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Montage integrierter Schaltungen

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Part of the book series: Silizium-Halbleitertechnologie ((TSTT))

Zusammenfassung

Nach der Integration der MOS- oder Bipolar-Schaltungen stehen die getesteten Chips auf Waferebene funktionsbereit zur Verfügung. Für ihren Einsatz ist aber zusätzlich eine gegen äußere Einflüsse schützende, genormte Gehäusebauform mit einem für den Anwender zugänglichen elektrischen Anschlussraster notwendig. Diese Anforderungen werden mit Hilfe der Montagetechnik erfüllt, die folgende Funktionen und Aufgaben übernimmt:

  • Bereitstellen einer mechanisch definierten Gehäusebauform, die für das automatische Bestücken von Platinen gut geeignet ist;

  • Auffächern des feinen elektrisch Anschlussrasters auf dem Chip zu einem dem Anwender zugänglichen Anschlussraster;

  • Herstellen der elektrischen Verbindung zwischen den Anschlüssen der Halbleiterschaltung (“Pads”) und den Innenanschlüssen des Gehäuses;

  • Abführen und Verteilen der Verlustwärme der Halbleiterschaltung;

  • Schutz gegen Umwelteinflüsse und mechanische Beschädigungen.

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© 2002 B. G. Teubner Stuttgart/Leipzig/Wiesbaden

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Hilleringmann, U. (2002). Montage integrierter Schaltungen. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Silizium-Halbleitertechnologie. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_13

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_13

  • Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden

  • Print ISBN: 978-3-519-20149-6

  • Online ISBN: 978-3-322-94119-0

  • eBook Packages: Springer Book Archive

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