Zusammenfassung
Feldeffekttransistoren (FET) sind gesteuerte Widerstände (z.B. [11, 109]). Daher wird das thermische Rauschen dieser „Widerstände“, der Kanäle, eine dominierende Rolle spielen.
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© 1990 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
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Müller, R. (1990). Feldeffekttransistoren. In: Rauschen. Halbleiter-Elektronik, vol 15. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-61501-6_13
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