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Randschichterscheinungen an halbleitenden Kristallen und Chemisorption von Gasen an Festkörpern

  • Conference paper
Reaktionen in und an Festen Stoffen

Part of the book series: Anorganische und Allgemeine Chemie in Einzeldarstellungen ((ANORGANISCHE,volume 2))

Zusammenfassung

Bisher sind alle Fehlordnungserscheinungen in halbleitenden Kristallen in Abhängigkeit von Temperatur und Gasatmosphäre stets unter dem Gesichtspunkt behandelt worden, daß die im gesamten Kristall homogen verteilten Ionen- und Elektronenfehlordnungsstellen mit der den Kristall umgebenden Gasatmosphäre im thermodynamischen Gleichgewicht stehen. Diese Gleichgewichtseinstellung kann durch Wahl einer genügend hohen Versuchstemperatur häufig erreicht werden, wobei die zur Verwirklichung dieser Bedingung erforderliche Temperatur von den Platzwechselgeschwindigkeiten der Ionen- und Elektronenfehlordnungsstellen im Kristall abhängen wird. Die Einstellung eines thermodynamischen Gleichgewichts in endlichen Zeiten ist an eine genügend hohe Platzwechsel- bzw. Diffusionsgeschwindigkeit der Ionenfehlordnungsstellen gebunden.

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© 1955 Springer-Verlag OHG., Berlin/Göttingen/Heidelberg

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Hauffe, K. (1955). Randschichterscheinungen an halbleitenden Kristallen und Chemisorption von Gasen an Festkörpern. In: Reaktionen in und an Festen Stoffen. Anorganische und Allgemeine Chemie in Einzeldarstellungen, vol 2. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-52680-0_4

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