Zusammenfassung
Die Diffusion von Donatoren und Akzeptoren ist eine in der Halbleitertechnologie weit verbreitete Methode zur Herstellung von inhomogenen Störstellenverteilungen, insbesondere in Form von pn-Übergängen. In der Siliziumplanartechnik werden alle Bauelemente (Transistoren, Dioden, Widerstände) im wesentlichen durch Anwendung des Diffusionsverfahrens gefertigt, wobei die maskierende (diffusionshemmende) Wirkung von SiO2-Schichten zur lateralen Begrenzung der Bauelemente dient. Die Diffusionstechnik ist auch ein für die Herstellung von GaAs-Bauelementen wichtiges Hilfsmittel, jedoch müssen bei der Diffusion in Galliumarsenid erhebliche Schwierigkeiten technologischer Natur in Kauf genommen werden.
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von Münch, W. (1969). Diffusionstechnik. In: Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente. Technische Physik in Einzeldarstellungen, vol 16. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-88371-2_5
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