Zusammenfassung
In Abb. 2.1 sind die Versorgungsspannungen für verschiedene bereits existierende und zukünftige Prozesse mit unterschiedlicher minimaler Gatelänge [Bul_00] in doppelt logarithmischem Maßstab dargestellt. Die punktierten Hilfslinien weisen jeweils eine Steigung von eins auf was einem proportionalen Verhalten entspricht. Außerdem ist in Abb. 2.1 die Oxiddicke tox, die Einsatzspannung VT und die Matchingkonstante bezogen auf VT AΔvT dieser Technologien dargestellt, die ein Maß für die auf elementaren physikalischen statistischen Zusammenhängen beruhenden Variation der Schwellenspannung der Transistoren ist [Pelg_89, Pelg_98].
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Sauerbrey, J. (2004). Randbedingungen für das Schaltungsdesign. In: Entwurf analoger CMOS Schaltungen für extrem niedrige Versorgungsspannungen. Halbleiter-Elektronik, vol 22. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-18602-8_2
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