Zusammenfassung
Durch Kristallisation aus einer nichtstöchiometrischen Ga/As-Schmelze oder einer geeigneten Legierungsschmelze, beispielsweise Sn/Ga/As, können GaAs-Schichten bei relativ niedrigen Temperaturen (600–900 °C) hergestellt werden. Die Anwendung dieses Kristallisationsverfahrens hat u. a. folgende Vorteile:
-
1.
Da die Arbeitstemperatur erheblich geringer ist als bei Kristallisation aus stöchiometrischer Schmelze, wird die Möglichkeit der Aufnahme von Verunreinigungen aus dem Tiegelmaterial eingeschränkt.
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von Münch, W. (1969). Legierungstechnik. In: Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente. Technische Physik in Einzeldarstellungen, vol 16. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-88371-2_6
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