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Zusammenfassung

Lichterzeugung in einem Halbleitermaterial mit direktem Bandübergang geschieht in einfachster Weise in einem in Flußrichtung gepolten,einseitig abrupten n+p-Übergang (s. Bild 3.1). Dabei werden Elektronen durch Diffusion von der n+-Seite in den aktiven p-Bereich injiziert (die Löcherinjektion in den n+- Bereich kann vernachlässigt werden). Die Minoritätsträger (n) rekombinieren strahlend in der aktiven p-Zone mit den dort vorhandenen Löchern nach Maßgabe der Lebensdauer.

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Copyright information

© B. G. Teubner Stuttgart 1984

Authors and Affiliations

  • Wolfgang Harth
    • 1
  • Helmut Grothe
    • 1
  1. 1.Technischen Universität MünchenMünchenDeutschland

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