Skip to main content
SpringerLink
Log in

Reliability Aspects and High-Temperature Operation

  • Chapter
Gallium Nitride Electronics

Part of the book series: Springer Series in Materials Science ((SSMATERIALS,volume 96))

  • 3196 Accesses

Abstract

In Chapter 7, nitride-specific device and circuit reliability issues and device failure mechanisms are analyzed and described systematically.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this chapter

Log in via an institution
Chapter
USD 29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD 169.00
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
Softcover Book
USD 219.99
Price excludes VAT (USA)
  • Compact, lightweight edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info
Hardcover Book
USD 219.99
Price excludes VAT (USA)
  • Durable hardcover edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

References

  1. N. Adachi, Y. Tateno, S. Mizuno, A. Kawano, J. Nikaido, S. Sano, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 507–510

    Google Scholar 

  2. M. Adlerstein, J. Gering, IEEE Trans. Electron Devices 47, 434 (2000)

    Article  CAS  Google Scholar 

  3. M. Akita, S. Kishimoto, T. Mizutani, IEEE Electron Device Lett. 22, 376 (2001)

    Article  CAS  Google Scholar 

  4. O. Aktas, A. Kuliev, V. Kumar, R. Schwindt, S. Toshkov, D. Costescu, J. Stubbins, I. Adesida, Solid-State Electron. 48, 471 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  5. N. Ashcroft, N. Mermin, Solid-State Physics (Saunders College, Forth Worth, 1976)

    Google Scholar 

  6. A. Barnes, A. Boetti, L. Marchand, J. Hopkins, in Proceedings of European GaAs and Related Compounds Application Symposium GAAS, Paris, 2005, pp. 5–12

    Google Scholar 

  7. J. Bernat, M. Wolter, P. Javorka, A. Fox, M. Marso, P. Kordos, Solid-State Electron. 48, 1825 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  8. R. Blanchard, A. Cornet, J. del Alamo, IEEE Electron Device Lett. 21, 424 (2001)

    Article  Google Scholar 

  9. R. Blanchard, M. Sommerville, J.D. Alamo, K. Duh, P. Chao, IEEE Trans. Electron Devices 47, 1560 (2000)

    Article  Google Scholar 

  10. J.D. Blauwe, D. Wellekens, G. Groeseneken, L. Haspeslagh, J.V. Houdt, L. Deferm, H. Maes, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2466 (1998)

    Article  Google Scholar 

  11. M. Borgarino, R. Menozzi, Y. Baeyens, P. Cova, F. Fantini, IEEE Trans. Electron Devices 45, 366 (1998)

    Article  CAS  Google Scholar 

  12. K. Boutros, W. Luo, B. Brar, in Reliability of Compound Semiconductors Workshop, San Antonio, 2006, pp. n.a.

    Google Scholar 

  13. K. Boutros, P. Rowell, B. Brar, in Proceedings of the International Reliability Physics Symposium, Phoenix, 2004, pp. 577–578

    Google Scholar 

  14. N. Bovolon, R. Schultheis, J. Müller, P. Zwicknagl, E. Zanoni, IEEE Electron Device Lett. 19, 469 (1998)

    Article  CAS  Google Scholar 

  15. N. Braga, R. Mickevicius, V. Rao, W. Fichtner, R. Gaska, M. Shur, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 149–152

    Google Scholar 

  16. H. Brech, W. Brakensiek, D. Burdeaux, W. Burger, C. Dragon, G. Formicone, B. Pryor, D. Rice, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 359–362

    Google Scholar 

  17. J. Brown, S. Lee, D. Lieu, J. Martin, R. Vetury, M. Poulton, J. Shealy, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Honolulu, 2007, pp. 303–306

    Google Scholar 

  18. S. Cai, Y. Tang, R. Li, Y. Wei, L. Wong, Y. Chen, K. Wang, M. Chen, Y. Zhao, R. Schrimpf, J. Keay, K. Galloway, IEEE Trans. Electron Devices 47, 304 (2000)

    Article  CAS  Google Scholar 

  19. C. Canali, F. Magistral, M. Sangalli, C. Tedesco, E. Zanoni, G. Castellaneta, F. Marchetti, in Proceedings of the International Reliability Physics Symposium, Cardiff, 1991, pp. 206–213

    Google Scholar 

  20. P. Cappelletti, R. Bez, A. Modelli, A. Visconti, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 489–492

    Google Scholar 

  21. P. Chao, W. Hu, H. DeOrio, A. Swanson, W. Hoffmann, W. Taft, IEEE Electron Device Lett. 18, 441 (1997)

    Article  CAS  Google Scholar 

  22. H. Chiu, T. Yeh, S. Yang, M. Hwu, Y. Chan, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1532 (2003)

    Article  CAS  Google Scholar 

  23. Y. Chou, D. Leung, R. Lai, R. Grundbacher, M. Barsky, Q. Kan, R. Tsai, M. Wojtowicz, D. Eng, L. Tran, T. Block, P. Liu, M. Nishimoto, A. Oki, IEEE Trans. Electron Devices 24, 378 (2003)

    Article  CAS  Google Scholar 

  24. Y. Chou, D. Leung, I. Smorchkova, M. Wojtoicz, R. Grundbacher, L. Callejo, Q. Kan, R. Lai, P. Liu, D. Eng, A. Oki, Microelectron. Reliab. 44, 1033 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  25. A. Christou, P. Tang, J.M. Hu, IEEE Trans. Electron Devices 39, 2229 (1992)

    Article  Google Scholar 

  26. K. Chu, P. Chao, M. Pizzella, R. Actis, D. Meharry, K. Nichols, R. Vaudo, X. Xu, J. Flynn, J. Dion, G. Brandes, IEEE Electron Device Lett. 25, 596 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  27. R. Coffie, Y. Chen, P. Smorchkova, Y.C. Chou, M. Wojtowicz, A. Oki, in Proceedings International Reliability Physics Symp. , San Jose, 2006, pp 99–102

    Google Scholar 

  28. R. Coffie, Y. Chen, P. Smorchkova, B. Heying, W. Sutton, Y.C. Chou, W.B. Luo, M. Wojtowicz, A. Oki, in Proceedings International Reliability Physics Symp. , Phoenix, 2007, pp 568–571

    Google Scholar 

  29. A. Conway, M. Chen, P. Hashimoto, P. Willadsen, M. Micovic, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 99–102

    Google Scholar 

  30. J. Cooper Jr., M. Melloch, R. Singh, A. Agarwal, J. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 49, 658 (2002)

    Article  CAS  Google Scholar 

  31. A. Dabiran, A. Osinsky, P. Chow, R. Fitch, J. Gillespie, N. Moser, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, J. LaRoche, F. Ren, S. Pearton, in Proceedings of High Temperature Electronics Conference, Santa Fe, 2006, pp. 329–333

    Google Scholar 

  32. M. Dammann, A. Leuther, R. Quay, M. Meng, H. Konstanzer, W. Jantz, M. Mikulla, Microelectron. Reliab. 44, 939 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  33. M. Dammann, Personal Communication, 2007

    Google Scholar 

  34. A.M. Darwish, A. Bayba, H. Hung, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Honolulu, 2007, pp. 311–314

    Google Scholar 

  35. A. Darwish, B. Hübschman, R.D. Rosario, E. Viveiros, H. Hung, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 145–148

    Google Scholar 

  36. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. Ebeling, E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999)

    Article  CAS  Google Scholar 

  37. P. de Jong, G. Meijer, A. van Roermund, IEEE J. Solid-State Circuits 33, 1999 (1998)

    Article  Google Scholar 

  38. J. del Alamo, A. Villanueva, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 1019–1022

    Google Scholar 

  39. M. die Forte-Poisson, S. Delage, S. Cassette, Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 503 (2001)

    Article  Google Scholar 

  40. D. Dieci, G. Sozzi, R. Menozzi, E. Tediosi, C. Lanzieri, C. Canali, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1929 (2001)

    Article  CAS  Google Scholar 

  41. D. DiSanto, C. Bolognesi, Electron. Lett. 41, 503 (2005)

    Article  CAS  Google Scholar 

  42. Y. Dora, A. Chakraborty, S. Heikman, L. McCarthy, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 7, 529 (2006)

    Article  Google Scholar 

  43. D. Dumka, C. Lee, H. Tserng, P. Saunier, Electron. Lett. 40, 1554 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  44. R. Esfandiari, T. O’Neill, T. Lin, R. Kono, IEEE Trans. Electron Devices 37, 1174 (1990)

    Article  Google Scholar 

  45. M. Faqir, A. Chini, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Rampazzo, G. Meneghesso, E. Zanoni, J. Bernat, P. Kordos, in Reliability of Compound Semiconductors Workshop, San Antonio, 2007, pp. 25–31

    Google Scholar 

  46. M. Fresina, M. Logue, J. Fendrich, T. Rogers, in Proceedings of the International Symposium on GaAs and Related Compounds, Baltimore, 2001, pp. 203–222

    Google Scholar 

  47. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Khan, M. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 494 (1997)

    Article  Google Scholar 

  48. A. Geissberger, M. Fresina, L. Kapitan, C. Baratt, K. Tan, M. Hoppe, D. Streit, T. Block, M. Lammert, A. Oki, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Vancouver, 1999, p. 5.7

    Google Scholar 

  49. D. Gogl, H. Fiedler, M. Spitz, B. Parmentier,

    Google Scholar 

  50. S. Goodmann, F. Auret, F. Koschnick, J. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.12 (1999)

    Google Scholar 

  51. D. Green, S. Gibb, B. Hosse, R. Vetury, D. Grider, J. Smart, J. Cryst. Growth 272, 285 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  52. C. Hatfield, G. Bilbro, S. Allen, J.W. Palmour,

    Google Scholar 

  53. S. Heikman, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 439 (2002)

    Article  CAS  Google Scholar 

  54. J. Hilsenbeck, E. Neubauer, J. Würfl, G. Tränkle, H. Obloh, Electron. Lett. 36, 980 (2000)

    Article  CAS  Google Scholar 

  55. T. Hisaka, Y. Nogami, H. Sasaki, A. Hasuike, N. Yoschida, K. Hayashi, T. Sonada, A. Villanueva, J. del Alamo, in GaAs IC Symposium Technical Digest, San Diego, 2003, pp. 67–70

    Google Scholar 

  56. S. Hsu, P. Valizadeh, D. Pavlidis, in GaAs IC Symposium Technical Digest, Monterey, 2002, pp. 85–88

    Google Scholar 

  57. A. Immorlica, in IMS Workshop WFI: GaN Device and Circuit Reliability, Honolulu, 2007

    Google Scholar 

  58. Y. Inoue, S. Masuda, M. Kanamura, T. Ohki, K. Makiyama, N. Okamoto, K. Imanishi, T. Kikkawa, N. Hara, H. Shigematsu, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Honolulu, 2007, pp. 639–642

    Google Scholar 

  59. JEDEC, Guidelines for GaAs MMIC and FET Life Testing (Electronic Industries Association, Washington DC, 1993), JEP118

    Google Scholar 

  60. J. Jimenez, U. Chowdhury, M. Kao, A. Balistreri, C. Lee, P. Saunier, P. Chao, W. Hu, K. Chu, A. Immorlica, J. del Alamo, J. Joh, M. Shur, in Reliability of Compound Semiconductors Workshop, San Antonio, 2006, pp. n.a.

    Google Scholar 

  61. J. Joh, J. del Alamo, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 415–418

    Google Scholar 

  62. J. Joh, L. Xia, J.A. del Alamo, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 385–388

    Google Scholar 

  63. J. Johnson, J. Gao, K. Lucht, J. Williamson, C. Strautin, J. Riddle, R. Therrien, P. Rajagopal, J. Roberts, A. Vescan, J. Brown, A. Hanson, S. Singhal, R. Borges, E. Piner, K. Linthicum, Proc. Electrochem. Soc. 7, 405 (2004)

    Google Scholar 

  64. A. Jordan, Microelectron. Reliab. 18, 267 (1978)

    Article  Google Scholar 

  65. D. Keogh, P. Asbeck, T. Chung, J. Limb, D. Yoo, J. Ryou, W. Lee, W. Lee, S. Chen, R. Dupuis, Electron. Lett. 42, 661 (2006)

    Article  CAS  Google Scholar 

  66. S. Khanna, J. Webb, A. Houdayer, C. Carlone, IEEE Trans. Nucl. Sci. 47, 2322 (2000)

    Article  CAS  Google Scholar 

  67. T. Kikkawa, K. Imanishi, M. Kanamura, K. Joshin, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, San Diego, 2002, pp. 171–174

    Google Scholar 

  68. T. Kikkawa, M. Kanamura, T. Ohki, K. Imanishi, K. Makiyama, N. Okamoto, N. Hara, K. Joshin, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 91–94

    Google Scholar 

  69. T. Kikkawa, T. Maniwa, H. Hayashi, M. Kanamura, S. Yokokawa, M. Nishi, N. Adachi, M. Yokoyama, Y. Tateno, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1347–1350

    Google Scholar 

  70. H. Kim, V. Tilak, B. Green, H. Cha, J. Smart, J. Shealy, L. Eastman, in Proceedings of the International Reliability Physics Symposium, Nara, 2001, pp. 214–218

    Google Scholar 

  71. G. Koley, H. Kim, L. Eastman, M. Spencer, Electron. Lett. 39, 1217 (2003)

    Article  CAS  Google Scholar 

  72. B. Kopp, T. Axness, C. Moore, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Denver, 1997, pp. 583–586

    Google Scholar 

  73. T. Kunii, M. Totsuka, Y. Kamo, Y. Yamamoto, H. Takeuchi, Y. Shimada, T. Shiga, H. Minami, T. Kitano, S. Miyakuni, S. Nakatsuka, A. Inoue, T. Oku, T. Nanjo, T. Oishi, T. Ishikawa, Y. Matsuda, IEEE JEDEC, 137 (2003)

    Google Scholar 

  74. T. Kunii, M. Totsuka, Y. Kamo, Y. Yamamoto, H. Takeuchi, Y. Shimada, T. Shiga, H. Minami, T. Kitano, S. Miyakuni, S. Nakatsuka, A. Inoue, T. Oku, T. Nanjo, T. Oishi, T. Ishikawa, Y. Matsuda, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Monterey, 2004, pp. 197–200

    Google Scholar 

  75. K. Kurishima, S. Yamahata, H. Nakajima, H. Ito, N. Watanabe, IEEE Electron Device Lett. 19, 303 (1998)

    Article  CAS  Google Scholar 

  76. J. Kuzmik, D. Pogany, E. Gornik, P. Javorka, P. Kordos, Solid-State Electron. 48, 271 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  77. C. Lee, H. Tserng, L. Witkowski, P. Saunier, S. Guo, B. Albert, R. Birkhan, G. Munns, Electron. Lett. 40, 1547 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  78. C. Lee, L. Witkowski, M. Muir, H. Tserng, P. Saunier, H. Wang, J. Yang, M. Khan, in Proceedings of IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices, Newark, 2002, pp. 436–442

    Google Scholar 

  79. C. Lee, L. Wittkowski, H. Tserng, P. Saunier, R. Birkhahn, D. Olson, D. Olson, G. Munns, S. Guo, B. Albert, Electron. Lett. 41, 155 (2005)

    Article  CAS  Google Scholar 

  80. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur (eds.), Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe (Wiley, New York, 2001)

    Google Scholar 

  81. C. Li, J. Duster, K.T. Kornegay, IEEE Electron Device Lett. 24, 72 (2003)

    Article  Google Scholar 

  82. W. Liu, IEEE Trans. Electron Devices 43, 220 (1996)

    Article  Google Scholar 

  83. D. Look, Phys. Stat. Sol. B 228, 293 (2001)

    Article  CAS  Google Scholar 

  84. P. Maaskant, M. Akhter, J. Lambkin, L. Considine, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1822 (2001)

    Article  CAS  Google Scholar 

  85. K. Matsushita, S. Teramoto, H. Sakurai, Y. Takada, J. Shim, H. Kawasaki, K. Tsuda, K. Takagi, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 87–90

    Google Scholar 

  86. G. Meneghesso, E.D. Bortoli, A. Paccagnella, E. Zanoni, C. Canali, IEEE Electron Device Lett. 16, 336 (1995)

    Article  CAS  Google Scholar 

  87. G. Meneghesso, T. Grave, M. Manfredi, M. Pavesi, C. Canali, E. Zanoni, IEEE Trans. Electron Devices 47, 2 (2000)

    Article  CAS  Google Scholar 

  88. G. Meneghesso, F. Rampazzo, P. Kordos, G. Verzellesi, E. Zanoni, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2932 (2006)

    Article  CAS  Google Scholar 

  89. M. Meneghini, L. Trevisanello, S. Levada, G. Meneghesso, G. Tamiazzo, E. Zanoni, T. Zahner, U. Zehnder, V. Härle, U. Strauß, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 1009–1012

    Google Scholar 

  90. S. Mertens, J. del Alamo, IEEE Trans. Electron Devices 49, 1849 (2002)

    Article  CAS  Google Scholar 

  91. J. Mittereder, S. Binari, P. Klein, J. Roussos, D. Katzer, D. Storm, D. Koleske, A. Wickenden, R. Henry, Appl. Phys. Lett. 83, 1650 (2003)

    Article  CAS  Google Scholar 

  92. G. Moore, in IEEE International Solid-State Circuits Conference, vol. XLVI, San Francisco, 2003, pp. 20–23

    Google Scholar 

  93. F. Mu, C. Tan, M. Xu, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2740 (2001)

    Article  Google Scholar 

  94. S. Nakamura, G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin Heidelberg New York, 1997)

    Google Scholar 

  95. R. Narasimhan, L. Sadwick, R. Hwu, IEEE Trans. Electron Devices 46, 24 (1999)

    Article  CAS  Google Scholar 

  96. P. Neudeck, R. Okojie, L. Chen, Proc. IEEE 90, 1065 (2002)

    Article  Google Scholar 

  97. J. Nikaido, T. Kikkawa, E. Mitani, S. Yokokawa, Y. Tateno, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, pp. 97–100

    Google Scholar 

  98. A. Oki, in IMS Workshop WSG: Solid-State Power Invades the Tube Realm, Honolulu, 2007

    Google Scholar 

  99. J. Osvald, J. Kuzmik, G. Konstantinidis, P. Lobotka and A. Georgakilas Microelectronic Engineering, 81, 181, (2005)

    Article  CAS  Google Scholar 

  100. S. Oyama, T. Hashizume, H. Hasegawa Applied Surface Science 190, 322 (2002)

    Article  CAS  Google Scholar 

  101. V. Palankovski, S. Vitanov, R. Quay, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 107–110

    Google Scholar 

  102. J. Palmour, J. Milligan, J. Henning, S. Allen, A. Ward, P. Parikh, R. Smith, A. Saxler, M. Moore, Y. Wu, in Proceedings of European GaAs and Related Compounds Application Symposium GAAS, Amsterdam, 2004, pp. 555–558

    Google Scholar 

  103. N. Pan, J. Elliott, M. Knowles, D. Vu, K. Kishimoto, J. Twynam, H. Sato, M. Fresina, G. Stillman, IEEE Electron Device Lett. 19, 115 (1998)

    Article  CAS  Google Scholar 

  104. M. Papastamatiou, N. Arpatzanis, G. Papaioannou, C. Papastergiou, A. Christou, IEEE Trans. Electron Devices 44, 364 (1997)

    Article  CAS  Google Scholar 

  105. E. Piner, S. Singhal, P. Rajagopal, R. Therrien, J. Roberts, T. Li, A. Hanson, J. Johnson, I. Kizilyalli, K. Linthicum, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 411–414

    Google Scholar 

  106. J. Piprek (ed.), Nitride Semiconductor Devices: Principles and Simulation (Wiley-VCH, Weinheim, 2007)

    Google Scholar 

  107. G. Ponchak, S.K.H. Ho-Chung, in Digest of IEEE Microwave Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium, San Diego, 1994, pp. 69–72

    Google Scholar 

  108. W. Pribble, S. Sheppard, R. Smith, S. Allen, J. Palmour, T. Smith, Z. Ring, J. Sumakeris, A. Saxler, J. Milligan, in IMS Workshop on Wide Bandgap Technologies, Seattle, 2002

    Google Scholar 

  109. F. Rampazzo, R. Pierobon, D. Pacetta, C. Gaquiere, D. Theron, B. Boudart, G. Meneghesso, E. Zanoni, Microelectron. Reliab. 44, 1375 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  110. P. Roblin, H. Rohdin, High-Speed Heterostructure Devices (Cambridge University Press, Cambridge, 2002)

    Google Scholar 

  111. P. Saunier, C. Lee, A. Balistreri, D. Dumka, J. Jimenez, H. Tserng, Y. Kao, P. Chao, K. Chu, A. Souzis, I. Eliashevich, S. Guo, J. del Alamo, J. Joh, M. Shur, in Device Research Conference, South Bend, 2007, pp. 35–36

    Google Scholar 

  112. P. Schmid, K.M. Lipka, J. Ibbetson, N. Nguyen, U. Mishra, L. Pond, C. Weitzel, E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 19, 225 (1998)

    Article  CAS  Google Scholar 

  113. R. Shaw, D. Sanderlin, J. DeJulio, in Reliability of Compound Semiconductors Workshop, San Antonio, 2007, pp. 3–20

    Google Scholar 

  114. J. Shealy, in CSIC-IC Symposium Short Course: Emerging Technologies from Defense to Commercial, Palm Springs, 2005

    Google Scholar 

  115. S. Sheppard, B. Pribble, R. Smith, A. Saxler, S. Allen, J. Milligan, R. Pengelly, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Vancouver, 2006, pp. 175–178

    Google Scholar 

  116. N. Shmidt, D. Davydov, V. Emtsev, I. Krestnikov, A. Lebedev, W. Lundin, D. Poloskin, A. Sakharov, A. Usikov, A. Osinsky, Phys. Stat. Sol. B 216, 533 (1999)

    Article  CAS  Google Scholar 

  117. G. Simin, V. Adivarahan, J. Yang, A. Koudymov, S. Rai, M. Khan, Electron. Lett. 41, 774 (2005)

    Article  CAS  Google Scholar 

  118. R. Singh, D. Capell, M. Das, L. Lipkin, J.W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 50, 471 (2003)

    Article  CAS  Google Scholar 

  119. S. Singhal, A. Chaudhari, A. Hanson, J. Johnson, R.T.P. Rajagopal, T. Li, C. Park, A. Edwards, E. Piner, I. Kizilyalli, K. Linthicum, in Reliability of Compound Semiconductors Workshop, San Antonio, 2006, pp. 21–24

    Google Scholar 

  120. S. Singhal, A. Hanson, A. Chaudhari, P. Rajagopal, T. Li, J. Johnson, W. Nagy, R. Therrien, C. Park, A. Edwards, E. Piner, K. Linthicum, I. Kizilyalli, in Reliability of Compound Semiconductors Workshop, San Antonio, 2006

    Google Scholar 

  121. S. Singhal, T. Li, A. Chaudhari, A. Hanson, R. Therrien, J. Johnson, W. Nagy, J. Marquart, P. Rajagopal, J. Roberts, E. Piner, I. Kizilyalli, K. Linthicum, Microelectron. Reliab. 46, 1247 (2006)

    Article  Google Scholar 

  122. M.H. Sommerville, J.D. Alamo, P. Saunier, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1883 (1998)

    Article  Google Scholar 

  123. A. Sozza, C. Dua, E. Morvan, M. diForte Poisson, S. Delage, F. Rampazzo, A. Tazzoli, F. Danesin, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, B. Grimbert, J.D. Jaeger, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 590–593

    Google Scholar 

  124. A. Sozza, C. Dua, E. Morvan, B. Grimber, S. Delage, Microelectron. Reliab. 45, 1617 (2005)

    Article  Google Scholar 

  125. A. Sozza, C. Dua, E. Morvan, B. Grimbert, V. Hoel, S. Delage, N. Chatuverdi, R. Lossy, J. Wuerfl, Microelectron. Reliab. 44, 1369 (2004)

    Article  CAS  Google Scholar 

  126. A. Stopel, A. Khramtsov, O. Katz, S. Solodky, T. Baksht, Y. Knafo, M. Leibovitch, Y. Shapira, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 14.19

    Google Scholar 

  127. T. Sudarshan, G. Gradinaru, J. Yang, M. Khan, Electron. Lett. 34, 927 (1998)

    Article  CAS  Google Scholar 

  128. T. Suemitsu, Y. Fukai, H. Sugiyama, K. Watanabe, H. Yokoyama, Microelectron. Reliab. 42, 47 (2002)

    Article  Google Scholar 

  129. B. Surridge, J. Law, B. Oliver, W. Pakulski, H. Strackholder, M. Abou-Khalil, G. Bonneville, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, San Diego, 2002, p. 3A

    Google Scholar 

  130. H. Tan, J. Williams, C. Yuan, S. Pearton, in MRS Symposium, Boston, 1996, pp. 807–811

    Google Scholar 

  131. R. Therrien, S. Singhal, J. Johnson, W. Nagy, R. Borges, A. Chaudhari, A. Hanson, A. Edwards, J. Marquart, P. Rajagopal, C. Park, I. Kizilyalli, K. Linthicum, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 568–571

    Google Scholar 

  132. V. Tilak, M. Ali, V. Cimalla, V. Manivannan, P. Sandvik, J. Fedison, O. Ambacher, D. Merfeld, in Proceedings of Materials Research Society Symposium, Warrendale, 2004, pp. 593–597

    Google Scholar 

  133. R. Trew, Y. Liu, W. Kuang, G. Bilbro, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 103–106

    Google Scholar 

  134. G. Umana-Membreno, J. Dell, G. Parish, B. Nener, L. Faraone, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2326 (2003)

    Article  CAS  Google Scholar 

  135. P. Valizadeh, D. Pavlidis, in GaAs IC Symposium Technical Digest, San Diego, 2003, pp. 78–81

    Google Scholar 

  136. P. Valizadeh, D. Pavlidis, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1933 (2005)

    Article  CAS  Google Scholar 

  137. R. Versari, A. Pieracci, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1228 (1999)

    Article  CAS  Google Scholar 

  138. A. Villanueva, J.A. del Alamo, T. Hisaka, T. Ishida in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 393–396

    Google Scholar 

  139. C. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1821 (2002)

    Article  CAS  Google Scholar 

  140. X.W. Wang, W. Zhu, X. Guo, T. Ma, J. Tucker, M. Rao, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 1999, pp. 209–212

    Google Scholar 

  141. A. Ward, in IMS Workshop WFI GaN Device and Circuit Reliability, Honolulu, 2007

    Google Scholar 

  142. C. Wilson, A. O’Neill, S. Baier, J. Nohava, IEEE Trans. Electron Devices 43, 201 (1996)

    Article  CAS  Google Scholar 

  143. J. Würfl, J. Hilsenbeck, E. Nebauer, G. Tränkle, H. Obloh, W. Österle, Microelectron. Reliab. 40, 1689 (2000)

    Article  Google Scholar 

  144. H. Xing, P. Chavarkar, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 24, 141 (2003)

    Article  CAS  Google Scholar 

  145. F. Yamaki, K. Ishii, M. Nishi, H. Haematsu, Y. Tateno, H. Kawata, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 95–98

    Google Scholar 

  146. B. Yang, W. Li, E. Casterline, in Proceedings of the International Symposium on GaAs and Related Compounds, Seattle, 2000, pp. 53–61

    Google Scholar 

  147. S. Yoshida, J. Suzuki, J. Appl. Phys. 85, 7931 (1999)

    Article  CAS  Google Scholar 

  148. L. Yu, Q. Liu, Q. Quao, S. Lau, J. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998)

    Article  CAS  Google Scholar 

  149. E. Zanoni, G. Meneghesso, G. Verzellesi, F. Danesin, M. Meneghini, F. Rampazzo, A. Tazzoli, F. Zanon, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 381–384

    Google Scholar 

Download references

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 2008 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

About this chapter

Cite this chapter

(2008). Reliability Aspects and High-Temperature Operation. In: Gallium Nitride Electronics. Springer Series in Materials Science, vol 96. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5_7

Download citation

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation