Zusammenfassung
Die bisher behandelte Theorie kann offensichtlich weder in Sperr- noch in Durchlaßrichtung unbegrenzt gelten. Auch die besten Isolatoren werden von einigen 106 V cm-1 durchschlagen. Weiter sind viele tausend A cm-2 mindestens wegen Wärmeeffekten nicht tragbar.
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Literatur
Von Cl. Zener 1934 theoretisch behandelt. Siehe auch Fußnote 3 auf S. 65.
Bisher war immer nur von stationären Belastungen die Rede. Für einen Augenblick wollen wir jetzt von dynamischen, in der Zeit verlaufenden Vorgängen sprechen.
Siehe z. B. Chynowth, A. S., in: Semiconductors and Semimetals. Vol. 4, pp. 263–325. Eds.: R. K. Willardson and A. C. Beer. New York, London: Academic Press 1968.
Siehe z. B. Conwell, E. M.: High Field Transport in Semiconductors. New York and London: Academic Press 1967.
Jacobini, C.: Physics of Semiconductors, Proc. 13th Int. Conf. Rome 1976, p. 1195–1205.
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© 1979 Springer-Verlag Berlin, Heidelberg
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Spenke, E. (1979). Die psn-Struktur. Sperrichtung. In: pn-Übergänge. Halbleiter-Elektronik, vol 5. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-52200-0_4
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