Zusammenfassung
GalnAsP bietet sich als Material für 1,3 µm-Photodioden an, da es mit einer Absorptionskante zwischen 0,95 und 1,70 µm auf InP Substraten gitterangepaßt aufgewachsen werden kann [1]. Diese Photodioden kommen als Empfänger für optische Nachrichtensysteme in Betracht, die bei 1,3 µm arbeiten. Solche Systeme sind wegen der geringen Dämpfung und der verschwindenden Materialdispersion der Lichtleitfasern besonders attraktiv. GalnAsP-Photodioden könnten die in 1,3 µm-Versuchssystemen bisher überwiegend eingesetzten Ge-Photodioden ersetzen, die durch einen hohen Dunkelstrom und starkes Rauschen (bei APD’s) gekennzeichnet sind [2].
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Literatur
M. A. Pollack, R. E. Nahory, J. C. DeWinter, A. A. Ballmann: Appl. Phys. Lett. 33, 314 (1978)
O. Mikami, H. Ando, H. Kanbe, T. Mikawa, T. Kaneda, Y. Toyama: J. Quant. Electr. QE16, 1002 (1980)
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© 1982 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg
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Arnold, G., Deufel, R., Schlosser, E., Schurr, EA. (1982). Empfindliche und schnelle GaInAsP/InP PIN Photodioden für 1,3 µm. In: Waidelich, W. (eds) Optoelektronik in der Technik / Optoelectronics in Engineering. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-81693-2_66
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-81693-2_66
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
Print ISBN: 978-3-540-10969-3
Online ISBN: 978-3-642-81693-2
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