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Ionenplattieren

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Book cover Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie

Part of the book series: WFT Werkstoff-Forschung und -Technik ((WFT,volume 5))

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Zusammenfassung

Die Idee des Ionenplattierens wurde bereits 1939 von Berghaus [7.1] ausgesprochen, realisiert wurde sie aber erst 1964 durch Mattox [7.2; 7.3], der auch den Begriff „Ion Plating“ prägte. Nach Mattox ist das Ionenplattieren (IP) ein Vakuumbeschichtungs verfahren, bei dem die Substratoberfläche und/oder die sich abscheidende Schicht einem Teilchenstrom hinreichend hoher Energie ausgesetzt wird, um in der Übergangszone Substrat/Schicht (interface) sowie in der Schicht selbst Veränderungen gegenüber Beschichtungen ohne Teilchenbeschuß zu verursachen. Mit dieser Definition wird nur das beschrieben, was am zu beschichtenden Werkstück geschieht, während die Frage nach der Quelle des Schichtmaterials sowie die nach der Quelle des energiereichen Teilchenstroms offen bleibt. Demnach fallen auch das Bias-Sputtern und gewisse Formen des plasmaaktivierten CVD unter den Oberbegriff des Ionenplattierens.

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Literatur zu Kapitel 7

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Authors and Affiliations

  1. Institut für Festkörperphysik der Technischen Universität Graz, Österreich

    Dr. René A. Haefer (Professor, vormals Leiter der Konzerngruppe Physikalische Grundlagen der Gebrüder Sulzer AG)

  2. Winterthur, Schweiz

    Dr. René A. Haefer (Professor, vormals Leiter der Konzerngruppe Physikalische Grundlagen der Gebrüder Sulzer AG)

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  1. Dr. René A. Haefer
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Haefer, R.A. (1987). Ionenplattieren. In: Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie. WFT Werkstoff-Forschung und -Technik, vol 5. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-82835-5_7

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