Ausblick

Zusammenfassung

Die Entwicklung wird in den kommenden Jahren einen zunehmenden Grad an Integration anstreben [7. 1, 7.2]. Für die Herstellungstechnik bedeutet das die Erzeugung feinster Strukturen im Silizium sowie in den darüberliegenden Schichten aus Siliziumdioxid, Polysilizium und Aluminium. Bild 7.1 zeigt eine im Jahre 1979 durchgeführte Extrapolation für die Entwicklung der kleinsten Strukturen bis zum Jahre 1986. Bei der optischen Belichtung wird zunächst immer kurzwelligeres Ultraviolettlicht verwendet, bevor man schließlich zur Röntgenstrahlen- oder Elektronenstrahlenbelichtung übergeht. Von der Maske, die sich im Kontakt oder wenig über der Siliziumscheibe (proximity contact) befindet und die Strukturen im Maßstab 1:1 enthält, geht man bei feineren Strukturen immer stärker zu Maskenvorlagen im vergrößerten Maßstab über (10:1), die nur noch die Strukturen für eine einzige Schaltung enthalten. Dabei wird die Siliziumscheibe chipweise belichtet.