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Eine indirekte Bestimmung des Linienprofils der Hg-Linien in Hg-Ar-Niederdruckentladungen

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Part of the book series: Technisch-wissenschaftliche Abhandlungen der Osram-Gesellschaft ((OSRAM,volume 12))

Zusammenfassung

Absorptionsmessungen der aus einer Hg-Ar-Niederdruckentladung side-on emittierten Hg-Resonanzlinie in Hg-Ar-Gemischen zeigen bereits im mbar-Bereich eine deutliche Abhängigkeit vom Argondruck. Dies gilt bei Druckvariation sowohl im Absorber als auch in der emittierenden Entladung. Es werden Rechnungen für die Absorption der Hg-Resonanzlinie als Funktion des Argondruckes und der Gastemperatur durchgeführt und mit dem Experiment verglichen.

Für das der Absorption zugrunde liegende Linienprofil muß demnach für optisch dicke Linien zusätzlich zur Dopplerverbreiterung auch die Verbreiterung durch das Fremdgas berücksichtigt werden.

Abstract

If a mercury spectral line 253,7 nm from a Hg-Ar low pressure discharge is absorbed in a Hg-Ar mixture, the absorption is influenced by the argon pressure both of the radiation source and the absorbing vessel. We have calculated the absorption of this spectral line as a function of argon pressure and gas temperature and have compared it with experimental data.

It can be demonstrated that the broadening by argon has to be considered for optically thick lines in addition to the Doppler-broadening.

Teil der Dissertation 1975.

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Schipp, F. (1986). Eine indirekte Bestimmung des Linienprofils der Hg-Linien in Hg-Ar-Niederdruckentladungen. In: Hähnel, G. (eds) Technisch-wissenschaftliche Abhandlungen der Osram-Gesellschaft. Technisch-wissenschaftliche Abhandlungen der Osram-Gesellschaft, vol 12. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-52255-0_13

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