Zusammenfassung
Das thermische Rauschen tritt in allen Wirkwiderständen auf. Es ist im thermischen Gleichgewicht vorhanden und wird auch in aktiven Bauelementen als unverändert existierend angenommen. Das Schrotrauschen kennzeichnet das Rauschen von Stromimpulsen. Es kann, wie im Kapitel 10 noch gezeigt wird, formal die gesamte Ladungsträgerbewegung in einem begrenzten Volumen beschreiben und damit das „thermische“ Rauschen beinhalten. Darüber hinaus gibt es halbleiterspezifische Rauschmechanismen, die auf statistischen Schwankungen der Ladung beruhen. Beispielsweise ergeben statistische Schwankungen der Majoritätsträgerdichte eine Schwankung des Widerstandes, die bei einer angelegten Gleichspannung zu Schwankungen des Stromes führt. Dieser in Abschnitt 5.4 beschriebene „Modulationseffekt“ ist das erwähnte Stromrauschen.
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Müller, R. (1990). Generations-Rekombinations-Rauschen. In: Rauschen. Halbleiter-Elektronik, vol 15. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-61501-6_6
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