Zusammenfassung
Dem Schaltungsentwickler steht für seine Arbeit eine umfangreiche Fachliteratur zur Verfügung, wie etwa die bereits in Abschn. 3.2.1 beispielhaft genannten Fachbücher [4.1–4.3], bzw. für analoge CMOS-Schaltungen auch [4.4]. Ziel dieses Kapitels ist, ihn auf Besonderheiten hinzuweisen, die mit dem Einsatz integrierter Schaltungen im Kraftfahrzeug zusammenhängen, insbesondere auf die Forderung nach einem weiten Temperaturbereich.
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Literatur zu Kapitel 4
Rein, H.-M., Ranfft, R.: Integrierte Bipolarschaltungen. Berlin, Springer 1980
Grebene, A.B.: Bipolar and MOS analog integrated circuit design. New York, Wiley & Sons 1984
Gray, P.R., Meyer, R.G.: Analysis and Design of Analog Integrated Cricuits. New York; Wiley & Sons 1984
Allen, P.E., Holberg, D.R.: CMOS Analog Circuit Design. New York, Holt, Rinehart and Winston Inc. 1987
Holland, B., Pippenger, D.: Single-chip linear regulator handles 125-V 1/O differential. Electronic Design, Sept. 17, 1981, pp. 129–133
Wuidart, S.: Intelligente Leistungsschalter für Automobilanwendungen. Elektronik Informationen Nr. 3 - 1988, S. 61/62
Paparo, M.: VB020: Single-Chip-Lösung für elektronische KFZ-Zündsteuerung. Elektronik Informationen Nr. 5-1988, S. 4 und 62–65
DMOS-Schalter in Motorbrücke integriert. Elektronik Praxis Nr. 2-1991, S. 41–49
Baliga, B.J. (Ed.): High Voltage Integrated Circuits. New York, N.Y.: IEEE Press 1988
Engl, W.L. (Ed.): Process And Device Modeling. Amsterdam: Elsevier Science 1986
Selberherr, S.: Analysis and Simulation of Semiconductor Devices. Wien: Springer 1984
Spiro, H.: Simulation integrierter Schaltungen durch universelle Rechnerprogramme. München: Oldenburg 1985
Gummel, H.K., Poon, H.C.: Bell System Technical Journal 49 (1970), p. 827
SABER MANUAL. Beaverton: ANALOGY Inc. 1989
Cae, Grenzgänger: Simulation and Analyse von Schaltungen und Systemen. Jacob, L., President von Analogy im Gespräch. Elektronik Praxis Nr. 24–1991
Seifart, M.: Analoge Schaltungen. Berlin: VEB Verlag Technik 1988, Kap. 10
Van Staa, P., Claus, P., Kienzier, R.: Die Bedeutung leistungsfähiger Bauelementmodelle für die rechnergestützte IC-Entwicklung. GME-Fachbericht 3, S. 31–38 (Vorträge der GME-Fachtagung zum VDE-Kongreß 88 am 18 u. 19. Okt. 1988)
Kienzier, R., van Staa, P., Schmid, E.: DC-Großsignalmodelle integrierter Bipolartransistoren. ntz Archiv, Bd. 10 (1988) H. 9, S. 237–246
Maycock, P.D.: Thermal Conducitivity of Silicon, Germanium, III–V Compounds and Alloys. Technical Report, Corporate Research & Engineering Marketing Intelligence, 1 Febr. 1966
Sze, S.M.: Physics of Semiconducter Devices (See. Ed.). New York: John Wiley & Sons 1981
Latif, M., Bryant, P.R.: Network Analysis Approach to Multidimensional Modeling of Transistors Including Thermal Effects. IEEE Transcations On Computer-Aided Design Of Integrated Circuits And Systems, Vol. CAD-1, No. 2, April 1982
Ehlbeck, H.W.: Festkörperschaltkreise in Hybridtechnik. Frequenz, Bd. 18/1964/Nr. 5, S. 177
Birkner, J.: High Speed/Low Cost Fuse Link Arrays Compete With 74 LS TTL. Dokumentation zum 8. Internationalen Kongress Mikroelektronik, München, 13.–15.11.1978, S. 55–59
Erdi, G.: A Precision Trim Technique for Monolithic Analog Circuits. IEEE Journal Of Solid-State Circuits, Vol. SC-10, No. 6, Dec. 1975
Integrierte Schaltungen für die Konsumelektronik, SAJ 300 R. Freiburg: Intermetall Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH, Datenbuch 1977/78, S. 112–115.
Precision Instrumentation Amplifier AD624. Norwood: Analog Devices, Linear Products Databook, pp. 4–49/60
Stitt, R.M.: Präzisionsdifferenzverstärker mit integrierten Beschaltungswiderständen. Elektroniker Nr. 2/1987, S. 73–78
Dual/Quad Low Noise, High Speed Precision OP Amps LT1124/LT1125. Linear Technology, Preliminary Juli 1991
Middelhoek, S., Audet, S.A.: Silicon Sensors. London: ACADEMIC PRESS LIM. 1989, pp. 105–128
Meijer, G.C.M.: Integrated Cricuits and Components for Bandgap References and Temperature Transducers. Delft: Dissertation an der Technischen Hochschule 1982, p. 18
Parker, D.L.: Laser Production Applications In Microelectronics. Industrial Laser Handbook (Annual Review Of Laser Processing)
Photon-Assisted Programming Technique For Polysilicon Fuses And Anti-Fuses. IBM’ Technical Disclosure Bulletin Vol. 27, No. 10A (March 1985)
Process And Structure For Laser Fuse Blowing. IBM’ Technical Disclosure Bulletin Vol. 31, No. 12 (May 1989)
Halbleitersensoren Mit Offset-Kompensation (Beschreibung des Temperatursensors LM35). Markt und Technik, 5. Okt. 1984
Szluk, N.J., Metz, W.A., Miller, G.W., Moll, M.M.: Process for Forming A Fuse Programmable Read-Only-Memory Device. Europapatent 0262 193 vom 24.07.91 (Anmeldung 16.03.87; US-Priorität 31.03.86)
Hrassky, P.: Abgleicheinrichtung. Deutsches Patent 38 13319 vom 4.02.93 (Anmeldung 20.04.88); SGS-Thomson Microelectronics GmbH, D 8018 Grafing
Vyne, R.L.: Method for Resistor Trimming By Metal Migration. Europatent 0197 955 vom 16.05.90 (Anmeldung 09.09.85; US-Priorität 18.10.84); Motorola Inc., Schaumburg, IL 60196 (US)
Smith, R., Chlipala, J., Bindeis, J., Nelson, R., Fischer, F. and Mantz, T.: Laser Programmable Redundancy And Yield Improvement In A 64K DRAM. IEEE J. of Solid-State Circuits, Vol. SC-16, No. 5, Oct. 1981, pp. 506–514
Hacke, H.-J.: Montage Integrierter Schaltungen. Berlin: Springer 1987
Standard Outlines For Semiconductor Devices. Washington D.C.: JEDEC, JEDEC Publication No. 95 (erscheint jährlich)
Datenblatt für SnCu3InO, 5. Demetron Information
Nelson, C.: New process boosts current levels of monolithic voltage regulator. Electronics, June 30 1981, pp. 111–113
Filensky, W., Beneking, H.: New Technique For Determination Of Static Emitter And Collector Series Resistances Of Bipolar Transistors. Electronics Letters Vol. 17 (1981), No. 14, pp. 503, 504
Conzelmann, G.: Monolithisch integrierte Stromregler für den Gebläsemotor mit Nennströmen bis zu 30 A. VDI Berichte Nr. 819, 1990, S. 731–734
Villa, F.F.: Improved Second Breakdown of Integrated Bipolar Power Transistors. IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-33, Dec. 1983, pp. 171–1976
Villa, F.F.: Leistungstransistor mit verbesserter Sicherheit gegen zweiten Durchbruch. DE OS 37 43 204 vom 14.07.88 (Anmeldung 19.12.87; Priorität IT 22899/86) SGS Microellectronica S.p.A., Catania, IT
Murari, B.: Power Integrated Circuits: Problems, Tradeoffs and Solutions. IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-13, Juni 1978, pp. 307–319
Widlar, B.J.: Kontrollierter zweiter Durchburch in bipolaren Leistungstransistoren. ≫ undoder-nor + Steuerungstechnik ≫ 5/1983, S. 20–24
Arnold, R.P., Zoroglu, D.S.: A Quantitative Study of Emitter Ballasting. IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. ED-21, No. 7, July 1974, pp. 385–391
Widlar, R.J., Yamatake, M.: A Monolithic Power OP Amp. IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 23, No. 2, April 1988, pp. 530–532
Hughes, D.W.: Polycrystalline Silicon Resistors for use in Integrated Circuits. Solid State Technology, May 1987, pp. 139–143
Müller, R.: Dioden. Springer 1973, S. 20–24
Caroll, E.: Dioden: Soft oder Snappy. in Markt und Technik Nr. 28 vom 11.7.1986, S. 68
Murari, B.: Power Integrated Circuits: Problems, Tradeoffs and Solutions. IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-13, Juni 1978, pp. 315, 316
Widlar, R.J.: Controlling Substrate Currents in Junction-Isolated ICs. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 26, No. 8 (Aug. 1991), pp. 1090–97
Arlt, B.: Blitz geschützt, Spannungsfeste Smartpower (Bericht). Elektronik Praxis Nr. 2, 23. Jan. 1992, S. 40–46
Brokaw, A.: A Simple Three-Terminal IC Band-gap Reference. IEEE Journ. of Solid-State Circuits, Bd. SC-9, Nr. 6, Dec. 1974
Tsividis, Y.P.: Accurate Analysis’ of Temperature Effects in Ic-VBE Characteristics with Application to Bandgap Reference Sources. IEEE Journ. of Solid-State Circuits, Bd. SC-15, Nr. 6, Dec. 1980, pp. 1076–1084
Brokaw, A.P.: Geregelte Spannungsquelle. DE 3001552 vom 11.5.1989 (Anmeldung 17.1.80; Priorität US 4014 vom 17.01.1979), Analog Devices Inc., Norwood, Mass., US
Palmer, C.R., Dobkin, P.C.: A Curvature Correlcted Micropower Voltage Reference. In Dig. Techn. Papers, ISSCC, Febr. 1981, pp. 58, 59
Meijer, G.C.M., Schmale, P.C., van Zalinge, K.: A New Curvature-Corrected Bandgap Reference. IEEE Journ. of Solid-State Circuits, Bd. SC-17, Nr. 6, Dec. 1982, pp. 1139–1143
Keßler, G.: Der Gleichspannungs-Röhrenverstärker III, Modulationsschaltungen. Archiv für Technisches Messen (ATM) Z 634-10, Lieferung 204, Jan. 1953
Poujois, R., Baylac, B., Barbier, D., Ittel, J. M.: Low Level MOS Transistor Amplifier Using Storage Techniques. Digest of Techn. Papers IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., Febr. 1973, pp. 152–153
Coln, M.C.W.: Chopper Stabilization of MOS Operational Amplifiers Using Feed-Forward Techniques. IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-16, No. 6, Dec. 1981, pp. 745–748
Zatzkowski, H.: Die Funktionsweise von chopperstabilisierten Operationsverstärkern. Elektronik 12, 13.6.1986, S. 103–106
Goacher, S.: Keine Drift mit chopperstabilisierten OPVs. Elektronik Informationen Nr. 12–1989, S. 86–89
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Conzelmann, G., Kiencke, U. (1995). Hinweise zur Schaltungsentwicklung. In: Mikroelektronik im Kraftfahrzeug. Mikroelektronik. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-73961-3_4
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