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Modifizierung von Oberflächen durch Plasma-Verfahren

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Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie

Part of the book series: WFT Werkstoff-Forschung und -Technik ((WFT,volume 6))

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Zusammenfassung

Bisher war im Zusammenhang mit Beschichtungs- und Ätzprozessen vorwiegend von Niederdruckplasmen die Rede, die durch Gleichspannung oder Hochfrequenzspannung im kHz- und im MHz-Bereich erzeugt werden. Seit einigen Jahren nimmt die Bedeutung von durch Mikrowellen im GHz-Bereich erzeugten Plasmen ständig zu, weil diese gegenüber z.B. MHz-Plasmen höhere Ionendichten und damit kürzere Prozeßdauern zu erreichen gestatten. Hinzu kommt, daß Geräte mit Mikrowellenanregung keine Abstimmeinheiten (z.B. Π-Filter für MHzGeneratoren) benötigen und eine platzsparende, kostengünstige Bauweise ermöglichen. Im Teil I dieser Monographie (S. 129) wurde bereits im Zusammenhang mit der Technik des Ionenplattierens eine der ersten Anwendungen eines Mikrowellenplasmas beschrieben [5.1]. In der letzten Zeit hat sich dieses Arbeitsgebiet ganz beträchtlich ausgeweitet, und es stehen jetzt auch kommerzielle Plasmasysteme mit Mikrowellenanregung für die verschiedensten Techniken zur Verfügung. So zum Beispiel für

  • die Beschichtung durch plasmaaktivierte CVD (PACVD), Plasmapolymerisation und Ionenplattieren,

  • die Hochenergie-Ionenimplantation mit Mikrowellen-Ionenquellen,

  • Prozesse zum Ionen- und Plasma-Ätzen, Abtragen und Reinigen von Oberflächen und

  • Oberflächenkonditionierung von Kunststoffen durch Plasmen vor einer möglichen Weiterverarbeitung.

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Authors and Affiliations

  1. Institut für Festkörperphysik, Technischen Universität Graz, Österreich

    Dr. René A. Haefer (Professor, Leiter)

  2. Konzerngruppe Physikalische Grundlagen, Gebrüder Sulzer AG, Winterthur, Schweiz

    Dr. René A. Haefer (Professor, Leiter)

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  1. Dr. René A. Haefer
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Haefer, R.A. (1991). Modifizierung von Oberflächen durch Plasma-Verfahren. In: Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie. WFT Werkstoff-Forschung und -Technik, vol 6. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-87679-0_5

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