Skip to main content
SpringerLink
Log in

Physik der Lumineszenzdioden

  • Chapter
Optoelektronik I

Part of the book series: Halbleiter-Elektronik ((HALBLEITER,volume 10))

  • 147 Accesses

Zusammenfassung

Die zur Erzeugung von Licht notwendige Anregung eines Halbleiterkristalls wird am einfachsten in einer in Flußrichtung betriebenen Lumineszenzdiode erzielt. Diese enthält einen pn-Übergang, über den jeweils Minoritätsträger in das neutrale p- bzw. n-Gebiet injiziert werden, wo sie sich durch strahlend oder nichtstrahlend erfolgende Rekombinationsprozesse wieder der Gleichgewichtszustand einstellt. Ein der Messung unmittelbar zugängliches Maß für die dabei erzielte Umwandlung von elektrischer in Strahlungsenergie ist der externe Quantenwirkungsgrad, der sich als Quotient aus der Zahl der die Diode in der Zeiteinheit verlassenden Photonen und der in der gleichen Zeit transportierten Ladungsträger ergibt. Dieser Wirkungsgrad wird durch den Quantenwirkungsgrad der strahlenden Rekombination der Minoritätsträger, den Injektionswirkungsgrad und durch den optischen Wirkungsgrad beim Austritt des Lichtes aus dem Kristall bestimmt.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this chapter

Log in via an institution
Chapter
USD 29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD 49.99
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
Softcover Book
USD 59.99
Price excludes VAT (USA)
  • Compact, lightweight edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur zu Kapitel 3

  1. Sze, S.M.: Physics of Semiconductors Devices. New York, London: J. Wiley and Sons 1969

    Google Scholar 

  2. Henry, C.H.; Logan, R.A.; Merritt, F.R.: Origin of n 2 Injection Current in Al„Gai1-xAs Heterojunctions. Appl. Phys. Lett. 31 (1977) 454–456

    Article  Google Scholar 

  3. Ralston, J.M.: Detailed Light-Current-Voltage Analysis of GaP Electroluminescent Diodes. J. Appl. Phys. 44 (1973) 2635–2641

    Article  MathSciNet  Google Scholar 

  4. Archer, R.J.: Materials for Light Emitting Diodes. J. Electron. Mat. (1972) 128–154

    Google Scholar 

  5. Campbell, J.C.; Holonyak, N. Jr.; Craford, M.G.; Keune, D.L.: Band Structure Enhancement and Optimization of Radiative Recombination in GaAs1-xPx: N (and In1-xGaxP: N). J. Appl. Phys. 45 (1974) 4543–4553

    Article  Google Scholar 

  6. Dapkus, P.D.; Hackett, W.H. Jr.; Lorimor, O.G.; Bachrach, R.Z.: Kinetics of Recombination in Nitrogen Doped GaP. J. Appl. Phys. 45 (1974) 4920–4930

    Article  Google Scholar 

  7. Bachrach, R.Z.; Jayson, J.S.: Is Free to Bound Recombination Important in GaP: Zn,O at 300°K? Phys. Rev. B7 (1973) 2540–2545

    Google Scholar 

  8. Cuthbert, J. D.; Thomas, D.G.: Fluorescent Decay Times of Excitons Bound to Isoelectronic Traps in GaP and ZnTe. Phys. Rev. 154 (1967) 763–771

    Article  Google Scholar 

  9. Henry, C.H.; Bachrach, R.Z.; Schumaker, N.E.: Simplified Analysis of Electron-Hole Recombination in Zn-and 0-Doped GaP. Phys. Rev. B 8 (1973) 4761–4767

    Article  Google Scholar 

  10. Rosenzweig, W.; Hackett, W.H. Jr.; Jayson, J.S.: Kinetics of Red Luminescence in GaP. J. Appl. Phys. 40 (1969) 4477–4485

    Article  Google Scholar 

  11. van Opdorp, C.; Werkhoven, C.; Vink, A.T.: A Method to Determine Bulk Lifetime and Diffusion Coefficient of Minority Carriers; Application to n-Type LPE GaP. Appl. Phys. Lett 30 (1977) 40–42

    Article  Google Scholar 

  12. Stern, F.: Transmission of Isotropic Radiation Across an Inter- face Between two Dielectrics. Appl. Opt. 3 (1964) 111–113

    Article  Google Scholar 

  13. Casey, H.C. Jr.; Trumbore, F.A.: Single Crystal Electroluminescent Materials. Mater. Sci. Eng. 6 (1970) 69–109

    Article  Google Scholar 

  14. Kuriyama, T.; Kamiya, T.; Yanai, H.: Effect of Photon Recycling on Diffusion Length and Internal Quantum Efficiency in A1xGa1-xAsGaAs-Heterostructures. Jap. J. Appl. Phys. 16 (1977) 465–477

    Article  Google Scholar 

  15. Carr, W.N.: Photometric Figures of Merit for Semiconductor Luminescent Sources Operating in Spontaneous Mode. Infrared Phys. 6 (1966) 1–19

    Article  Google Scholar 

  16. Carr, W.N.: Characteristics of a GaAs Spontaneous Infrared Source with 40 Per-Cent Efficiency. IEEE Trans. Electr. Dev. ED-12 (1965) 531–535

    Google Scholar 

  17. Fischer, A.G.; Nuese, C.J.: High Refractive Glasses to Improve Electroluminescent Diode Efficiencies. J. Electrochem. Soc. 116 (1969) 1718–1722

    Article  Google Scholar 

  18. Yamamoto, T.; Kawamura, K.: SiO Evaporation on a GaAs Électroluminescent Diode. Proc. IEEE 54 (1966) 1967–1968

    Article  Google Scholar 

  19. Bergh, A.A.; Dean, P.J.: Light Emitting Diodes. Oxford: Clarendon Press 1976

    Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

  1. München, Deutschland

    Dr. rer. nat. Günter Winstel (Leiter des Fachgebietes Festkörperelektronik in den Forschungslaboratorien der Siemens AG) & Dr. phil. Claus Weyrich (Leiter der Fachabteilung Optoelektronische Halbleiter in den Forschungslaboratorien der Siemens AG)

Authors
  1. Dr. rer. nat. Günter Winstel
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

  2. Dr. phil. Claus Weyrich
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 1981 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg

About this chapter

Cite this chapter

Winstel, G., Weyrich, C. (1981). Physik der Lumineszenzdioden. In: Optoelektronik I. Halbleiter-Elektronik, vol 10. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-81377-1_3

Download citation

  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-81377-1_3

  • Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg

  • Print ISBN: 978-3-540-09598-9

  • Online ISBN: 978-3-642-81377-1

  • eBook Packages: Springer Book Archive

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation