Zusammenfassung
Bei diesen Halbleiterbauelementen wird — wie bei den Feldeffekttransistoren — der Stromfluß zwischen zwei Anschlüssen unterschiedlichen Potentials (A und E) durch eine Steuerelektrode St beeinflußt (Bild 3.1). Die Bipolartransistoren sind also wie die meisten Feldeffekttransistoren Dreipole und entsprechend ein-setzbar, d. h. vorzugsweise als Klein- und Großsignalverstärker sowie als Schalter. Die gelegentlich auch benutzte Bezeichnung Injektionstransistor weist darauf hin, daß der Stromfluß hier, wie bei der pn-Diode, von Ladungen getragen wird, die aus einem p(n)- in ein n(p)-Gebiet injiziert werden, wobei sie ihren Charakter von Majoritäts- zu Minoritätsträgern ändern. Der Zusatz „Bipolar“ kennzeichnet die Tatsache, daß für die Wirkungsweise dieser Bauelemente bei d e Arten von Ladungsträgern (Elektronen und Defektelektronen) von Bedeutung sind, also die Majoritäts- und Minoritätsträger. Die letzteren sind trotz ihrer geringen Anzahl für das Betriebsverhalten sogar quantitativ entscheidend; das hat wie bei der pn-Diode u. a. eine wesentlich stärkere Temperaturabhängigkeit der Strom-Spannungs-Charakteristiken als beim FET zur Folge.
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© 1992 B. G. Teubner Stuttgart
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Löcherer, KH. (1992). Bipolartransistoren. In: Halbleiterbauelemente. Moeller Leitfaden der Elektrotechnik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-99980-1_4
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-99980-1_4
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
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