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Halbleiterbauelemente

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Taschenbuch der Hochfrequenztechnik

Zusammenfassung

Im Rahmen dieses Abschnittes interessieren vorwiegend die elektrischen Eigenschaften der Halbleiter. Es werden daher einige Bemerkungen über das Entstehen und Verschwinden von freien Ladungsträgern sowie über den Leitungsmechanismus in Halbleitern vorausgeschickt. Zum weiteren Eindringen in die Halbleiterphysik wird auf das einschlägige Schrifttum verwiesen z. B. [1 bis 5].

Die Abschnitte 1 bis 4 sind von J. Dosse und H. Henker, die Abschnitte 5 bis 12 von G. Ruthemann, die Abschnitte 13 bis 16 und 22 von E. Hofmeister, die Abschnitte 17 bis 21 und 23 his 25 von J. Dosse bearbeitet

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Literatur zum Hauptabschnitt K

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  1. J. Dosse
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  2. H. Henker
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  3. E. Hofmeister
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  4. G. Ruthemann
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Editors and Affiliations

  1. Instituts für Hochfrequenztechnik, Technischen Hochschule München, Deutschland

    H. Meinke (o. Professor Dr. phil. nat., Direktor) (o. Professor Dr. phil. nat., Direktor)

  2. Instituts für Hochfrequenztechnik, Technischen Universität Berlin, Deutschland

    F. W. Gundlach (o. Professor, Dr.-Ing, Direktor) (o. Professor, Dr.-Ing, Direktor)

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© 1962 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

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Dosse, J., Henker, H., Hofmeister, E., Ruthemann, G. (1962). Halbleiterbauelemente. In: Meinke, H., Gundlach, F.W. (eds) Taschenbuch der Hochfrequenztechnik. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-53228-3_10

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