Diode

Auszug

Diffusionsspannung

$$ \Phi _i = \frac{{kT}} {q}ln\frac{{N_A N_D }} {{n_i^2 }} $$

((2.1))

Überschussladungsträgerdichten an den Rändern der Raumladungszone

$$ p'_n (x_n ) = p_{n0} \left[ {\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) - 1} \right] bzw. $$

((2.2))

$$ n'_p ( - x_p ) = n_{p0} \left[ {\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) - 1} \right] $$

((2.3))

Diodengleichung

$$ I_D = I_S \left[ {\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) - 1} \right] $$

((2.4))

Sättigungsstrom

$$ I_S = qAn_i^2 \left[ {\frac{{D_p }} {{L_p N_D }} + \frac{{D_p }} {{L_n N_A }}} \right] (lange Abmessungen) $$

((2.5))

$$ I_S = qAn_i^2 \left[ {\frac{{D_p }} {{w_n N_D }} + \frac{{D_n }} {{w_p N_A }}} \right] (kurze Abmessungen) $$

((2.6))

Weite der Raumladungszone (abrupter pn-Übergang)

$$ w = \sqrt {\frac{{2\varepsilon _0 \varepsilon _r }} {q}\left[ {\frac{1} {{N_A }} + \frac{1} {{N_D }}} \right](\Phi _i - U_{pn} )} $$

((2.7))

Ausdehnung der Raumladungszone in das n- bzw. p-Gebiet

$$ x_n = w\frac{{N_A }} {{N_A + N_D }} $$

((2.8))

$$ x_p = w\frac{{N_D }} {{N_A + N_D }} $$

((2.9))

Sperrschichtkapazität

$$ C_j = \frac{{A\varepsilon _0 \varepsilon _r }} {w} $$

((2.10))

Diffusionskapazität

$$ C_d = \tau _T \frac{q} {{kT}}Is\exp \left( {\frac{q} {{kT}}U_{pn} } \right) $$

((2.11))

Diffusionsladung

$$ Q_d = \tau _T I_D $$

((2.12))

Speicherzeit

$$ t_S = \frac{{I_F }} {{I_R }}\tau _T $$

((2.13))

Diodenleitwert

$$ g_D = \frac{q} {{kT}}I_{D,A} $$

((2.14))