Advertisement

Die technologischen Grundlagen des Transistors

  • H. Salow
Part of the Technische Physik in Einzeldarstellungen book series (TECHNISCHEPHYSI, volume 15)

Zusammenfassung

Germanium und Silizium sind die bis heute wichtigsten Elemente für die Fertigung von Transistoren und anderen Halbleiterbauelementen. Sie stehen in der IV. Gruppe des periodischen Systems der Elemente. Die ersten Elemente in dieser Gruppe sind in der Reihenfolge mit steigendem Atomgewicht geordnet: C, Si, Ge und Sn. Davon kristallisieren Germanium und Silizium ausschließlich im Diamantgitter, das die charakteristische Eigenschaft besitzt, daß die vier unmittelbaren Nachbarn eines herausgegriffenen Atomes auf den Eckpunkten eines gleichseitigen Tetraeders liegen (Abb. 1). Irgendwelche am Einzelatom des Gitters angreifenden Kräfte werden daher sofort nach vier verschiedenen Richtungen abgeleitet. Dadurch erhält das Diamantgitter seine außerordentliche Stabilität und Härte.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literaturverzeichnis zu Teil B

  1. [1]
    Welker, H.: Z. Naturforschg. 7 a, 744 (1952).ADSGoogle Scholar
  2. [2]
    Seraphin, B.: Z. Naturforschg. 7 a, 450 (1952).Google Scholar
  3. [3]
    Giacoletto, L. J.: RCA Rev. 16, 34 (1955).Google Scholar
  4. [4]
    Gremmelmaier, R.: Z. Naturforschg. 11a, 511 (1956).ADSGoogle Scholar
  5. [5]
    Conwell, E. M.: Proc. Inst. Radio Eng. 40, 1327 (1952).Google Scholar
  6. [6]
    Conwell, E. M., u. V. F. Weisskopf: Phys. Rev. 77, 388 (1950).ADSMATHCrossRefGoogle Scholar
  7. [7]
    Pfann, W. G.: J. Metals 4, 747 (1952).Google Scholar
  8. [8]
    Kohl, G.: Z. Naturforschg. 9a, 913 (1954).ADSGoogle Scholar
  9. [9]
    Bennett, D. C., u. B. Sawyer: Bell Syst. techn. J. 35, 637 (1956).Google Scholar
  10. [10]
    Litton, F. B., u. H. G. Andersen: J. electrochem. Soc. 101, 287 (1954).CrossRefGoogle Scholar
  11. [11]
    Keck, P. H., u. M. J. E. Golay: Phys. Rev. 89, 1297 (1953).ADSGoogle Scholar
  12. [12]
    Busch, G., R. Kern u. U. Winkler: Helv. Physica Acta 26, 390 (1953).Google Scholar
  13. [13]
    Values, L. B.: Proc. Inst. Radio Eng. 42, 420 (1954).Google Scholar
  14. [14]
    Valdes, L. B.: Proc. Inst. Radio Eng. 40, 1420 (1952).Google Scholar
  15. [15]
    Haynes, J. R., u. W. Shockley: Phys. Rev. 81, 835 (1951).ADSCrossRefGoogle Scholar
  16. [16]
    Lederhandler, S. R., u. L. J. Giacoletto: Proc. Inst. Radio Eng. 43, 477 (1955).Google Scholar
  17. [17]
    Haynes, J. R., u. J. A. Hornbeck: Phys. Rev. 90, 152 (1953).ADSCrossRefGoogle Scholar
  18. [18]
    Stevenson, D. T., u. R. J. Keyes: J. appl. Phys. 26, 190 (1955).ADSCrossRefGoogle Scholar
  19. [19]
    Heywang, W., u. M. Zerbst: Nachrichten techn. Fachber. 5, 27 (1956).Google Scholar
  20. [20]
    Spitzer, W. G., u. a.: J. appl. Phys. 26, 414 (1955).ADSCrossRefGoogle Scholar
  21. [21]
    Greninger, A. B.: Z. Kristallkunde 91, 424 (1935).Google Scholar
  22. [22]
    Kurtz, A. D., S. A. Kulin u. B. L. Averbach: J. appl. Phys. 27, 1287 (1956).ADSCrossRefGoogle Scholar
  23. [23]
    Ellis, S. G.: Transistor I, RCA Laboratories 97 (1956).Google Scholar
  24. [24]
    Vogel, F. L., u. L. C. Lovell: J. appl. Phys. 27, 1413 (1956).ADSCrossRefGoogle Scholar
  25. [25]
    Dash, W. C: J. appl. Phys. 27, 1193 (1956).ADSCrossRefGoogle Scholar
  26. [26]
    Jenny, D. A.: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 959 (1958).Google Scholar
  27. [27]
    Gremmelmaier, R., u. H. J. Henkel: Z. Naturforschg. 14a, 1072 (1959).ADSGoogle Scholar
  28. [28]
    Conwell, E. M.: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 1281 (1958).Google Scholar
  29. [29]
    Rösner, O.: Erzbergbau u. Metallhüttenwesen VIII, 1 (1955).Google Scholar
  30. [30]
    Trumbore, F. A.: Bell Syst. techn. J. 39, 205 (1960).Google Scholar
  31. [31]
    Goorissen, J., F. Karstensen u. B. Okkerse: Solid States Physics in Electronics and Telecommunications Vol. 1, Part 1, 23, London und New York 1960.Google Scholar
  32. [32]
    Dash, W. C: J. appl. Phys. 30, 459 (1959).ADSCrossRefGoogle Scholar
  33. [33]
    Keller, W.: Z. angew. Phys. 11, 346, 351 (1959).Google Scholar
  34. [34]
    Burgeat, J.: Solid States Physics in Electronics and Telecommunications Vol. 1, Part 1, 126, London und New York 1960.Google Scholar
  35. [35]
    Jones, R. E., S. C. Wurst jr. u. H. L. Henneke: Colloque International sur les Dispositifs à Semiconductuers. Paris Febr. 1961.Google Scholar
  36. [36]
    Teal, G. K., M. Sparks u. E. Buehler: Proc. Inst. Radio Eng. 40, 906 (1952).Google Scholar
  37. [37]
    Henker, H.: Siemens Z. 29, 29 (1955).Google Scholar
  38. [38]
    Hall, R. N.: J. Phys. Chem. 57, 836 (1953).CrossRefGoogle Scholar
  39. [39]
    Bridgers, H. E.: J. appl. Phys. 27, 746 (1956).ADSCrossRefGoogle Scholar
  40. [40]
    Burton, u. a.: J. Chem. Phys. 21, 1987 (1953).ADSCrossRefGoogle Scholar
  41. [41]
    Pankove, I. E.: Proc. Inst. Radio Eng. 44, 185 (1956).Google Scholar
  42. [42]
    Lesk, I. A., u. R. E. Coffman: J. appl. Phys. 29, 1493 (1958).ADSCrossRefGoogle Scholar
  43. [43]
    Freestone, R.: Proc. Inst, electr. Eng. Ausgabe B: Suppl. 15, Pp 2826-E, 459–462, 470–471.Google Scholar
  44. [44]
    Tanenbaum, M. u. a.: J. appl. Phys. 26, 686 (1955).ADSCrossRefGoogle Scholar
  45. [45]
    Dunlap and Hall: Phys. Rev. 80, 467 (1950).ADSGoogle Scholar
  46. [46]
    Mueller, C. W., u. N. H. Ditrick: RCA Rev. 17, 46 (1956).Google Scholar
  47. [47]
    Pensak, L.: Transistor I, RCA Laboratories, Princeton N.J. 112 (1956).Google Scholar
  48. [48]
    Enderlein, D.: Siemens-Z. 33, 493 (1959).Google Scholar
  49. [49]
    Fuller, C. S., u. J. A. Ditzenberger: J. appl. Phys. 27, 544 (1956).ADSCrossRefGoogle Scholar
  50. [50]
    Morin, F. T., u. J. P. Maita: Phys. Rev. 96, 28 (1954).ADSCrossRefGoogle Scholar
  51. [51]
    Backenstoss, G.: Bell Syst. techn. J. 37, 699 (1958).Google Scholar
  52. [52]
    Smits, F. M.: Ergebn. exakt. Naturwiss. 31, 167 (1959).CrossRefGoogle Scholar
  53. [53]
    Frosch, C. J., u. L. Derick: J. electrochem.-Soc. 105, 695 (1958) und 104, 547 (1957).CrossRefGoogle Scholar
  54. [54]
    Law, J. T., u. C. G. B. Garrett: J. appl. Phys. 27, 656 (1957).ADSCrossRefGoogle Scholar
  55. [55]
    Bradshaw, S. E.: Solid States Physics in Electronics and Telecommunications, Vol. 1, Part 1, 44 London und New York (1960).Google Scholar
  56. [56]
    Kingston, R. H.: Semiconductor Surface Physics, 143, University of Pennsilvania Press 1957.Google Scholar
  57. [57]
    Dillon, J. A.: Bull. Amer. Phys. Soc. 1, 53 (1956).Google Scholar
  58. [58]
    Dillon, J. A., u. H. E. Farnsworth: Phys. Rev. 99, 1643 (1955).Google Scholar
  59. [59]
    Bardeen, J., R. E. Coovert, S. R. Morison, I. R. Schrieffer u. R. Sun: Phys. Rev. 104, 47 (1956).ADSCrossRefGoogle Scholar
  60. [60]
    Kingston, R. H.: J. appl. Phys. 27, 101 (1956).ADSCrossRefGoogle Scholar
  61. [61]
    Wahl, A. J., u. J. J. Kleimack: Proc. Inst. Radio Eng. 44, 494 (1956).Google Scholar
  62. [62]
    Wallmark, J. T., u. R. R. Johnson: RCA Rev. 18, 512 (1957).Google Scholar
  63. [63]
    Markesjö, G., u. H. Bergquist: Königliche Technische Hochschule, Stockholm, Institut für Radiotechnik. Bericht Nr. 66.Google Scholar
  64. [64]
    Ellis, R. C., u. S. P. Wolsky: J. appl. Phys. 24, 1411 (1953).ADSCrossRefGoogle Scholar
  65. [65]
    Garrett, C. G. B., u. W. H. Brattain: Bell. Syst. techn. J. 34, 129 (1955).Google Scholar
  66. [66]
    Turner, D. R.: J. electrochem. Soc. 103, 252 (1956).CrossRefGoogle Scholar
  67. [67]
    Turner, D. R.: J. electrochem. Soc. 105, 402 (1958).CrossRefGoogle Scholar
  68. [68]
    Uhlir, A.: Bell. Syst. Techn. J. 35, 333 (1956).Google Scholar
  69. [69]
    Lesk, J. A., u. R. E. Gonzalez: J. electrochem. Soc. 105, 469 (1958).CrossRefGoogle Scholar
  70. [70]
    Giacoletto, L. J.: RCA Review 15, 506 (1954).Google Scholar
  71. [71]
    Early, J. M.: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 1924 (1958).Google Scholar
  72. [72]
    Tiley, J.W., u. R. A. Williams: Proc. Inst. Radio Eng. 41, 1706 (1953).Google Scholar
  73. [73]
    Kestenbaum, A. L., u. N. H. Ditrick: RCA Rev. 18, 12 (1957).Google Scholar
  74. [74]
    Thortnon, C. G., u. J. B. Angell: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 1166 (1958).Google Scholar
  75. [75]
    Thomas, D. E., u. G. C. Dacey: Trans. Inst. Radio Eng. CT.-3, 22 (1956).Google Scholar
  76. [76]
    Kohl, G., u. K. H. Ginsbach: Solid State Physics, Vol. 2 Semiconductors, Part. 2. London: Academic Press 1047 (1960).Google Scholar
  77. [77]
    Emeis, R., u. A. Herlet: Z. Naturforschg. 12a, 1016 (1957).ADSGoogle Scholar
  78. [78]
    Clark, N. A.: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 1185 (1958).Google Scholar
  79. [79]
    Miller, S. L.: Phys. Rev. 99, 1234 (1955).ADSCrossRefGoogle Scholar
  80. [80]
    Emeis, R., u. A. Herlet: Z. Naturforschg. 12a, 1018 (1957).ADSGoogle Scholar
  81. [81]
    Nelson, J. T., J. E. Iwersen u. F. Keywelj: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 1209 (1958).Google Scholar
  82. [82]
    Nowalk, Th. P.: Electronics 32, 76 (1959).Google Scholar
  83. [83]
    Theuerer, H. C., J. J. Kleimack, H. H. Loar und H. Christensen: Proc. Inst. Radio Eng. 48, 1642 (1960).Google Scholar
  84. [84]
    Wajda, E. S., B. W. Kippenhan u. W. H. White: IBM J. Res. And Development 4, 288 (1960).CrossRefGoogle Scholar
  85. [85]
    Marinace, J. C: IBM J. Res. and Development 4, 248 (1960).CrossRefGoogle Scholar
  86. [86]
    Glang, R., u. B. W. Kippenhan: IBM J. Res. and Development 4, 229 (1960).Google Scholar
  87. [87]
    Ingham, H. S. jr., u. P. J. McDade: IBM J. Res and Development 4, 302 (1960).CrossRefGoogle Scholar
  88. [88]
    Ruth, R. P., J. C. Marinace u. W. C. Dunlap: J. appl. Phys. 31, 995 (1960).ADSCrossRefGoogle Scholar
  89. [89]
    Smiths, F. M.: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 1049 (1958).Google Scholar
  90. [90]
    Jochems, R. J., O. W. Memelink u. L. J. Tammers: Proc. Inst. Radio Eng. 46, 1161 (1958).Google Scholar
  91. [91]
    Weinreich, O., G. Dermit u. T. Tufts: J. appl. Phys. 32, 1170 (1961).ADSCrossRefGoogle Scholar
  92. [92]
    Theuerer, H. C: Bell. Rec. 33, 327 (1955).Google Scholar
  93. [93]
    van der Linden, P. C., U. J. de Jonge: Rec. trav. Chim. 72, 962 (1959).Google Scholar
  94. [94]
    Torrey, H. C., u. C. A. Whitmer: Crystal Rectifiers, New York, London, 301 (1948).Google Scholar
  95. [95]
    Dorendorf, H., u. H. Rebstock: Siemens-Z. 35, 602 (1961).Google Scholar
  96. [96]
    Newman, R. C., u. J. Wakefield: Solid State Physics in Elektronics and Telecommunications, Vol. 1, Part 1, London u. New York, 160 (1960).Google Scholar
  97. [97]
    Hoerni, J.A.: Electron Devices Meeting, Washington D. C., Okt. (1960).Google Scholar
  98. [98]
    Grinich, V. H.: Colloque International sur les Dispositifs à Semiconducteurs, Paris, Febr. 1961.Google Scholar
  99. [99]
    Nall, J. R., u. J.W. Lathro: Solid State Physics in Electronics and Telecommunications, Vol. 2, Part 2, London u. New York, 987 (1960).Google Scholar
  100. [100]
    Allegretti, I. E., D. J. Shomberth, E. Scharschmidt and J. Waldman, Metallurgy of Elemental and Compound Semiconductors, New York, London, 1261 (1961).Google Scholar
  101. [101]
    Theuerer, H. C: J. electrochem. Soc. 108, 649 (1961).CrossRefGoogle Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag OHG., Berlin/Göttingen/Heidelberg 1963

Authors and Affiliations

  • H. Salow

There are no affiliations available

Personalised recommendations