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Empfangsdioden

  • Wolfgang Harth
  • Helmut Grothe
Part of the Teubner Studienbücher Physik book series (TSBP)

Zusammenfassung

Empfangselemente in optischen Nachrichtenübertragungssystemen müssen selbst bei hohen Bitraten noch optische Impulse mit Strahlungsleistungen unter 1 μW fehlerfrei demodulieren. Voraussetzung dafür sind ausreichende Empfindlichkeit bei der übertragungswellenlänge, hohe Ansprechgeschwindigkeit und minimales Eigenrauschen. Darüberhinaus werden geringe Abmessungen, niedrige Vorspannungen und hohe Zuverlässigkeit gefordert. In Frage kommen daher vor allem Halbleiterbauelemente, die durch Ladungsträgererzeugung mittels des inneren Photoeffekts im äußeren Stromkreis ein der einfallenden Strahlung direkt proportionales elektrisches Signal liefern.

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Literatur

  1. /1/.
    Melchior, H.: Demodulation and photodetection techniques. In: Avecchii, F.T.; Schulz-Dubois, E.O.: Laser Handbook, Vol.l. Amsterdam: North Holland 1972, 725–835Google Scholar
  2. /2/.
    Emmons, R. B.; Lucovsky, G.: The frequency response of avalanching photodiodes. IEEE Trans. Electron. Dev. ED-13 (1966) 297–305Google Scholar
  3. /3/.
    Gaertner, W. W.: Depletion-layer photoeffects in semiconductors. Phys. Rev. 116 (1959) 84–87CrossRefGoogle Scholar
  4. /4/.
    Unger, H-G.; Harth,W.: Hochfrequenz-Halbleiterelektronik. Stuttgart: Hirzel Verlag 1972Google Scholar
  5. /5/.
    Müller, J.: Photodiodes for optical communication. Advances in Electronics and Electron Physics 55 (1981) 183–307CrossRefGoogle Scholar
  6. /6/.
    Unger, H.-G.: Optische Nachrichtentechnik. Berlin: Elitera 1976Google Scholar
  7. /7/.
    Krumpholz, O.; Maslowski, S.: Schnelle Photodioden mit wellen-längenunabhängigen Demodulationseigenschaften. Z. Angew. Phys. 25 (1968) 156–160Google Scholar
  8. /8/.
    Stillman, G.E.; Cook, L.W.; Tabatabaie, N.; Bulman,G.E.: InGaAsP photodiodes. IEEE Trans. Electron. Dev. ED-30 (1983) 364–381Google Scholar
  9. /9/.
    Lee, T.-P.; Burrus, C.A.; Dentai, A.G.: InGaAs/InP pin photodiodes for lightwave communications at the 0.95–1.65 pm wavelength. IEEE J. Quant. Electron. QE-17 (1981) 232–238Google Scholar
  10. /10/.
    Washington, M.A.; Nahory, R.E.; Pollack, M.E.; Babe, E.D.: High-efficiency InGaAsP/InP photodetectors with selective wavelength response between 0.9 and 1.7 pm. Appl. Phys. Lett. 33 (1978) 854 - B56CrossRefGoogle Scholar
  11. /11/.
    Selmer, G.; Pribelich, H.; Farrayre, A.; Kramer, B.: Theoretical and experimental study of GaAs Impatt oscillator efficiency. J. Appl. Pys. 44 (1973) 314–324CrossRefGoogle Scholar
  12. /12/.
    Read, W.T.: A proposed high-frequency negative resistance diode. Bell Syst. Techn. J. 37 (1958) 401–446Google Scholar
  13. /13/.
    Mclntyre,R.C.: Multiplication noise in uniform avalanche diodes. IEEE Trans. Electron. Dev. ED-13 (1966) 164–168Google Scholar
  14. /14/.
    Suematsu, Y.: Long-wavelength optical fiber communication. Proc. IEEE 71 (1983) 962–721CrossRefGoogle Scholar
  15. /15/.
    Melchior, H.; Fisher, M.B.; Arams, F.R.: Photodetectors for op- tical communication systems. Proc. IEEE 48 (1970) 1466–1486CrossRefGoogle Scholar
  16. /16/.
    Melchior, H.; Hartmann, A.R.;Schinke, D.P.; Seidel, T.E.: Planar epitaxial silicon avalanche photodiode. Bell Syst. Techn. J. 57 (1978) 1791–1807Google Scholar
  17. /17/.
    Webb, P.P.; McIntyre, R.C.;Conradi, J.: Properties of avalanche photodiodes. RCA Rev. 35 (1974) 234–278Google Scholar
  18. /18/.
    Diadiuk, V.; Grooves, S. H.; Hurwitz, C. E.; Iseler, G. W.: Low dark-current, high gain GaInAs/InP avalanche photodetectors. IEEE J. Quant. Electron. 9E-17 (1981) 260–263Google Scholar
  19. /19/.
    Law, H.B.;Chin, R.; Nakano, K.; Milano, R.A.: The GaAlAsSb quaternary and GaA1Sb ternary alloys and their application to infrared detectors. IEEE J. Quant. Electron. 9E-17 (1981) 275–283Google Scholar
  20. /20/.
    Hildebrand, 0.; Kuebart, W.; Benz, K.W.; Pilkuhn, M. H.: GaAlSb avalanche photodiodes: Resonant impact ionisation with very high ratio of ionization coefficients. IEEE J. Quant. Electron. QE-17 (1981) 284–288Google Scholar

Copyright information

© B. G. Teubner Stuttgart 1984

Authors and Affiliations

  • Wolfgang Harth
    • 1
  • Helmut Grothe
    • 1
  1. 1.Technischen Universität MünchenMünchenDeutschland

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