Zusammenfassung
Bisher haben wir nur das Bändermodell des ungestörten Halbleiters betrachtet. Die technische Bedeutung der Halbleiter liegt aber gerade darin, daß ihre Eigenschaften durch Zusätze in weiten Grenzen beeinflußt bzw. gesteuert werden können. Da dies naturgemäß durch jede Art von Gitterstörung auch ungewollt geschieht, müssen bekanntlich extrem hohe Forderungen an Reinheit und Gitterperfektion gestellt werden. Wie diese Forderungen technologisch erfüllt werden können und wie gewünschte Zusätze definiert ins Gitter eingebaut werden, ist Thema des Bandes 4 dieser Buchreihe. Hier soll uns die Frage beschäftigen, welchen Einfluß solche Störungen auf die Struktur der Energiezustände haben und wie dieser zu verstehen ist. Der Einfluß von Gitterstörungen auf die Transporteigenschaften wird in Kap. 4 dieses Bandes behandelt werden.
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© 1991 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg
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Heywang, W., Pötzl, H.W. (1991). Das gestörte Gitter. In: Bänderstruktur und Stromtransport. Halbleiter-Elektronik, vol 3. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-84337-2_4
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-84337-2_4
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