Zusammenfassung
Verbindungshalbleiterschichten des Types AIIIBv werden meist auf GaAs- und InP-Substraten hergestellt. Am Beispiel des GaAs-Substrats sei der Herstellungsprozeß vom Ausgangsmaterial über die Einkristallzucht bis zur Herstellung der kreisförmigen Kristallscheibe, dem Substrat oder Wafer, dargestellt.
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Literatur
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© 1997 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
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Prost, W. (1997). Halbleiterkristallzucht (GaAs). In: Technologie der III/V-Halbleiter. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8_3
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