Zusammenfassung
Als Grundmaterial für die Fertigung von Dioden und Transistoren dienen gegenwärtig fast ausschließlich die elementaren Halbleiter Germanium und Silizium. Um den ständig steigenden Anforderungen in vielen Zweigen der Elektronik gerecht zu werden, ist eine fortlaufende Weiterentwicklung der Technologie der Halbleiterbauelemente notwendig. Hierbei sind auch neue Halbleiterwerkstoffe in Betracht zu ziehen. Mit dem Einsatz neuer Halbleiterwerkstoffe wird entweder angestrebt, die Eigenschaften konventioneller Halbleiterbauelemente zu verbessern (z.B. hinsichtlich der Frequenz- und Temperaturgrenzen), oder es sollen Effekte ausgenutzt werden, die in Germanium und Silizium nicht auftreten (z.B. bei Injektionslasern und Gunn-Oszillatoren).
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Welker, H.: Z. Naturforschg. 7a, 744 (1952).
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© 1969 Springer Verlag Berlin Heidelberg
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von Münch, W. (1969). Einleitung. In: Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente. Technische Physik in Einzeldarstellungen, vol 16. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-88371-2_1
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