Wirkungen der überlagert gepulsten Biasspannung auf die Prozeßbedingungen

Zusammenfassung

In / 11, 107/ wird die Ausbildung der Zone 1 bzw. T der in Kap. 4.3.3 (S. 43 ff) beschriebenen Strukturzonenmodelle von dem kombinierten Parameter E_p abhängig gemacht. Dieser Parame-ter E_p ist direkt proportional zur durchschnittlichen Energie und zur Stromdichte der auftref-fenden Ionen bzw. zur Biasspannung U_Bias und zur Biasstromstärke I_Bias:

$$ {E_P} \sim {E_{ion}}{{{j_{ion}}} \over {{j_m}}} \sim {U_{Bias}} \cdot {I_{Bias}} $$

((6.1))

Beschichtungsversuche mit der überlagert gepulsten Biasspannung sollen zeigen, daß die zur Ausbildung der Zone T benötigte durchschnittliche Teilchenenergie nicht stetig vorhanden sein muß, sondern daß ein schnell getakteter, nicht stetiger Beschuß mit energiereichen Teilchen die erwünschten Effekte bei der Schichtbildung genauso erzielt. Ein Vorteil davon ist, daß nicht so viel Energie in den Prozeß eingebracht wird, wie bei einem andauernden energiereichen Ionen-beschuß, und somit auch keine so starke Erwärmung der Substrate stattfinden kann.