Zusammenfassung
Der Entwurf integrierter Schaltungen verläuft rechnergestützt. Zur Analyse benutzt man Simulationsmethoden. Für Rechnersimulationen sind theoretisch abgeleitete Modelle nötig, die das elektrische Verhalten der einzelnen Bauelemente im Schaltkreis beschreiben. Abschnitt 4.1 stellt dazu die Stromgleichungen von MOS-Transistoren in einfachster Form (Cob-Sah-Modell, [1]) vor. Das Cob-Sah-Modell vernachlässigt die sog. Kurzkanaleffekte und gilt nur für Bauelemente mit Kanallängen oberhalb von etwa 10 µm. Diese Langkanal-Transistorgleichungen müssen durch geeignete Modifikationen an die heutigen Bauelementgenerationen mit Kanallängen unterhalb von einem Mikrometer angepaßt werden.
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Literatur
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Hope, B. (1999). Transistortheorie und Schaltungstechnik. In: ASIC-Design. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-59818-0_4
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