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Die technologischen Grundlagen des Transistors

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Der Transistor

Part of the book series: Technische Physik in Einzeldarstellungen ((TECHNISCHEPHYSI,volume 15))

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Zusammenfassung

Germanium und Silizium sind die bis heute wichtigsten Elemente für die Fertigung von Transistoren und anderen Halbleiterbauelementen. Sie stehen in der IV. Gruppe des periodischen Systems der Elemente. Die ersten Elemente in dieser Gruppe sind in der Reihenfolge mit steigendem Atomgewicht geordnet: C, Si, Ge und Sn. Davon kristallisieren Germanium und Silizium ausschließlich im Diamantgitter, das die charakteristische Eigenschaft besitzt, daß die vier unmittelbaren Nachbarn eines herausgegriffenen Atomes auf den Eckpunkten eines gleichseitigen Tetraeders liegen (Abb. 1). Irgendwelche am Einzelatom des Gitters angreifenden Kräfte werden daher sofort nach vier verschiedenen Richtungen abgeleitet. Dadurch erhält das Diamantgitter seine außerordentliche Stabilität und Härte.

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Literaturverzeichnis zu Teil B

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  1. Dr. H. Salow
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Salow, H. (1963). Die technologischen Grundlagen des Transistors. In: Der Transistor. Technische Physik in Einzeldarstellungen, vol 15. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-86174-1_2

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