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Auszug

Diffusionsspannung
$$ \Phi _i = \frac{{kT}} {q}ln\frac{{N_A N_D }} {{n_i^2 }} $$
(2.1)
Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone
$$ p'_n (x_n ) = p_{n0} \left[ {\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) - 1} \right] bzw. $$
(2.2)
$$ n'_p ( - x_p ) = n_{p0} \left[ {\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) - 1} \right] $$
(2.3)
Diodengleichung
$$ I_D = I_S \left[ {\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) - 1} \right] $$
(2.4)
Sättigungsstrom
$$ I_S = qAn_i^2 \left[ {\frac{{D_p }} {{L_p N_D }} + \frac{{D_p }} {{L_n N_A }}} \right] (lange Abmessungen) $$
(2.5)
$$ I_S = qAn_i^2 \left[ {\frac{{D_p }} {{w_n N_D }} + \frac{{D_n }} {{w_p N_A }}} \right] (kurze Abmessungen) $$
(2.6)
Weite der Raumladungszone (abrupter pn-Übergang)
$$ w = \sqrt {\frac{{2\varepsilon _0 \varepsilon _r }} {q}\left[ {\frac{1} {{N_A }} + \frac{1} {{N_D }}} \right](\Phi _i - U_{pn} )} $$
(2.7)
Ausdehnung der Raumladungszone in das n- bzw. p-Gebiet
$$ x_n = w\frac{{N_A }} {{N_A + N_D }} $$
(2.8)
$$ x_p = w\frac{{N_D }} {{N_A + N_D }} $$
(2.9)
Sperrschichtkapazität
$$ C_j = \frac{{A\varepsilon _0 \varepsilon _r }} {w} $$
(2.10)
Diffusionskapazität
$$ C_d = \tau _T \frac{q} {{kT}}Is\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) $$
(2.11)
Diffusionsladung
$$ Q_d = \tau _T I_D $$
(2.12)
Speicherzeit
$$ t_S = \frac{{I_F }} {{I_R }}\tau _T $$
(2.13)
Diodenleitwert
$$ g_D = \frac{q} {{kT}}I_{D,A} $$
(2.14)

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© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007

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