Zusammenfassung
Neben die derzeit beherrschenden Techniken Dioden-Transistor-Logik (DTL) und Transistor-Transistor-Logik (TTL) ist inzwischen eine neue Technik mit komplementären MOS — Transistoren (MOS = Metal Oxide Semiconductor, eine Bauvariante der Feldeffekt-Technik) getreten. Während die ersten Techniken auf hohe Schaltgeschwindigkeit hin entwickelt worden sind, allerdings mit dem Nachteil hoher Verlustleistung je Gatter, ist die komplementärsymmetrische MOS-Logik in idealer Weise für alle Anwendungen geeignet, bei denen
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möglichst niedriger Leistungsverbrauch
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große Unempfindlichkeit gegen Störungen und
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eine große Ausgangsverzweigung (Fan out)
benötigt werden. Dafür sind jedoch beim derzeitigen Stand der Technik die Schaltzeiten ungefähr um den Faktor 10 langsamer als die der DTL- bzw. der TTL-Technik.
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© 1971 Springer-Verlag Berlin · Heidelberg
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Hahn, W. (1971). Integrierte MOS-Feldeffekttransistor-Schaltkreise. In: Elektronik-Praktikum für Informatiker. Heidelberger Taschenbücher, vol 85. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-65164-9_8
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-642-65164-9_8
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
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