Copyright information

© Springer Verlag Berlin Heidelberg 1969

Authors and Affiliations

  • Waldemar von Münch
    • 1
  1. 1.Institut für HalbleitertechnikRheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule AachenDeutschland

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