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Schottky-Diode

  • Günther Kesel
  • Jürgen Hammerschmitt
  • Eckhard Lange
Part of the Halbleiter-Elektronik book series (HALBLEITER, volume 8)

Zusammenfassung

Schottky schloß 1939 die Theorie der Verarmungsrandschicht ab [6.1]. Um die Schottkysche Theorie außerhalb der Spitzendioden an planen Metall-Halbleiter-Flächenkontakten technisch zu demonstrieren, bedurfte es eines weiteren technologischen Fortschrittes: der Planartechnik zur Erzeugung kleinster Flächenstrukturen mit einer oxidgeschützten Peripherie (Band 4). Diese Technik steht seit 1960 zur Verfügung.

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Literatur zu Kapitel 6

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Copyright information

© Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 1982

Authors and Affiliations

  • Günther Kesel
    • 1
  • Jürgen Hammerschmitt
    • 1
  • Eckhard Lange
    • 2
  1. 1.Siemens AGMünchenDeutschland
  2. 2.Lehrstuhl für Technische ElektronikTechnischen UniversitätMünchenDeutschland

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