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Literatur
Die Schaltzeichen für Transistoren werden häufig auch ohne Kreis dargestellt.
Die Bezeichnung „spezifischer Widerstand“ ist irreführend, wenn man „spezifisch“ als „auf die Masse bezogen“ definiert.
Würde man die Bewegungsrichtung der negativen Ladungsträger wählen, so müßte man, wenn man die Leitfähigkeit σ bzw. die Resistivität ϱ — wie üblich — als (positive) Betragsgröße definieren will, den Zusammenhang zwischen Stromdichte j und Feldstärke E (vgl. Abschn. 5.4.0.2.2) in der Form j = — σ E schreiben, also mit negativem Zeichen, was jeder Konvention in der Schreibweise physikalischer Gleichungen widersprechen würde.
Häufig ist auch das Verhältnis x/(l — x) direkt an jeder Stelle x der Meßdrahtleiste (Länge l) vermerkt.
Busch, H.: Ann. Physik 64 (1921) 401. — Mulder, J.G.W.: Philips Techn. Rdsch. 3 (1938) 74.
Der Quotient der Scheitelwerte ist gleich dem Quotienten der Effektivwerte.
Wir setzen die Integrationskonstante gleich Null; sie entspricht einem Gleichspannungsanteil, der hier weggelassen werden kann.
Die genaue Herleitung und Begründung für diese Rechenmethode entnehme man der einschlägigen Literatur, z.B. Meinke: Die komplexe Berechnung von Wechselstromschaltungen. Berlin 1971; Ebinger, A.: Komplexe Rechnung. Berlin 1973; Komplexe Größen werden durch Unterstreichen gekennzeichnet. In der elektrotechnischen Literatur wird anstelle von i das Symbol j verwendet.
Wegen Einzelheiten im Aufbau der Brücke vgl. Abschn. 5.1.5.1 Messung von Kapazitäten.
Die Messung an Kondensatoren mit schlechtem Isolations- oder Serienwiderstand Ris (Ris > 1/ωC) verläuft ähnlich wie die von Induktivitäten im folgenden Abschnitt. In diesem Fall ist R’ auch bei der Messung von Kapazitäten nötig.
Abschn. 5.1.6 bearbeitet von Wolfgang Fischer.
Die Abhängigkeit der Klemmenspannung U K vom Laststrom I K kann bei manchen Spannungsquellen von Sekundärprozessen beeinflußt sein. R i kann von der Temperatur abhängen und damit indirekt auch von der Stromstärke. U q kann ebenfalls stromabhängig sein, wie z.B. bei den galvanischen Elementen. Konzentrationsänderungen des Elektrolyten sowie Änderungen des Ladungszustandes der Zelle, beide durch den Strom verursacht, führen zu Änderungen der Quellenspannung U q.
Bezeichnung irreführend; es handelt sich nicht um eine Kraft, sondern um die Größe Spannung durch Temperatur.
In dieser einfachen Form gilt die Gleichung für eine Trägersorte (+ oder —). Ist q positiv, dann ist auch v positiv, ist q negativ, dann ist auch v negativ, j = qnv = qnbE x = σE x hat also unabhängig vom Vorzeichen der Trägerladung die Richtung von E x . Die Leitfähigkeit σ ist daher eine positive Größe, Stromdichtevektor j und Feldstärkevektor E sind durch j = σE verknüpft. Dies wiederum gilt auch bei Anwesenheit zweier Trägersorten (+ und —), wobei nur die Ausdrücke für σ — und auch für R H — komplizierter werden.
Gl. (5.131) gilt, solange Laufzeiteffekte keine Rolle spielen. Für eine Schwingung (Frequenz ω) heißt das ωl ≪ c (l= Drahtlänge der Spulenwindungen bzw. deren Abstand, c = Lichtgeschwindigkeit).
Hochvakuum-Röhren: Kohlrausch: Praktische Physik II, 22. Aufl. Stuttgart 1968. -Rothe, H.; Kleen, W.: Hochvakuum-Elektronenröhren. Bd. I, Physikalische Grundlagen. Frankfurt/M.
Halbleiter-Bauelemente: Die allgemeinen Grundlagen sind in den neuesten Auflagen von Lehrbüchern kurz dargestellt. — Weitergehende Darstellungen der Physik und Technik der Halbleiter-Bauelemente sind: Seiler, K.: Physik und Technik der Halbleiter. Stuttgart 1964; Rohe, K.H.: Elektronik für Physiker. Stuttgart 1978; S hive, J.N.: The Properties, Physics and Design of Semiconductor Devices. Princeton, N.J. 1959. — Umfangreichere Darstellungen: Spenke, E.: Elektronische Halbleiter. Berlin-Heidelberg-New York 1965; Sze, S.M.: Physics of Semiconductor Devices. New York: London 1969.
Von dem feldstärkeabhängigen Schottky-Effekt, einem schwachen Stromanstieg mit wachsender Feldstärke, wird hier abgesehen.
Bei Elektronenröhren bezieht man alle Spannungen auf die Kathode, deren Potential als Null vereinbart wird. U a,k > 0 bedeutet, daß die Anode positiv gegen die Kathode ist.
Gl. (5.138) gilt unter der (nicht ganz richtigen) Voraussetzung, daß alle Elektronen die Kathode mit der Anfangsgeschwindigkeit Null verlassen. In der exakten Formel muß die Geschwindigkeitsverteilung der Elektronen berücksichtigt werden.
Eine genauere Betrachtung zeigt, daß der Beitrag der Löcher etwas kleiner ist als der der Elektronen, da ihre Beweglichkeit (vgl. Abschn. 5.4.0.2) kleiner ist als die der Elektronen. Dies erscheint in Anbetracht des komplizierteren Bewegungsmechanismus der Löcher plausibel.
Die Unterscheidung zwischen Emitter und Kollektor ist bei symmetrischen Transistoren rein willkürlich. In der Praxis unterscheiden sich jedoch bei den meisten Transistortypen Emitter-und Basiszone durch unterschiedliche Geometrie und Dotierungsstärke.
Abschn. 5.5.6 und 5.5.7 bearbeitet von Wolfgang Zimmermann.
Der Frequenzgang und andere Abweichungen vom Idealfall seien hier vernachlässigt.
Bearbeitet von Wolfgang Fischer.
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© 1985 B. G. Teubner, Stuttgart
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Walcher, W. (1985). Elektrizitätslehre. In: Praktikum der Physik. Teubner Studienbücher Physik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-96762-6_5
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-96762-6_5
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-13038-3
Online ISBN: 978-3-322-96762-6
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