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MOS-Bauelemente

  • Karlheinrich Horninger
Chapter
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Part of the Halbleiter-Elektronik book series (HALBLEITER, volume 14)

Zusammenfassung

Die Tabelle 2.1 zeigt die heute in der Technik verwendeten Transistorfamilien. Man hat zwei Hauptgruppen, die stromgesteuerten und die spannungsgesteuerten Transistoren. Die stromgesteuerten Transistoren heißen auch bipolare Transistoren, weil bei ihnen sowohl die Löcher als auch die Elektronen zum Strom beitragen. Bild 2.1 zeigt einen Schnitt durch einen planaren npn-Transistor. Er stellt die integrierbare Form dar. Auf einer p-leitenden Siliziumscheibe von 200 bis 450 µm Dicke befindet sich eine im allgemeinen 6 bis 10 µm dicke durch Epitaxie aufgebrachte n-leitende Siliziumschicht. Sie ist von dem darunterliegenden p-leitenden Substrat durch eine stark n-leitende n+-Schicht, die „vergrabene Schicht“ (buried layer), getrennt. Die epitaxiale Schicht ist homogen n-leitend dotiert und hat einen wesentlich höheren spezifischen Widerstand als das Substrat. Dicke und Dotierung der Epitaxieschicht sind so gewählt, daß sie eine gewünschte Mindestgröße der Kollektorspannung bei nicht zu großem Kollektorwiderstand gewährleisten. Im Betrieb wird die n-leitende Schicht immer positiv gegenüber dem Substrat vorgespannt, damit nur der geringe Sperrstrom zwischen Substrat und epitaxialer Schicht fließt, die epitaxiale Schicht also praktisch vom Substrat isoliert ist. In diese epitaxiale Schicht werden sowohl die p-leitende Basisschicht als auch die noch dünnere n+-leitende Emitterschicht durch Diffusion gebracht. Auf der Epitaxieschicht befindet sich eine etwa 1 µm dicke SiO2-Schicht. Diese hat nur an den angegebenen Stellen Öffnungen, um die Verbindung von Kollektor-, Emitter- und Basisschicht mit den auf ihr liegenden Aluminiumbahnen zu ermöglichen.

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Copyright information

© Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg 1987

Authors and Affiliations

  • Karlheinrich Horninger
    • 1
  1. 1.Zentrale Aufgaben InformationstechnikSiemens AGMünchenDeutschland

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