Advertisement

Herstellung aktiver Bauelementschichten

  • Werner Prost

Zusammenfassung

Die Herstellung aktiver Schichten ist eine kontrollierte technische Beeinflussung des Halbleiterkristalls in Bezug auf:
  • Dicke,

  • Dotierung mit Fremdatomen

  • und seine stöchiometrische Zusammensetzung (Heterostrukturen).

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur

  1. Abernathy, C.R., Pearton, S.J., Ren, F., Hobson, W.S., Fullowan, T.R., Katz, A., Jordan, A.S., and Kovalchick, J.: Carbon Doping Of III-V Compounds Grown By MOMBE. J. Crystral Growth 105, 375–382 (1990)CrossRefGoogle Scholar
  2. Arnold, N.: Diffusion in Gallium-Arsenid aus Dotierstoffemulsionen“, Dissertation, Universität-GH-Duisburg, 1983Google Scholar
  3. Arthur, J.R.: Interaction of Ga and As2 Molecular Beams with GaAs Surfaces. J. Appl. Phys. 39, 4032 (1968).CrossRefGoogle Scholar
  4. Beneking H.: Halbleitertechnologie. Teubner, 1991Google Scholar
  5. Bimberg, D., Maus, D., Miller, J.N.: Structural changes of the Interface, Enhanced Interface Incorporation of Acceptors, and Luminescence Efficiency Degradation in GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy upon Growth Interruption. J. Vac. Sci. Techn. B4, 1014–1021 (1986)CrossRefGoogle Scholar
  6. Cho, A.Y.: Morphology of Epitaxial Growth of GaAs by a Molecular Beam Method: The Observation of Surface Structures. J. Appl. Phy. 41(7), 2780 (1970)CrossRefGoogle Scholar
  7. Cho, A.Y.: Introduction. In: Parker, E.H.C (ed.): The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy., New York: Plenum Press 1985, pp. 1–13Google Scholar
  8. Coleman, J.J., Dapkus, P.D.: Metalorganic Chemical Vapor Deposition. In: Ferry, D.K. Sams, H.W. & Co (ed.): Gallium Arsenide Technology. Indianopolis, 1985Google Scholar
  9. Davies, G.J., Williams, D.: III-V MBE growth systems. In: Parker, E.H.C (ed.): The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy., New York: Plenum Press 1985, pp 15–44Google Scholar
  10. Esaki, L., Tsu, R.: Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. IBM J. Res. Develop. 14, 61 (1970)Google Scholar
  11. Foxon, C.T.: MBE Growth of GaAs and III/V-alloys. J. Vac. Sci. Techn. B 1 (2), 293–297 (1983)CrossRefGoogle Scholar
  12. Foxon, C.T.: Understanding Growth Mechanisms Using Metallorganic Sources. J. Crystal Growth 105, 87–92 (1990)CrossRefGoogle Scholar
  13. Hiramato, T., Hirakawa, K., Ikoma, T.: Fabrication of one-dimensional GaAs wires by focused ion beam implantation. J. Vac. Sci. Technol. B6 (3), 1014–1017, (1988)Google Scholar
  14. Honig, R.E.: Vapor pressure data for the solid and liquid elements, RCA Review, Dec. 1962Google Scholar
  15. Kellner, W., Kniekamp, H.: GaAs-Feldeffekttransisitoren. Berlin Heidelberg: Springer 1985Google Scholar
  16. Kittel C.: Einführung in die Festkörperphysik. Wien: Oldenbourg 1973Google Scholar
  17. Kudsen, M.: Die Molekularstömung der Gase durch Öffnungen und die Effusion. Ann. Phys. 4(28), 999 (1909)CrossRefGoogle Scholar
  18. Kraus, J.: Hallmessungen an GaAs und AIGaAs Epitaxieschichten aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie. Diplomarbeit, Universität Duisburg, 1988Google Scholar
  19. Kraus, J.: Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von pseudomorphen InyGai_yAsKanalschichten für die Anwendung in Submikron-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren. Dissertation, Gerhard-Mercator-Universität GH Duisburg, 1994Google Scholar
  20. Lindhard, J., Scharff, M., Schiott, H. Kgl. Danske, Vid. Selskab., Mat.-Fgs. Medd. 33, 1963Google Scholar
  21. Ludeke, R., Parker, E.H.C., King, R.M.: MBE Surface and Interface Studies. In: Parker, E.H.C (ed.): The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy., New York: Plenum Press 1985Google Scholar
  22. Manasevit, H.M.: Single-Crystal Gallium Arsenide on insulating Substrates. Appl. Phys. Lett. 12, 156–159 (1968)Google Scholar
  23. Munch, W.v.: Werkstoff der Elektrotechnik. Stuttgart: Teubner 1982Google Scholar
  24. Nottenburg, R.N., Chen, Y.K., Panish, M.B., Humphrey, D.A., Hamm, R.: Hot-Electron InGaAs/InP Heterostructure Bipolar Transistors with fT of 110 GHz IEEE Electron Device Letters, 10 (1) (1989)Google Scholar
  25. Ploog, K.: Molecular Beam Epitaxy of IIIN-Compounds. In: Crystals: Growth, Properties, and Applications, Bd 3, IIUV Semiconductors. Berlin Heidelberg: Springer 1980, pp 73–162Google Scholar
  26. Ploog, K.: Molekularstrahl-Epitaxie von IIIN-Halbleitern. 21 IFF-Ferienkurs: Festkörperforschung für die Informationstechnik, KFA Jülich GmbH, Zentralbibliothek, 1990. Ruge, I: Halbleiter-Technologie. 2nd ed. Berlin Heidelberg: Springer 1984Google Scholar
  27. Schmitt, R.: Herstellung von InP und InGaAs-Feldeffekttransistoren mit diffundiertem p+ - Gate. Dissertation, Universität-GH-Duisburg, 1985Google Scholar
  28. Shur, M.: GaAs Devices and Circuits. New York: Plenum Press 1987Google Scholar
  29. Stringfellow, G.B.: Organometallic Vapor-phase epitaxy. San Diego: Academic Press 1989Google Scholar
  30. Sze S.M.: Physics of Semiconductor Devices. 2nd ed. John Wiley 1981Google Scholar
  31. Tsang, W.T.: From chemical vapor epitaxy to chemical beam epitaxy. J. Crystal Growth 95, 121–131 (1989)CrossRefGoogle Scholar
  32. Tsang, W.T.: Progress in Chemical Beam Epitaxy. J. Crystal Growth 105, 1–29 (1990)CrossRefGoogle Scholar
  33. Tsang, W.T.: A review of CBE, MOMBE and GSMBE. J. Crystal Growth 111, 529–538 (1991)MathSciNetCrossRefGoogle Scholar
  34. Varian INC.: Basic vacuum practice. Vacuum products division, Palo Alto, California. Weisberg, L.R., Blanc J.: Diffusion with interstitial-substitutional equilibrium: Zinc in GaAs. Phys. Rev. 131, 1548 (1963)Google Scholar
  35. Williams, R.E.: Gallium Arsenide Processing Techniques. Artech House, Dedham, 1984Google Scholar
  36. Wutz W., Adam H. Walcher W.: Theorie und Praxis der Vakuumtechnik. Vieweg, Braunschweig 1992Google Scholar
  37. Zrenner, A.: Elektronische Eigenschaften von Dotierschichten in GaAs. Dissertation, Technische Universität München, 1987Google Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1997

Authors and Affiliations

  • Werner Prost
    • 1
  1. 1.Fachbereich ElektrotechnikGerhard-Mercator-UniversitätDuisbergDeutschland

Personalised recommendations