Skip to main content
SpringerLink
Log in
Book cover

Gallium Nitride Electronics pp 91–138Cite as

Epitaxy for III-N-Based Electronic Devices

  • Chapter

Part of the book series: Springer Series in Materials Science ((SSMATERIALS,volume 96))

Abstract

For epitaxial growth, both the aluminum and indium-based binary and ternary compounds are described with emphasis on AlGaN/GaN and In--Ga--N-based heterostructure systems in the third chapter. Epitaxial growth techniques such as molecular beam epitaxy (MBE) and metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is analyzed systematically. Nitride-specific material characterization, doping, and material quality issues are analyzed. Substrate properties are reviewed systematically with respect to electronic requirements.

This is a preview of subscription content, log in via an institution.

Chapter
USD   29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD   169.00
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
Softcover Book
USD   219.99
Price excludes VAT (USA)
  • Compact, lightweight edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info
Hardcover Book
USD   219.99
Price excludes VAT (USA)
  • Durable hardcover edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Learn about institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

References

  1. A. Alam, O. Schön, B. Schineller, M. Heuken, H. Jürgensen, Phys. Stat. Sol. A 180, 109 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  2. O. Ambacher J. Physics D 31, 2653 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  3. B. Ansell, L. Harrison, C. Foxon, J. Harris, T. Cheng, Electron. Lett. 36, 1237 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  4. J. Antoszewski, M. Gracey, J. Dell, L. Farone, T. Fisher, G. Parish, Y. Wu, U. Mishra, J. Appl. Phys. 87, 3900 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  5. J. Ao, T. Wang, D. Kikuta, Y. Liu, S. Sakai, Y. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 1588 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  6. A. Armstrong, A. Arehart, B. Moran, S. DenBaars, U. Mishra, J. Speck, S. Ringel, Appl. Phys. Lett. 84, 374 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  7. S. Arulkumaran, M. Miyoschi, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, IEEE Electron Device Lett. 24, 497 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  8. S. Arulkumaran, M. Sakai, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, Y. Kuraoka, M. Tanaka, O. Oda, Appl. Phys. Lett. 81, 1131 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  9. R. Balmer, K. Hilton, K. Nash, M. Uren, D. Wallis, D. Lee, A. Wells, M. Missous, T. Martin, Semicond. Sci. Technol. 19, L65 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  10. J. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, J. Webb, S. Rolfe, J. Lapointe, Electron. Lett. 39, 564 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  11. A. Barnes, D. Hayes, M. Uren, T. Martin, R. Balmer, D. Wallis, K. Hilton, J. Powell, W. Phillips, A. Jimenez, E. Munoz, M. Kuball, S. Rajasingam, J. Pomeroy, N. Labat, N. Malbert, P. Rice, A. Wells, in IMS Workshop Advances in GaN-based Device and Circuit Technology: Modeling and Applications, Fort Worth, 2004

    Google Scholar 

  12. J. Bernat, R. Pierobon, M. Marso, J. Flynn, G. Brandes, G. Meneghesso, E. Zanoni, P. Kordos, Phys. Stat. Sol. C 2, 2676 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  13. J. Bernat, M. Wolter, M. Marso, J. Flynn, G. Brandes, P. Kordos, Electron. Lett. 40, 78 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  14. A. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  15. Z. Bougrioua, M. Azize, P. Lorenzini, M. Laügt, H. Haas, Phys. Stat. Sol. A 202, 536 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  16. P. Bove, H. Lahreche, J. Thuret, F. Letertre, B. Faure, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 4.3

    Google Scholar 

  17. O. Brandt, R. Muralidharan, P. Waltereit, A. Thamm, A. Trambert, H. von Kiedrowski, K. Ploog, Appl. Phys. Lett. 75, 4019 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  18. E. Brazel, M. Chain, V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  19. C. Buchheim, R. Goldhahn, G. Gobsch, K. Tonisch, V. Cimalla, F. Niebelschütz, O. Ambacher Appl. Phys. Lett. 92, 013510 (2008)

    Google Scholar 

  20. C. Buchheim, A. Winzer, R. Goldhahn, G. Gobsch, O. Ambacher, A. Link, M .Eickhoff, M. Stutzmann, Thin Film Solids 450, 155 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  21. C. Bulutay, B. Ridley, N. Zakhleniuk, Phys. Rev. B 62, 15754 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  22. E. Calleja, F. Sanchez, D. Basak, M. Sanchez-Garcia, E. Munoz, I. Izpura, F. Calle, J. Tijero, J. Sanchez-Rojas, Phys. Rev. B 55, 4689 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  23. P. Cantu, S. Keller, U. Mishra, S. DenBaars, J. Appl. Phys. 82, 3683 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  24. H. Chen, R. Feenstra, J. Northrup, J. Neugebauer, D. Greve, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 11 (2001)

    Google Scholar 

  25. A. Chini, R. Coffie, G. Meneghesso, E. Zanoni, D. Buttari, S. Heikman, S. Keller, U. Mishra, Electron. Lett. 39, 625 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  26. A. Chini, S. Rajan, M. Wong, Y. Fu, J. Speck, U. Mishra, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 63–64

    Google Scholar 

  27. A. Chini, J. Wittich, S. Heikman, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 55 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  28. Y. Choi, M.P.H. Cha, B. Peres, M. Spencer, L. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2926 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  29. E. Chumbes, A. Schremer, J. Smart, Y. Wang, N. MacDonalds, D. Hogue, J. Komiak, S. Lichwalla, R. Leoni, J. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 420 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  30. R. Coffie, D. Buttari, S. Heikmann, S. Keller, A. Chini, L. Shen, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 23, 588 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  31. O. Contreras, F. Ponec, J. Christen, A. Dadgar, A. Krost, Appl. Phys. Lett. 81, 4712 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  32. Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, J. Massies, V. Hoel, A. Minko, N. Vellas, C. Gaquiere, J. Jaeger, B. Dessertene, S. Cassette, M. Surrugue, D. Adam, J. Grattepain, R. Aubry, S. Delage, J. Cryst. Growth 251, 811 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  33. A. Corrion, C. Poblenz, P. Waltereit, T. Palacios, S. Rajan, U. Mishra, J. Speck, IEICE Trans.Electron. E89, 906 (2006)

    Google Scholar 

  34. A. Dadgar, A. Strittmatter, J. Bläsing, M. Poschenrieder, O. Contreras, P. Veit, T. Riemann, F. Bertram, A. Reiher, A. Krtschil, A. Diez, T. Hempel, T. Finger, A. Kasic, M. Schubert, D. Bimberg, F. Ponce, J. Christen, A. Krost, Phys. Stat. Sol. B 0, 1583 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  35. E. Danielsson, C. Zetterling, M. Östling, A. Nikolaev, I. Nikitina, V. Dmitriev, IEEE Trans. Electron Devices 48, 444 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  36. R. Davis, A. Roskowski, E. Preble, J. Speck, B. Heying, J. Freitas, E. Glaser, W. Carlos, Proc. IEEE 90, 993 (2004)

    Google Scholar 

  37. Y. Dikme, M. Fieger, F. Jessen, A. Szymakowski, H. Kalisch, J. Woitok, P. van Gemmern, P. Javorka, M. Marso, R. Jansen, M. Heuken, Phys. Stat. Sol. C 0, 2385 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  38. W. Doolittle, S. Kang, A. Brown, Solid-State Electron. 44, 229 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  39. L. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. Green, E. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. Schaff, J. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  40. L. Eastman, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 2273–2275

    Google Scholar 

  41. C. Elsass, T. Mates, B. Heying, C. Poblenz, P. Fini, P. Petroff, S. DenBaars, J. Speck, Appl. Phys. Lett. 77, 3167 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  42. D. Fanning, L. Witkowski, C. Lee, D. Dumka, H. Tserng, P. Saunier, W. Gaiewski, E. Piner, K. Linthicum, J. Johnson, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 8.3

    Google Scholar 

  43. E. Faraclas, S. Islam, A. Anwar, Solid-State Electron. 48, 1849 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  44. Q. Fareed, R. Gaska, J. Mickevicius, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Khan, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, pp. 301–305

    Google Scholar 

  45. Z. Feng, S. Cai, K. Chen, K. Lau, IEEE Electron Device Lett. 26, 870 (2006)

    Google Scholar 

  46. M. Fieger, Y. Dikme, F. Jessen, H. Kalisch, A. Noculak, A. Szymakowski, P.V. Gemmern, B. Faure, C. Richtarch, F. Letertre, M. Heuken, R. Jansen, Phys. Stat. Sol. C 2, 2607 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  47. J. Flynn, D. Keogh, F. Tamweber, M. Chriss, J. Redwing, in WBG Semiconductors Workshop, Copper Mountain, 2000, pp. n.a.

    Google Scholar 

  48. J. Flynn, H. Xin, J. Dion, E. Hutchins, H. Antunes, L. Corso, R.V. Egas, G. Brandes, Phys. Stat. Sol. C 0, 2327 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  49. S. Fu, Y. Chen, Appl. Phys. Lett. 85 1523 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  50. A. Georgakilas, H. Ng, P. Komninou, in Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), Chap. 3, pp. 107–192

    Google Scholar 

  51. P. Gibart, B. Beaumont, P. Vennegues, in Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), Chap. 2, pp. 45–106

    Google Scholar 

  52. J. Gillespie, R. Fitch, N. Moser, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A.C.A. Dabiran, P. Chow, A. Osinsky, M. Mastro, D. Tsvetkov, V. Soukhoveev, A. Usikov, V. Dmitriev, B. Luo, S. Pearton, F. Ren, Solid-State Electron. 47, 1859 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  53. N. Gmeinwieser, K. Engl, P. Gottfriedsen, U. Schwarz, J. Zweck, W. Wegscheider, S. Miller, H. Lugauer, A. Leber, A. Weimar, A. Lell, V. Härle, J. Appl. Phys. 96, 3666 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  54. W. Götz, N. Johnson, D. Bour, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler, in MRS Symposium, First International Conference on Nitride Semiconductors, vol. 395, Boston, 1996, pp. 443–454

    Google Scholar 

  55. W. Götz, N. Johnson, M. Bremser, R. Davis, Appl. Phys. Lett. 69, 2379 (1996)

    Google Scholar 

  56. W. Götz, N. Johnson, C. Chen, H. Liu, C. Kuo, W. Imler, J. Appl. Phys. 68, 3144 (1996)

    Google Scholar 

  57. D. Green, , S. Gibb, B. Hosse, R. Vetury, D. Grider, J. Smart, J. Cryst. Growth 285, 3144 (2004)

    Google Scholar 

  58. P. Grudowski, A. Holmes, C. Eiting, R. Dupuis, J. Appl. Phys. 69, 3626 (1996)

    CAS  Google Scholar 

  59. A.D. Hanser, R.F. Davis in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. B2.2, pp. 386–395

    Google Scholar 

  60. P. Hansen, Y. Strausser, A. Erickson, E. Tarsa, P. Kozodoy, E. Brazel, J. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. DenBaars, J. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  61. A. Hanson, S. Stockman, G. Stillman, IEEE Electron Device Lett. 13, 504 (1992)

    CAS  Google Scholar 

  62. T. Hashizume, J. Appl. Phys. 94, 431 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  63. S. Heikman, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 439 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  64. S. Heikman, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 2002

    Google Scholar 

  65. E. Henriksen, S. Syed, Y. Ahmadian, M. Manfra, K. Baldwin, A. Sergent, R. Molnar, H. Stormer, Appl. Phys. Lett. 86, 252108 (2005)

    Google Scholar 

  66. B. Heying, R. Averbeck, L. Chen, E. Haus, H. Riechert, J. Speck, J. Appl. Phys. 88, 1855 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  67. B. Heying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, S. DenBaars, U. Mishra, J. Speck, Appl. Phys. Lett. 77, 2885 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  68. A. Hierro, A. Arehart, B. Heying, M. Hansen, U. Mishra, S. DenBaars, J. Speck, S. Ringel, Appl. Phys. Lett. 80, 805 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  69. A. Hierro, A. Arehart, B. Heying, M. Hansen, J. Speck, U. Mishra, S. Denbaars, S. Ringel, Phys. Stat. Sol. B 228, 309 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  70. M. Higashiwaki, S. Anantathanasarn, N. Negoro, E. Sano, H. Hasegawa, K. Kumakura, T. Makimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1147 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  71. M. Higashiwaki, T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L540 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  72. M. Higashiwaki, T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L768 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  73. M. Higashiwaki, T. Matsui, J. Cryst. Growth 252, 128 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  74. M. Higashiwaki, T. Matsui, J. Cryst. Growth 251, 494 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  75. M. Higashiwaki, T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1147 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  76. M. Higashiwaki, T. Matsui, J. Cryst. Growth 269, 162 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  77. M. Higashiwaki, T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L475 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  78. T. Inoue, T. Nakayama, Y. Ando , M. Kosaki, H. Miwa, K. Hirata , T. Uemura , H. Miyamoto, IEEE Trans. Electron Devices 55, 483 (2008)

    CAS  Google Scholar 

  79. P. Javorka, A. Alam, M. Wolter, A. Fox, M. Marso, M. Heuken, H. Lüth, P. Kordos, Electron. Lett. 23, 4 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  80. D. Jena, A. Gossard, U. Mishra, J. Appl. Phys. 88, 4734 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  81. D. Jena, A. Gossard, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 76, 1707 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  82. D. Jena, I. Smorchkova, A. Gossard, U. Mishra, Phys. Stat. Sol. B 228, 617 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  83. C. Jeon, J. Lee, J. Lee, J. Lee, IEEE Electron Device Lett. 25, 120 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  84. G. Jessen, J. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, J. Wasserbauer, F. Faili, D. Francis, D. Babic, F. Ejeckam, S. Guo, I. Eliashevich, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 271–274

    Google Scholar 

  85. S. Jia, Y. Dikme, D. Wang, K. Chen, K. Lau, M. Heuken, IEEE Electron Device Lett. 26, 130 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  86. M. Johnson, Z. Yu, J. Brown, N. El-Masry, J. Cook, J. Schetzina, J. Electron. Mater. 28, 295 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  87. M. Kamp, H. Riechert in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. B2.8, pp. 426–439

    Google Scholar 

  88. S. Karpow, Y. Kovalchuck, V. Myachin, Y. Pogorelskii, J. Cryst. Growth 129, 563 (1993)

    Google Scholar 

  89. D. Katzer, S. Binari, D. Storm, J. Roussos, B. Shanabrook, E. Glaser, Electron. Lett. 38, 1740 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  90. D. Katzer, D. Storm, S. Binari, J. Roussos, B. Shanabrook, E. Glaser, J. Cryst. Growth 253, 481 (2003)

    Google Scholar 

  91. D. Katzer, D. Storm, S. Binari, B. Shanabrook, A. Torabi, L. Zhou, D. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1204 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  92. S. Keller, G. Parish, P. Fini, S. Heikman, C. Chen, N. Zhang, S. DenBaars, U. Mishra, Y. Wu, J. Appl. Phys. 86, 5850 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  93. S. Keller, R. Vetury, G. Parish, S. DenBaars, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 78, 3088 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  94. S. Keller, Y. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. Xu, B. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 552 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  95. D. Kelly, C. Brindle, C. Kemerling, M. Stuber, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 200–203

    Google Scholar 

  96. T. Kikkawa, K. Imanishi, M. Kanamura, K. Joshin, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 77–80

    Google Scholar 

  97. T. Kikkawa, T. Maniwa, H. Hayashi, M. Kanamura, S. Yokokawa, M. Nishi, N. Adachi, M. Yokoyama, Y. Tateno, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Fort Worth, 2004, pp. 1347–1350

    Google Scholar 

  98. T. Kikkawa, M. Nagahara, T. Kimura, S. Yokokawa, S. Kato, M. Yokoyama, Y. Tateno, K. Horino, K. Domen, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 1815–1818

    Google Scholar 

  99. A. Kikuchi, R. Bannai, K. Kishino, Phys. Stat. Sol. A 188, 187 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  100. L. Kirste, S. Moller, R. Kiefer, R. Quay, K. Köhler, N. Herres, Appl. Surf. Science 253, 209 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  101. W. Knap, E. Borovitskaya, M. Shur, L. Hsu, W. Walukiewicz, E. Frayssinet, P. Lorenzini, N. Grandjean, C. Skierbiszewski, P. Prystawko, M. Leszczynski, I. Grzegory, Appl. Phys. Lett. 80, 1228 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  102. K. Köhler, S. Müller, N. Rollbühler, R. Kiefer, R. Quay, G. Weimann, in Proceedings of the International Symposium on Compound Semiconductors, Lausanne, 2003, pp. 235–238, ed. by M. Ilegems

    Google Scholar 

  103. D. Koleske, R. Henry, M. Twigg, J. Culbertson, S. Binari, A. Wickenden, M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 80, 4372 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  104. N. Kolias, T. Kazior, in IMS Workshop Advances in GaN-based Device and Circuit Technology: Modeling and Applications, Fort Worth, 2004

    Google Scholar 

  105. P. Kozodoy, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 1999

    Google Scholar 

  106. P. Kozodoy, Y. Smorchkova, M. Hansen, H. Xing, S. DenBaars, U. Mishra, A. Saxler, R. Perrin, W. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 75, 2444 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  107. J. Kuzmik, A. Kostopoulos, G. Konstantinidis, J. Carlin, A. Georgakilas, D. Pogany, IEEE Trans. Electron Devices 53, 422 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  108. R. Langer, B. Faure, A. Boussagol, P. Bove, H. Lahreche, A. Wilk, J. Thuret, F. Letertre, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Vancouver, 2006, p. 4E

    Google Scholar 

  109. J. LaRoche, B. Luo, F. Ren, K. Baik, D.D. Stodilka, B. Gila, C. Abernathy, S. Pearton, A. Usikov, D. Tsevtkov, V. Soukhoveev, G. Gainer, A. Rechnikov, V. Dimitriev, G. Chen, C. Pan, J. Chyi, Solid-State Electron. 48, 193 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  110. M. Lee, J. Sheu, Y. Su, S. Chang, W. Lai, G. Chi, IEEE Electron Device Lett. 25, 593 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  111. W. Lee, N.J. Ryou, J. Limb, R. Dupuis, D. Hanser, E. Preble, N. Williams, K. Evans, Appl. Phys. Lett. 90, 093509 (2007)

    Google Scholar 

  112. C. Li, I. Bhat, R. Wang, J. Seiler, J. Electron. Mater. 33, 481 (2004)

    Google Scholar 

  113. T. Li, R. Campion, C. Foxon, S. Rushworth, L. Smith, J. Cryst. Growth 251, 499 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  114. J. Liu, Y. Zhou, R. Chu, Y. Cai, K. Chen, K. Lau, IEEE Electron Device Lett. 26, 145 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  115. J. Liu, Y. Zhou, J. Zhu, K. Lau, K. Chen, IEEE Electron Device Lett. 27, 10 (2006)

    Google Scholar 

  116. J. Liu, Y. Zhou, J. Zhu, Y. Cai, K. Lau, K. Chen, IEEE Trans. Electron Devices 54, (2007)

    Google Scholar 

  117. K. Liu, T. Tezukab, S. Sugitab, Y. Watarib, Y. Horikoshib, Y. Sua, S. Changa J. Cryst. Growth 263, 400 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  118. D. Look, Phys. Stat. Sol. B 228, 293 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  119. D. Look, Z. Fang, L. Polenta, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, W10.5 (2000)

    Google Scholar 

  120. D. Look, J. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  121. H. Lu, I. Bhat, in MRS Symposium, First International Conference on Nitride Semiconductors, vol. 395, Boston, 1996, pp. 497–502

    Google Scholar 

  122. N. Maeda, T. Saitoh, K. Tsubaki, T. Nishida, K. Kobayashi, Phys. Stat. Sol. B 216, 727 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  123. M. Maestro, D. Tsvetkov, V. Soukhoveev, A. Usikov, V. Dmitriev, B. Luo, F. Ren, K. Baik, S. Pearton, Solid-State Electron. 47, 1075 (2003)

    Google Scholar 

  124. M. Manfra, N. Weimann, Y. Bayens, P. Roux, D. Tennant, Electron. Lett. 39, 694 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  125. M. Manfra, N. Weimann, O. Mitrofanov, T. Wächtler, D. Tennant, Phys. Stat. Sol. A 200, 175 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  126. K. Matsushita, H. Sakurai, H. Kawasaki, Y. Takada, T. Sasaki, K. Tsuda, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 4.2

    Google Scholar 

  127. L. McCarthy, I. Smorchkova, H. Xing, P. Fini, S. Keller, J. Speck, S. DenBaars, M. Rodwell, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 78, 2235 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  128. L.S. McCarthy, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 2001

    Google Scholar 

  129. G. Meneghesso, C. Ongaro, E. Zanoni, C. Brylinski, M. di Forte-Poisson, V. Hoel, J. de Jaeger, R. Langer, H. Lahreche, P. Bove, J. Thorpe, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 807–810

    Google Scholar 

  130. F. Medjdoub, N. Sarazin, M. Tordjman, M. Magis, M. di Forte-Poisson, M. Knez, E. Delos, C. Gaquiere, S. Delage, E. Kohn, Electronics Lett. 43 691 (2007)

    CAS  Google Scholar 

  131. M. Micovic, P. Hashimoto, M. Hu, I. Milosavljevic, J. Duval, P. Willadsen, A. Kurdoghlian, P. Deelman, J. Moon, A. Schmitz, M. Delaney, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 807–810

    Google Scholar 

  132. M. Micovic, A. Kurdoghlian, P. Janke, P.H.D. Wong, J. Moon, L. McCray, C. Nguyen, IEEE Trans. Electron Devices 48, 591 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  133. E. Miller, D. Schaadt, E. Yu, X. Sun, L. Brillson, P. Waltereit, J. Speck, J. Appl. Phys. 94, 7611 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  134. E. Miller, E. Yu, P. Waltereit, J. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 535 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  135. A. Minko, V. Hoel, S. Lepilliet, G. Dambrine, J. DeJaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, IEEE Electron Device Lett. 25, 167 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  136. M. Miyoshi, M. Sakai, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, T. Egawa, M. Tanaka, O. Oda, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 7939 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  137. E. Monroy, N. Gogneau, F. Enjalbert, F. Fossard, D. Jalabert, E. Bellet-Amalric, L. Dang, B. Daudin, J. Appl. Phys. 94, 3121 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  138. H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices, Springer Series in Materials Science, vol. 32 (Springer, Berlin Heidelberg New York, 1999)

    Google Scholar 

  139. S. Müller, K. Köhler, R. Kiefer, R. Quay, M. Baeumler, L. Kirste, Phys. Stat. Sol. C 2, 2639 (2005)

    Google Scholar 

  140. T. Murata, M. Hikita, Y. Hirose, Y. Uemoto, K. Inoue, T. Tanaka, D. Ueda, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1042 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  141. N. Nakamura, in MRS Bulletin, Warrendale, 1998, pp. 1145–1156

    Google Scholar 

  142. S. Nakamura, S. Chichibu (eds.), Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (Taylor & Francis, London New York, 2000)

    Google Scholar 

  143. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 228, 309 (2001)

    Google Scholar 

  144. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, J. Appl. Phys. 71, 5543 (1992)

    CAS  Google Scholar 

  145. Y. Nakano, J. Suda, T. Kimoto, Phys. Stat. Sol. C 2, 2208 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  146. Y. Nanishi, Y. Saito, T. Yamaguchi, M. Hori, F. Matsuda, T. Araki, A. Suzuki, T. Miyajima, Phys. Stat. Sol. A 200, 202 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  147. Y. Nasishi, Y. Saito, T. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 2549 (2003)

    Google Scholar 

  148. J. Neugebauer, C. Van de Walle Appl. Phys. Lett. 68, 1829 (1996)

    CAS  Google Scholar 

  149. S. Newstead, R. Kubiak, E. Parker, J. Cryst. Growth 81, 49 (1987)

    CAS  Google Scholar 

  150. H. Ng, D. Doppalapudi, D. Korakakis, R. Singh, T. Moustakas, J. Cryst. Growth 189–190, 349 (1998)

    Google Scholar 

  151. N. Okamoto, K. Hoshino, N. Hara, M. Takikawa, Y. Arakawa, J. Cryst. Growth 272, 278 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  152. Y. Okamoto, K. Takahashi, H. Nakamura, Y. Okada, M. Kawabe, Phys. Stat. Sol. A 180, 59 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  153. T. Palacios, A. Chakraborty, S. Heikmann, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 13 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  154. T. Palacios, A. Chakraborty, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 181–182

    Google Scholar 

  155. T. Palacios, L. Shen, S. Keller, A. Chakraborty, S. Heikman, D. Buttari, S. DenBaars, U. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 22, 837 (2005)

    Google Scholar 

  156. N. Pan, J. Elliot, M. Knowles, D. Vu, K. Kishimoto, J. Twynam, H. Sato, M. Fresina, G. Stillman, IEEE Electron Device Lett. 19, 115 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  157. G. Parish, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 1999

    Google Scholar 

  158. C. Park, Y. Park, H. Lee, I. Yoon, T. Kang, H. Cho, J. Oh, K. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 1722 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  159. T. Paskova, V. Darakchieva, E. Valcheva, P. Paskov, I. Ivanov, B. Monemar, T. Böttcher, C. Roder, D. Hommel, J. Electron. Mater. 33, 389 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  160. S. Pearton, J. Zolper, R. Shul, F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  161. A. Petersson, A. Gustafsson, L. Samuelson, S. Tanaka, Y. Aoyagi, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7, (2002)

    Google Scholar 

  162. C. Poblenz, P. Waltereit, S. Rajan, S. Heikman, U. Mishra, J. Speck, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1145 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  163. C. Poblenz, P. Waltereit, S. Rajan, U.K. Mishra, J.S. Speck, P. Chin, I. Smorchkova, B. Heying, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1562 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  164. A. Polyakov, N. Smirnov, A. Govorkov, A. Shlensky, S. Pearton, J. Appl. Phys. 95, 5591 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  165. A. Ptak, L. Holbert, L. Ting, C. Schwartz, M. Moldovan, N. Giles, T. Myers, P. van Lierde, C. Tian, R. Hockett, S. Mitha, A. Wickenden, D. Koleske, R. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 2740 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  166. S. Rajan, P. Waltereit, C. Poblenz, S. Heikman, D. Green, J. Speck, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 247 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  167. J. Redwing, T. Kuech in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. B2.7, pp. 416–425

    Google Scholar 

  168. J. Redwing, M. Tischler, J. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja, R. Newrock, W. Mitchel, Appl. Phys. Lett. 69, 963 (1996).

    CAS  Google Scholar 

  169. F. Ren, J. Zolper Wide Energy Bandgap Electronic Devices (World Scientific, New Jersey, 2003)

    Google Scholar 

  170. M. Reshchikova, H. Morkoc, J. Appl. Phys. 97, 061301–1 (2005)

    Google Scholar 

  171. M. Rudziski, P. Hageman, A. Grzegorczyk, L. Macht, T. Rödle, H. Jos, P. Larsen, Phys. Stat. Sol. C 2, 2141 (2005)

    Google Scholar 

  172. P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (eds.), Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device (Wiley-VCH, Weinheim, 2003)

    Google Scholar 

  173. P. Ruterana, M. Morales, F. Gourbilleau, P. Singh, M. Drago, T. Schmidtling, U. Pohl, W. Richter, Phys. Stat. Sol. A 202, 781 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  174. M. Sakai, T. Egawa, M. Hao, H. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 8019 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  175. W. Schaff, L. Hai, H. Jeonghyun, W. Hong, in Proc. IEEE/Cornell Conf. High Perf. Devices, Ithaca, 2000, pp. 225–231

    Google Scholar 

  176. F. Scholz, Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 35, 243 (1997) )

    CAS  Google Scholar 

  177. F. Schwierz, V. Polyakov, in Proc. Intl. Solid-State Integrated Circuit Technology ICSICT Shanghai, 2006, pp. 845–848

    Google Scholar 

  178. D. Segev, C. Van de Walle, Europhys. Lett. 76 305 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  179. F. Semond, B. Damilano, P. Lorenzini, S. Vezian, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 82 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  180. F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, Appl. Phys. Lett. 78, 335 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  181. I. Shalish, L. Kronik, G. Segal, Y. Shapira, Y. Rosenwaks, U. Tisch, J. Salzman, Phys. Rev. B., 59, 9748 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  182. L. Shen, R. Coffie, D. Buttari, S. Heikman, A. Chakraborty, A. Chini, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, J. Electron. Mater. 33, 422 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  183. L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N. Zhang, D. Buttari, I. Smorchkova, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  184. B. Simpkins, E. Yu, P. Waltereit, J. Speck, J. Appl. Phys. 94, 1448 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  185. J. Smart, A. Schremer, N. Weimann, O. Ambacher, L. Eastman, J. Shealy, Appl. Phys. Lett. 75, 388 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  186. I. Smorchkova, E. Haus, B. Heying, P. Kozodoy, P. Fini, J. Ibbetson, S. Keller, S. DenBaars, J. Speck, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 76, 718 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  187. A. Sozza, C. Dua, E. Morvan, M. diForte Poisson, S. Delage, F. Rampazzo, A. Tazzoli, F. Danesin, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, B. Grimbert, J.D. Jaeger, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 590–593

    Google Scholar 

  188. M. Steen, M. Sheldon, R. Bresnahan, T. Bird, D. Gotthold, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 13.5

    Google Scholar 

  189. J. Suda, Y. Nakano, T. Kimoto, MRS Symposium 831, 471 (1999)

    Google Scholar 

  190. B. Sverdlov, A. Botchkarev, G. Martin, A. Salvador, H. Morkoc, S. Tsen, D. Smith, in MRS Symposium, First International Conference on Nitride Semiconductors, vol. 395, Boston, 1996, pp. 175–180

    Google Scholar 

  191. H. Takeuchi, Y. Yamamoto, Y. Kamo, T. Oku, M. Nakayama, The European Physical Journal B 52, 311 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  192. T. Tanaka, Y. Koji, T. Meguro, Y. Otoki, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 295–298

    Google Scholar 

  193. T. Tanaka, K. Takano, H. Fujikura, T. Mishima, Y. Kohji, H. Kamogawa, T. Meguro, Y. Otoki, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 4.1

    Google Scholar 

  194. H. Tang, J. Webb, Appl. Phys. Lett. 74, 2373 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  195. E. Tengborn, M. Rummukainen, F. Tuomisto, K. Saarinen, M. Rudzinski, P. Hageman, P. Larsen, A. Nordlund, Appl. Phys. Lett. 89, 091905 (2006)

    Google Scholar 

  196. A. Thamm, O. Brandt, J. Hilsenbeck, R. Lossy, K.H. Ploog, in Proocedings of the International Symposium on Compound Semiconductors, Monterey, 2000, pp 455–460

    Google Scholar 

  197. V. Tilak, B. Green, V. Kaper, H. Kim, T. Prunty, J. Smart, J. Shealy, L. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 22, 504 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  198. A. Trassoudaine, R. Cadoret, E. Aujol, in Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), Chap. 4, pp. 193–240

    Google Scholar 

  199. R. Underwood, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 1999

    Google Scholar 

  200. M. Uren, T. Martin, B. Hughes, K. Hilton, A. Wells, R. Balmer, D.H.A. Keir, D. Wallis, A. Pidduck, M. Missous, Phys. Stat. Sol. A 194, 468 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  201. R. Vandersmissen, J. Das, W. Ruythooren, J. Derluyn, M. Germain, D. Xiao, D. Schreurs, G. Borghs, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 13.3

    Google Scholar 

  202. C. Van de Walle, C. Stampfl, J. Neugebauer, J. Cryst. Growth 189/190, 505 (1998)

    Google Scholar 

  203. C. Van de Walle, J. Neugebauer, C. Stampfl, in Properties, Processing and Applications of GaN Nitride and Related Semiconductors, No. 23 in EMIS Data reviews Series, ed. by J. Edgar et al. (IEE INSPEC, London, 1999), Sect. A8.2, pp. 275–280

    Google Scholar 

  204. A. Vescan, J. Brown, J. Johnson, R. Therrien, T. Gehrke, P. Rajagopal, J. Roberts, S. Singhal, W. Nagy, R. Borges, E. Piner, K. Linthicum, Phys. Stat. Sol. C 0, 52 (2002)

    Google Scholar 

  205. P. Waltereit, S. Lim, M. McLaurin, J. Speck, Phys. Stat. Sol. A 194, 524 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  206. P. Waltereit, C. Poblenz, S. Rajan, F. Wu, U.K. Mishra, and J.S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. 43 L1520 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  207. C. Wang, L. Yu, S. Lau, E. Yu, W. Kim, A. Botchkarev, H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 72, 1211 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  208. D. Wang, S. Jia, K. Chen, K. Lau, Y. Dikme, P. van Gemmern, Y. Lin, H. Kalisch, R. Jansen, M. Heuken, J. Appl. Phys. 97, 56103 (2005)

    Google Scholar 

  209. S. Wang, S. Chang, K. Uang, B. Liou, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 59–60

    Google Scholar 

  210. N. Watanabe, H. Yokoyama, M. Hiroki, Y. Oda, T. Kobayashi, T. Yagi, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 257–260

    Google Scholar 

  211. J. Webb, H. Tang, J. Bardwell, S. Rolfe, Y. Liu, J. Lapointe, P. Marshall, T. MacElwee, Phys. Stat. Sol. A 188, 271 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  212. J. Webb, H. Tang, J. Bardwell, P. Coleridge, Phys. Stat. Sol. A 176, 243 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  213. J. Webb, H. Tang, J. Bardwell, P. Coleridge, Appl. Phys. Lett. 78, 3845 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  214. J. Webb, H. Tang, J. Bardwell, Y. Liu, J. Lapointe, T. MacElwee, Phys. Stat. Sol. A 194, 439 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  215. T. Weeks, M. Bremser, K. Ailey, E. Carlson, W. Perry, R. Davis Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995)

    CAS  Google Scholar 

  216. N. Weimann, M. Manfra, S. Chakraborty, D. Tennant, IEEE Electron Device Lett. 23, 691 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  217. N. Weimann, M. Manfra, T. Wächtler, IEEE Electron Device Lett. 24, 57 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  218. A. Wickenden, D. Koleske, R. Henry, R. Gorman, J. Culbertson, M. Twigg, J. Electron. Mater. 28, 301 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  219. A. Wickenden, D. Koleske, R. Henry, R. Gorman, M. Twigg, M. Fatemi, J. Freitas, W. Moore, J. Electron. Mater. 29, 21 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  220. A. Winzer, R. Goldhahn, G. Gobsch, A. Dadgar, A. Krost, O. Weidemann, M. Stutzmann, M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett., 88, 4101 (2006)

    Google Scholar 

  221. M. Wojtowicz, B. Heying, P.C.I. Smorchkova, R. Sandhu, T. Block, M. Aumer, D. Thomson, D. Partlow, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, p. 299

    Google Scholar 

  222. Y. Wu, B. Keller, P. Fini, S. Keller, T. Jenkins, L. Kehias, S. Denbaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  223. L. Wu, W. Meyer, F. Auret, Phys. Stat. Sol. A 201, 2277 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  224. Y. Wu, M. Moore, A. Abrahamsen, M. Jacob-Mitos, P. Parikh, S. Heikman, A. Burk, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 405–408

    Google Scholar 

  225. F. Yam, Z. Hassan, Superlattices and Microstructures, 43, 1 (2008)

    CAS  Google Scholar 

  226. A. Yamamoto, T. Shin-ya, T. Sugiura, A. Hashimoto, J. Cryst. Growth 189–190, 461 (1998)

    Google Scholar 

  227. F. Yang, J. Hwang, Y. Yang, K. Chen, J. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1321 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  228. T. Yuasa, Y. Ueta, Y. Tsuda, A. Ogawa, M. Taneya, K. Takao, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L703 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  229. J. Zimmer, G. Chandler, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 129–132

    Google Scholar 

Download references

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 2008 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

About this chapter

Cite this chapter

(2008). Epitaxy for III-N-Based Electronic Devices. In: Gallium Nitride Electronics. Springer Series in Materials Science, vol 96. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5_3

Download citation

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation