Zusammenfassung
In den Abschnitten 5.8 und 5.9 untersuchten wir die Diffusion von Ladungsträgern, die durch Lichtabsorption erzeugt werden. In diesem Kapitel werden wir die Photoleitung im Detail behandeln, wobei auch die Diffusion eine Rolle spielt, vor allem aber der Einfang von Ladungsträgern in Zentren mit langer Verweildauer („Traps“) unter Ausbildung einer Raumladung.
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Literaturverzeichnis
S.M. Sze:Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York 1981 ) R.J. Keyes (ed.):Optical and Infrared Detectors, 2nd ed., Topics Appl. Phys., Vol.19 (Springer, Berlin, Heidelberg 1980 )
M. Lannoo, J. Bourgoin:Point Defects in Semiconductors I and II, Springer Ser. Solid-State Sci., Vols.22 and 35 (Springer, Berlin, Heidelberg 1981 and 1983 ) H.J. Queisser: InFestkörper-Probleme, Vol.XI, ed. O. Madelung ( Vieweg, Braunschweig 1971 )
S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola:Hydrogen in Crystalline Semiconductors, Springer Ser. Mat. Sci., Vol. 16 ( Springer, Berlin, Heidelberg 1991 )
R. Newman, W.W. Tyler: InSolid State Physics, Vol.8, ed. F. Seitz, D. Turnbull ( Academic, New York 1957 )
C.D. Thurmond: InSemiconductors, ed. N.B. Hannay ( Reinhold, New York 1960 ) p. 145
W.W. Tyler, H.H. Woodbury: Phys. Rev. 96, 874 (1954)
E.M. Pell: J. Appl. Phys. 26, 658 (1955)
A.G. Milnes:Deep Impurities in Semiconductors( Wiley, New York 1973 )
W.C. Dunlap: InProgress in Semiconductors, Vol.2, ed. A.F. Gibson ( Temple, London 1957 )
J.S. Blakemore:Semiconductor Statistics( Pergamon, London 1962 )
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Seeger, K. (1992). Photoleitung. In: Halbleiterphysik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-98553-8_12
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