Skip to main content
SpringerLink
Log in

Power Semiconductor Devices

  • Chapter
Basic Principles of Power Electronics

Part of the book series: EESES Electric Energy Systems and Engineering Series ((ELECTRIC))

Abstract

The converter valves used in solid state based on power electronic systems are designated power semiconductor devices. Here they will be abbreviated as power semiconductors. The most important power semiconductors are silicon diodes, thyristors, and power transistors [3.9, 3.15, 3.16, 3.26, 3.27].

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this chapter

Log in via an institution
Chapter
USD 29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD 39.99
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
Softcover Book
USD 54.99
Price excludes VAT (USA)
  • Compact, lightweight edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

References

  1. Moll, J.L.; Tanenbaum, M.; Goldey, J.M.; Holonyak, N.: P-N-P-N Transistor Switches. Proc. Inst. Radio Eng. 44 (1956) S. 1174–1182

    Google Scholar 

  2. Stumpe, A.C.: Kennlinien der steuerbaren Siliziumzelle, ETZ — A 83, Nr.4 (1962) 81–87 277

    Google Scholar 

  3. Gerlach, W.; Seid, F.: Wirkungsweise der steuerbaren Siliziumzelle. ETZ-A 83, Nr. 8 (1962) 270–277

    Google Scholar 

  4. Stumpe, A.C.: Das Schaltverhalten der steuerbaren Siliziumzelle. ETZ-A 83, Nr. 9 (1962) 291–298

    Article  Google Scholar 

  5. Bösterling, W.; Fröhlich, M.: Die dynamischen Eigenschaften von Thyristoren. AEG-Mitt. 54, Nr. 5 /6 (1964) 459–463

    Google Scholar 

  6. Gerlach, W.: Thyristor mit Querfeld-Emitter. Z. f. angew. Phys. 19, Nr. 5 (1965) 396–400

    Google Scholar 

  7. Köhl, G.: Steuermechanismus und Aufbau bilateral schaltender Thyristoren. Scienta Elektrica 12, Nr. 4 (1966) 123–132

    Google Scholar 

  8. Gerlach, W.; Stumpe, A.C.: Das Schaltverhalten von Thyristoren. VDE-Buchr. Bd.11, 1966, S. 32–51

    Google Scholar 

  9. Bösterling, W.; Sonntag, A.: Ein volldiffundierter Frequenzthyristor für große Einschaltstrombelastbarkeit und hohen Dauergrenzstrom. Techn. Mitt. AEG-TELEF. 59, Nr. 3 /4 (1969) 238–240

    Google Scholar 

  10. Gerlach, W.; Kühl, G.: Thyristoren für hohe Spannungen. Festkürperprobleme IX.: Edit.: Madelung, O. Braunschweig 1969, S. 354–370

    Google Scholar 

  11. Peter, J.M.: Die Grenzen des di/dt von Thyristoren und Schutzmethoden. Elektrie 25 (1971) S. 266–267

    Google Scholar 

  12. Ganner, P.; Kirchner, F.: Schnelle hochsperrende Thyristoren. Siemens-Z. 46, Nr. 11 (1972) 841–843

    Google Scholar 

  13. Steimel, A.: Untersuchungen über das Einschaltverhalten eines neuartigen gatelosen Thyristors. ETZ-A 95 Nr. 5 (1974) 288–289

    Google Scholar 

  14. Meyer, U.: Die heutige und künftige Anwendung von Leistungstransistoren in der Antriebstechnik. Zürich 1974

    Google Scholar 

  15. Herlet, A.; Voss, P.: State of the Art in Power Semiconductor Devices. Invited Paper. IEEE/IAS Conf. Florida 1977

    Google Scholar 

  16. Ginsbach, K.-H.; Silber, D.: Fortschritte und Entwicklungstendenzen bei SiliziumLeistungshalbleitern. ETZ-A 99, Nr. 1 (1978) 11–19

    Google Scholar 

  17. Brisby, K.: Thyristoren für die HGÜ. ASEA Nr.4, Jahrg. 24 (1979) 88–91

    Google Scholar 

  18. Bell, G.; Ladenhauf, W.: SIPMOS Technology, an Example of VLSI Precision Realized with Standard LSI for Power Transistors. Siemens Forsch. u. Entwickl.-Ber. Bd.9, Nr. 4 (1980) 190–194

    Google Scholar 

  19. Severns, R.: MOSFETs rise to new levels of power. Electronica, May 22 (1980) 143–152

    Google Scholar 

  20. Tihanyi, J.: A Qualitative Study of the DC Performance of SIPMOS Transistors. Siemens Forsch.- u. Entwickl.-Ber. Bd.9, Nr. 4 (1980) 181–189

    Google Scholar 

  21. Tihanyi, J.; Huber, P.; Stengl, J.P.: Switching Performance of SIPMOS Transistors. Siemens Forsch.- u. Entwickl.-Ber. Bd.9, Nr. 4 (1980) 195–199

    Google Scholar 

  22. Hebenstreit, E.: Driving the SIPMOS Field-Effect Transistor as a Fast Power Switch. Siemens Forsch.- u. Entwickl.-Ber. Bd.9, Nr. 4 (1980) 200–204

    Google Scholar 

  23. Bösterling, W.; Fröhlich, M.: Frequenzthyristoren im Schwingkreisbetrieb. ETZ 101, Nr. 9 (1980) 537–538

    Google Scholar 

  24. Schrüder, D.: Neue Bauelemente der Leistungselektronik. etz 102, H. 17 (1981) 906–909

    Google Scholar 

  25. Fischer, F.; Conrad, H.: Thyristormodifikationen für hühere Frequenzen, Teil I-IV, Elektrie 35 (1981) H. 2–5

    Google Scholar 

  26. Schlangenotto, H.; Silber, D.; Zeyfang, R.: Halbleiter-Leistungsbauelemente: Untersuchungen zur Physik und Technologie. Wiss. Berg. AEG-TELEF. 55, Nr.1–2 (1982) 7–24

    Google Scholar 

  27. Temple, V.A.K.: Thyristor devices for electric power systems. IEEE Transactions on Power Apparatus and Systems, Vol. PAS-101, No. 7 (1982) 1186–1191

    Google Scholar 

  28. Fischer, F.; Conrad, H.: Leistungs-MOSFETs in der Energieelektronik. Teil I-IV u. Schluü. Elektrie 36 (1982) H. 3

    Google Scholar 

  29. Leipold, L.; Tihanyi, J.: Experimental Study of a SIPMOS Power Field-Effect Transistor with Integrated Input Amplifier. Siemens. Forsch.- u. Entwickl.-Ber. Bd.12, Nr. 5 (1983) 327–331

    Google Scholar 

  30. Bösterling, W.; Fröhlich, M.: Thyristorarten ASCR, RLT und GTO-Technik und Grenzen ihrer Anwendung. etz 104, H. 24 (1983) 1246–1251

    Google Scholar 

  31. Braukmeier, R.: Zwischen Transistor und Thyristor der GTO-Thyristor. etz 104, H. 24 (1983) 1252–1255

    Google Scholar 

  32. Baab, J.; Fischer, F.: Rückwärtsleitende Thyristormodule für Anwendungen bis 25 kHz. etz 104, H. 24 (1983) 1256–1258

    Google Scholar 

  33. Kaesen, K.; Tihanyi, J.: MOS-Leistungstransistoren. etz 104, H. 24 (1983) 1260–1263

    Google Scholar 

  34. Lorenz, L.: Zum Schaltverhalten von MOS-Leistungstransistoren bei ohmsch-induktiver Last. Diss. Hochsch. d. Bundeswehr München 1984

    Google Scholar 

  35. Stein, E.: Elektrische Modelle von Leistungshalbleitern für den Entwurf von Stromrichterstellgliedern. Diss. Univ. Kaiserslautern 1984.

    Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

  1. Institut für Allgemeine Elektrotechnik, Technische Universität Berlin, Einsteinufer 19, D-1000, Berlin 10, Fed. Rep. of Germany

    Prof. Dr.-Ing. Klemens Heumann

Authors
  1. Prof. Dr.-Ing. Klemens Heumann
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 1986 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

About this chapter

Cite this chapter

Heumann, K. (1986). Power Semiconductor Devices. In: Basic Principles of Power Electronics. EESES Electric Energy Systems and Engineering Series. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-82674-0_3

Download citation

  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-82674-0_3

  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

  • Print ISBN: 978-3-642-82676-4

  • Online ISBN: 978-3-642-82674-0

  • eBook Packages: Springer Book Archive

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation