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Legierungstechnik

  • Waldemar von Münch
Part of the Technische Physik in Einzeldarstellungen book series (TECHNISCHEPHYSI, volume 16)

Zusammenfassung

Durch Kristallisation aus einer nichtstöchiometrischen Ga/As-Schmelze oder einer geeigneten Legierungsschmelze, beispielsweise Sn/Ga/As, können GaAs-Schichten bei relativ niedrigen Temperaturen (600–900 °C) hergestellt werden. Die Anwendung dieses Kristallisationsverfahrens hat u. a. folgende Vorteile:
  1. 1.

    Da die Arbeitstemperatur erheblich geringer ist als bei Kristallisation aus stöchiometrischer Schmelze, wird die Möglichkeit der Aufnahme von Verunreinigungen aus dem Tiegelmaterial eingeschränkt.

     

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Copyright information

© Springer Verlag Berlin Heidelberg 1969

Authors and Affiliations

  • Waldemar von Münch
    • 1
  1. 1.Institut für HalbleitertechnikRheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule AachenDeutschland

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