Zusammenfassung
Dieser Band der Reihe “Halbleiter-Elektronik” befaßt sich mit Hochfrequenz-Feldeffekttransistoren, wobei der GaAs-MESFET (Metal-Semiconductor-Field-Effect-Transistor) im Mittelpunkt steht.
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Literaturverzeichnis
Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, 4. Aufl. Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo: Springer 1984.
Müller, R.: Bauelemente der Halbleiter-Elektronik, 2. Aufl. Berlin, Heidelberg, New York: Springer 1979.
Beneking, H.: Feldeffekttransistoren. Berlin, Heidelberg, New York: Springer 1973.
Heywang, W.; Pötzl, W.: Bänderstruktur und Stromtrans- port. Berlin, Heidelberg, New York: Springer 1976.
Tietze, U.; Schenk, Ch.: Halbleiterschaltungstechnik, 6. Aufl. Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo: Springer 1984.
Sze, S. M.: Physics of semiconductor devices. New York: Wiley 1969, 2nd ed. 1981.
Grove, A. S.: Physics and technology of semiconductor devices. New York: Wiley 1967.
Spenke, E.: pn-Übergänge. Berlin, Heidelberg, New York: Springer 1979.
Henisch, H. K.: Rectifying semiconductor contacts. Oxford: Clarendon Press 1957.
van der Ziel, A.: Noise: sources, characterization,measurement. Englewood Cliffs: Prentice Hall 1970.
Müller, R.: Rauschen. Berlin, Heidelberg, New York: Springer 1979.
Ruge, I.: Halbleiter-Technologie, 2. Aufl. Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo: Springer 1984.
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Kellner, W., Kniepkamp, H. (1989). Einleitung. In: GaAs-Feldeffekttransistoren. Halbleiter-Elektronik, vol 16. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-83576-6_1
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