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Abbildung mit Sekundär-, Rückstreuelektronen und Probenströmen

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Zusammenfassung

Der wichtigste Kontrasteffekt bei der Abbildung der Oberflächentopographie entsteht aus der Abhängigkeit der SE-Ausbeute δ und des Rückstreukoeffizienten η vom Einfallswinkel α des Elektronenstrahles auf das abzubildende Flächenelement df (Abb. 4.1 a). Der plastische Eindruck der rasterelektronenmikroskopischen Bilder resultiert aus einer lichtoptischen Analogie, bei der die Beleuchtung aus der Richtung des Kollektors und die Betrachtung in Richtung der Einfallsrichtung des Elektronenstrahles erfolgt (Abb. 4.1a u. b). Zusätzlich wird der plastische Eindruck durch Abschattungseffekte (§4.1.2) erhöht. Üblicherweise werden rasterelektronenmikroskopische Bilder daher so wiedergegeben, daß die Richtung zum Kollektor nach oben zeigt. Ein aus der Betrachtungsrichtung erscheinendes Flächenelement df hat in Wirklichkeit die Fläche df/cos α. Nimmt man für den Fall der lichtoptischen Analogie (Abb. 4.1b) eine matte Oberfläche an, welche mit einer Richtcharakteristik proportional cos Θ abstrahlt, so wird in Beobachtungsrichtung eine Leuchtdichte proportional sin a beobachtet. Nach Abb. 4.1c zeigt auch das Videosignal (s. Abb. 3.17) der RE + SE auf einer ebenen Fläche einen monotonen Anstieg mit a. Es ergibt sich jedoch im SE-Bild auch ein Untergrund bei α = 0° und damit eine schwache Bildintensität für α = 0°, was einer zusätzlichen diffusen Beleuchtung entspricht. Bei α nahe 90° wird die SE-Aus-beute stark erhöht.

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Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1977

Authors and Affiliations

  1. 1.Elektronenmikroskopischen Abteilung im Physikalischen Institut der UniversitätMünsterDeutschland
  2. 2.Instituts für Medizinische Physik der UniversitätMünsterDeutschland

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